参数	值
产品	未分类
型号编码	IXTP12N65X2
说明	未分类   TO-220AB 10.66mm 10.66x16x4.83mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	645 [库存更新时间：2025-12-23]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	12 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.3 0hms
栅极电压Vgs	4.5V
最小栅阈值电压	2.5V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220AB
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	180W
宽度	16mm
高度	4.83mm
最低工作温度	-55 °C
长度	10.66mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向跨导	11S
正向二极管电压	1.4V
系列	X2-Class
封装/外壳	10.66 x 16 x 4.83mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	1100 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	52 ns
典型接通延迟时间	23 ns
最高工作温度	+150 °C