参数	值
产品	未分类
型号编码	IXTP8N65X2M
说明	未分类   TO-220F 10.36x16.07x4.9mm 10.36mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	645 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	4 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.55 0hms
栅极电压Vgs	5V
最小栅阈值电压	3V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220F
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	32 W
高度	4.9mm
最低工作温度	-55 °C
正向二极管电压	1.4V
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10.36 x 16.07 x 4.9mm
宽度	16.07mm
系列	X2-Class
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	800 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	53 ns
典型接通延迟时间	24 ns
长度	10.36mm
正向跨导	8S
最高工作温度	+150 °C