参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SIR638DP-T1-GE3
说明	功率MOSFET   PowerPAK®SO-8 40V
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6293 [库存更新时间：2025-04-07]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	100A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	204nC @ 10V
栅极电压Vgs	+20V,-16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	10500pF @ 20V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.88mΩ@20A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PowerPAK® SO-8
Pd-功率耗散(Max)	104W
电压	40V