参数	值
产品	未分类
型号编码	IXTP4N65X2
说明	未分类   TO-220 10.3x15.9x4.7mm 10.3mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	645 [库存更新时间：2025-04-03]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	4 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.85 0hms
栅极电压Vgs	5V
最小栅阈值电压	3V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	TO-220
晶体管配置	单
引脚数目	3
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	80W
宽度	15.9mm
最高工作温度	+150 °C
最低工作温度	-55 °C
高度	4.7mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
正向跨导	4.2S
正向二极管电压	1.4V
系列	X2-Class
封装/外壳	10.3 x 15.9 x 4.7mm
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	455 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	57 ns
典型接通延迟时间	22 ns
长度	10.3mm