参数	值
产品	未分类
型号编码	IXTR102N65X2
说明	未分类   ISOPLUS247 16.13x21.34x5.21mm 16.13mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	645 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	54 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.033 0hms
栅极电压Vgs	5V
最小栅阈值电压	3V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	ISOPLUS247
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	330W
正向跨导	82S
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向二极管电压	1.4V
封装/外壳	16.13 x 21.34 x 5.21mm
系列	X2-Class
高度	5.21mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	10.9 nF @ 25 V
典型关断延迟时间	67 ns
典型接通延迟时间	37 ns
宽度	21.34mm
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
长度	16.13mm