参数	值
产品	未分类
型号编码	IXFK120N65X2
说明	未分类   TO-264P 20.3x26.3x5.3mm 20.3mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	635 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	120 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.024 0hms
栅极电压Vgs	5V
最小栅阈值电压	2.7V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-264P
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	1250W
正向二极管电压	1.4V
封装/外壳	20.3 x 26.3 x 5.3mm
系列	HiperFET, X2-Class
高度	5.3mm
宽度	26.3mm
最高工作温度	+150 °C
每片芯片元件数目	1 Ohms
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	14 nF @ 25 V
典型关断延迟时间	82 ns
典型接通延迟时间	39 ns
长度	20.3mm
最低工作温度	-55 °C
正向跨导	76S