| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | SI8806DB-T2-E1n |
| 说明 | 通用MOSFET 4-XFBGA |
| 起订量 | 1 |
| 最小包 | 1 |
| 现货 | 397 [库存更新时间：2025-04-14] |
| 连续漏极电流Id | 2.8A(Ta) |
| FET类型 | N-Channel |
| Vgs(最大值) | ±8V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 43 mOhms @ 1A,4.5V |
| Vgs(th) | 1V @ 250uA |
| Pd-功率耗散(Max) | 500mW(Ta) |
| 封装/外壳 | 4-XFBGA |
| 工作温度 | -55℃~150℃ |
| 漏源极电压Vds | 12V |
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