参数	值
产品	未分类
型号编码	IXTN102N65X2
说明	未分类   SOT-227B 38.23x25.42x9.6mm 38.23mm
品牌	IXYS
现货	645 [库存更新时间：1970-01-01]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	76 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.03 0hms
栅极电压Vgs	5V
最小栅阈值电压	3V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	SOT-227B
引脚数目	4
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	595 W
宽度	25.42mm
最高工作温度	+150 °C
最低工作温度	-55 °C
高度	9.6mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	38.23 x 25.42 x 9.6mm
正向跨导	82S
系列	X2-Class
正向二极管电压	1.4V
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	10.9 nF @ 25 V
典型关断延迟时间	67 ns
典型接通延迟时间	37 ns
长度	38.23mm