| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 小信号MOSFET |
| 型号编码 | US6J11TR |
| 说明 | 小信号MOSFET TUMT |
| 品牌 | ROHM(罗姆) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 480 [库存更新时间：2025-04-02] |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 260mΩ@1.3A,4.5V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 2.4nC @ 4.5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 290pF @ 6V |
| Pd-功率耗散(Max) | 320mW |
| 工作温度 | 150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | TUMT |
| FET类型 | P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 12V |
| 连续漏极电流Id | 1.3A |
IC普拉斯 元器件现货
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