参数	值
产品	未分类
型号编码	IXTY8N65X2
说明	未分类   DPAK(TO-252) 6.73x7.12x2.38mm 6.73mm
品牌	IXYS
起订量	0
最小包	0
现货	645 [库存更新时间：2025-11-26]
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	8 A
漏源极电压Vds	650 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.5 0hms
栅极电压Vgs	5V
最小栅阈值电压	3V
栅极电压Vgs	±30V
封装/外壳	DPAK (TO-252)
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
功率	150W
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+150 °C
高度	2.38mm
正向跨导	8S
系列	X2-Class
正向二极管电压	1.4V
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	800 pF @ 25 V
典型关断延迟时间	53 ns
典型接通延迟时间	24 ns
宽度	7.12mm
封装/外壳	6.73 x 7.12 x 2.38mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
长度	6.73mm