参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | SQ2362ES-T1_GE3 |
说明 | 功率MOSFET SOT-23-3 |
品牌 | Vishay(威世) |
起订量 | 3000 |
最小包 | 3000 |
现货 | 6295 [库存更新时间:2025-04-02] |
系列 | 汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 10V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 550pF @ 30V |
栅极电压Vgs | ±20V |
Pd-功率耗散(Max) | 3W(Tc) |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
封装/外壳 | SOT-23-3 |
FET类型 | N-Channel |
连续漏极电流Id | 4.3A |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 147mΩ |
漏源极电压Vds | 1.5V |