参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	US6J2TR
说明	通用MOSFET   TUMT6 TUMT
品牌	ROHM(罗姆)
起订量	0
最小包	0
现货	480 [库存更新时间：2026-04-15]
FET类型	2P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs	390mΩ@1A,4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	2.1nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	150pF @ 10V
Pd-功率耗散(Max)	1W
工作温度	150°C(TJ)
封装/外壳	TUMT6
封装/外壳	TUMT
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	20V
连续漏极电流Id	1A