参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SI7272DP-T1-GE3
说明	通用MOSFET   PowerPAK®SO-8Dual SOIC-8
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6470 [库存更新时间：2024-06-06]
系列	TrenchFET®
FET类型	2N-Channel
连续漏极电流Id	25A
Rds On(Max)@Id,Vgs	9.3m Ohms@15A,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	26nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1100pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	22W
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PowerPAK® SO-8 Dual
封装/外壳	SOIC-8
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	15A
Rds On(Max)@Id,Vgs	9.3mΩ
漏源极电压Vds	2.5V