参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SPB18P06PGATMA1
说明	通用MOSFET   D2PAK PG-TO263-2 PG-TO263-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	153 [库存更新时间：2024-05-02]
封装/外壳	D2PAK
连续漏极电流Id	18.6A
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	18.7A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	28nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	860pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
Pd-功率耗散(Max)	81.1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	130 毫欧 @ 13.2A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263-2
封装/外壳	PG-TO263-3