| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | IRLML6302TRPBF |
| 说明 | 通用MOSFET Micro3™/SOT-23 |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 178 [库存更新时间：2024-05-02] |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.6nC @ 4.45V |
| 栅极电压Vgs | ±12V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 97pF @ 15V |
| Pd-功率耗散(Max) | 540mW(Ta) |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 系列 | HEXFET® |
| 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min） | 2.7V,4.5V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 3.6nC @ 4.45V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 97pF @ 15V |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 600mΩ@610mA,4.5V |
| FET类型 | P-Channel |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 0.78A |
| 封装/外壳 | Micro3™/SOT-23 |
IC普拉斯 元器件现货
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