参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | SQM120P10_10M1LGE3 |
说明 | 功率MOSFET TO-263-3 10.67mm |
品牌 | Vishay(威世) |
起订量 | 800 |
最小包 | 800 |
现货 | 2009 [库存更新时间:2025-04-04] |
连续漏极电流Id | 120A |
Pd-功率耗散(Max) | 375W |
Qg-栅极电荷 | 190nC |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 8.1mΩ |
漏源极电压Vds | 100V |
栅极电压Vgs | 2.5V |
上升时间 | 100ns |
下降时间 | 200ns |
典型关闭延迟时间 | 120ns |
典型接通延迟时间 | 20ns |
宽度 | 9.65mm |
封装/外壳 | TO-263-3 |
正向跨导 - 最小值 | 60S |
系列 | SQ |
通道数量 | 1Channel |
配置 | Single |
长度 | 10.67mm |
高度 | 4.83mm |
工作温度 | -55°C~175°C |