参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | SQ4064EY-T1_GE3 |
说明 | 功率MOSFET 4.9mm SO-8 60V |
品牌 | Vishay(威世) |
起订量 | 2500 |
最小包 | 2500 |
现货 | 5299 [库存更新时间:2025-04-10] |
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) | 4.5V,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 43nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 2096pF @ 25V |
工作温度 | -55°C~175°C(TJ) |
连续漏极电流Id | 12A |
Qg-栅极电荷 | 43nC |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 16.5mΩ |
漏源极电压Vds | 60V |
栅极电压Vgs | 1.5V |
上升时间 | 9.5ns |
下降时间 | 13ns |
典型关闭延迟时间 | 33ns |
典型接通延迟时间 | 16ns |
宽度 | 3.9mm |
正向跨导 - 最小值 | 85S |
系列 | SQ |
通道数量 | 1Channel |
配置 | Single |
长度 | 4.9mm |
高度 | 1.75mm |
封装/外壳 | SO-8 |
Pd-功率耗散(Max) | 6.8W |
电压 | 60V |