参数	值
产品	未分类
型号编码	IXTP62N15P
说明	未分类   TO-220 10.66x4.83x9.15mm 10.66mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	645 [库存更新时间：2025-04-06]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	62 A
漏源极电压Vds	150 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	40 m0hms
栅极电压Vgs	5.5V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	TO-220
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	350W
每片芯片元件数目	1 Ohms
高度	9.15mm
封装/外壳	10.66 x 4.83 x 9.15mm
系列	HiperFET, Polar
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	2250 pF@ 25 V
典型关断延迟时间	76 ns
典型接通延迟时间	27 ns
宽度	4.83mm
最高工作温度	+175 °C
最低工作温度	-55 °C
长度	10.66mm