参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	IGB50N65H5ATMA1
说明	功率MOSFET   TO-263-3,D²Pak(2引线+接片),TO-263AB
起订量	0
最小包	0
现货	469 [库存更新时间：2024-04-16]
25°C时Td(开/关)值	23ns/173ns
IGBT类型	沟槽型场截止
不同 Vge、Ic时 Vce(on)(最大值)	2.1V @ 15V,50A
功率-最大值	270W
封装/外壳	TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
工作温度	-40°C ~ 175°C(TJ)
开关能量	1.59mJ(开),750uJ(关)
栅极电荷	120nC
测试条件	400V,50A,12 欧姆,15V
电压-集射极击穿(最大值)	650V
电流-集电极(Ic)(最大值)	80A
电流-集电极脉冲(Icm)	150A
输入类型	标准