型号参数与资料
- 型号
- IXTX120N65X2
- 品牌
- IXYS
- 类别
- 未分类
| FET类型 | N-Channel |
|---|---|
| 连续漏极电流Id | 120 A |
| 漏源极电压Vds | 650 V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 0.023 0hms |
| 栅极电压Vgs | 5V |
| 最小栅阈值电压 | 3V |
| 栅极电压Vgs | ±30V |
| 封装/外壳 | PLUS247 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 引脚数目 | 3 |
| FET类型 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 功率 | 1250W |
| 正向二极管电压 | 1.4V |
| 封装/外壳 | 16.13 x 21.34 x 5.21mm |
| 系列 | X2-Class |
| 晶体管材料 | Si |
| 漏源极电压Vds | 13.6 nF @ 25 V |
| 典型关断延迟时间 | 87 ns |
| 典型接通延迟时间 | 32 ns |
| 宽度 | 21.34mm |
| 每片芯片元件数目 | 1 Ohms |
| 高度 | 5.21mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 正向跨导 | 110S |
| 长度 | 16.13mm |
| 最低工作温度 | -55 °C |
未分类 PLUS247 16.13x21.34x5.21mm 16.13mm
资料中的环保标注：无铅/符合RoHs。适用声明需核对制造商文件。
本页保留型号资料，不展示推算库存或实时价格。选型时请核对制造商、完整订购后缀、数据手册版本及测试条件。