| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 功率MOSFET |
| 型号编码 | SQ4917EY-T1_GE3 |
| 说明 | 功率MOSFET SOIC |
| 品牌 | Vishay(威世) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 484 [库存更新时间：2025-04-08] |
| 系列 | 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 48mΩ@4.3A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 65nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1910pF @ 30V |
| Pd-功率耗散(Max) | 5W(Tc) |
| 工作温度 | -55°C~175°C(TA) |
| 封装/外壳 | SOIC |
| FET类型 | P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 连续漏极电流Id | 8A |
IC普拉斯 元器件现货
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