参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SI4190ADY-T1-GE3
说明	功率MOSFET   4.9mm SOIC-8
品牌	Vishay(威世)
起订量	2500
最小包	2500
现货	5802 [库存更新时间：2025-04-20]
系列	SI
高度	1.75 mm
长度	4.9 mm
宽度	3.9 mm
零件号别名	SI4190ADY-GE3
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.8V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	67nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	1970pF @ 50V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	3W(Ta),6W(Tc)
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	SOIC-8
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	18.4A
Rds On(Max)@Id,Vgs	8.8mΩ
漏源极电压Vds	2.8V