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    SQJ570EP-T1_GE3

    品牌:Vishay(威世)

    产品:功率MOSFET

    库存:409 Pcs [库存更新时间:2025-04-08]

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    产品概述
    参数
    产品功率MOSFET
    型号编码SQJ570EP-T1_GE3
    说明功率MOSFET   PowerPAK®SO-8Dual 6.15mm
    品牌Vishay(威世)
    起订量0
    最小包0
    现货409 [库存更新时间:2025-04-08]
    不同Id时的Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
    不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值)20nC @ 10V,15nC @ 10V
    不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值)650pF @ 25V,600pF @ 25V
    工作温度-55°C~175°C(TJ)
    封装/外壳PowerPAK®SO-8Dual
    连续漏极电流Id15A,9.5A
    Pd-功率耗散(Max)27W,27W
    Qg-栅极电荷9nC,12nC
    Rds On(Max)@Id,Vgs45mΩ,146mΩ
    漏源极电压Vds100V
    栅极电压Vgs1.5V
    上升时间4ns,5ns
    下降时间17ns,15ns
    典型关闭延迟时间20ns,30ns
    典型接通延迟时间8ns,12ns
    宽度5.13mm
    正向跨导 - 最小值15S,7S
    系列SQ
    通道数量2Channel
    配置Dual
    长度6.15mm
    高度1.04mm

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