IC普拉斯 元器件现货
全国服务热线： 18923485199
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 音频放大器 | PAM8124RHR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:18W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:10 V ~ 26 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-TSSOP |
| 音频放大器 | PAM8004DR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:2.5W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 音频放大器 | PAM8013AKR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:3W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:2.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:9-uFLGA PSRR - 电源抑制比:-68dB THD + 噪声:0.17% 关闭:Shutdown 增益:18dB 工作电源电压:5V 工作电源电流(mA):5mA 电源电压-最大:5.5V 电源电压-最小:2.8V 系列:PAM8013 输出功率:3W 通道数量:1Channel 音频 - 负载阻抗:4Ohms |
| 音频放大器 | PAM8302AASCR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:2.5W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:2 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP PSRR - 电源抑制比:50dB THD + 噪声:0.45 % 关闭:Shutdown 工作电源电压:5.5V 工作电源电流(mA):4mA 湿度敏感性:Yes 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:2 V 电源类型:Single 系列:PAM8302 输出功率:2.5 W 通道数量:1Channel 音频 - 负载阻抗:4 Ohms |
| 音频放大器 | PAM8320RDR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:20W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:4.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 音频放大器 | PAM8904JER | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 电压-电源:2.3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-uFQFN裸露焊盘 |
| 音频放大器 | PAM8403DR | Diodes(达尔（美台）) | PSRR - 电源抑制比:-59dB THD + 噪声:0.15 % 关闭:Shutdown 封装/外壳:SOP-16 工作电源电压:2.5Vto5.5V 工作电源电流(mA):16mA 湿度敏感性:Yes 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:2.5 V 系列:PAM8403 输出功率:3 W 通道数量:2Channel 音频 - 负载阻抗:4 Ohms 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| 音频放大器 | IR4301MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PQFN-22L (5 X 6) FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:160W x 1 @ 4 欧姆 电压 - 电源:10 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 不同负载时的最大输出功率x通道数:160W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:10 V ~ 15 V |
| 音频放大器 | PAM8004DR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:2.5W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 音频放大器 | PAM8610TR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:10W x 2 @ 8 欧姆 电压-电源:7 V ~ 15 V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:40-WFQFN裸露焊盘 |
| 音频放大器 | PAM8904JER | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 电压-电源:2.3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-uFQFN裸露焊盘 |
| 音频放大器 | PAM8304ASR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:3W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:2.8 V ~ 6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP |
| 音频放大器 | IRS2092STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-16 FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 电压 - 电源:10 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 电压-电源:10 V ~ 18 V |
| 音频放大器 | PAM8303DBSC | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:3W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:2.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP |
| 音频放大器 | IRAUDAMP7S | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:-- 放大器类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:500W x 1 @ 8 欧姆;250W x 2 @ 4 欧姆 电压 - 电源:±45 V ~ 60 V 板类型:完全填充 使用的 IC/零件:IRFI4019H,IRS2092 所含物品:板 不同负载时的最大输出功率x通道数:500W x 1 @ 8 欧姆;250W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:±45 V ~ 60 V 使用的IC/零件:IRFI4019H,IRS2092 RoHS compliant:yes Configuration:IRS2092SPBF Product Name:Evaluation Board IRAUDAMP7S Applications:Audio |
| 音频放大器 | IRAUDAMP12 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:-- 放大器类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:130W x 2 @ 4 欧姆 电压 - 电源:±15 V ~ 31 V 板类型:完全填充 使用的 IC/零件:IR4301 所含物品:板 不同负载时的最大输出功率x通道数:130W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:±15 V ~ 31 V 使用的IC/零件:IR4301 RoHS compliant:yes Configuration:IR4301M Input Type:Split Product Name:Evaluation Board IRAUDAMP12 Applications:Audio |
| 音频放大器 | PAM8007NHR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:3.1W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-SSOP |
| 音频放大器 | PAM8908JER | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:AB 类 输出类型:2-通道(立体声)带立体声耳机 不同负载时的最大输出功率x通道数:35mW x 2 @ 16 欧姆 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-uFQFN裸露焊盘 |
| 音频放大器 | IR4312MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:QFN 7X7 44L FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:35W x 2 @ 4 欧姆 电压 - 电源:10 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 不同负载时的最大输出功率x通道数:35W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:10 V ~ 15 V |
| 音频放大器 | BA3121F-E2 | ROHM(罗姆) | FET类型:AB 类 输出类型:2 通道(立体声) 电压-电源:4 V ~ 18 V 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC CMRR - 共模抑制比:57dB PSRR - 电源抑制比:80dB 功率:0.45W SR - 转换速率:2V/us THD + 噪声:0.002 % 增益:-0.04dB 宽度:4.4mm 工作电源电压:12V 工作电源电流(mA):9mA 电源电压-最大:18 V 电源电压-最小:4 V 系列:BA3121 通道数量:2Channel 长度:5mm 音频 - 负载阻抗:55 kOhms 高度:1.50mm |
| 音频放大器 | IRS2452AM | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-VQFN-32 FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 电压 - 电源:12V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) RoHS compliant:yes Technology:HVIC Channels:2.0 Output Current (Source):500.0mA Budgetary Price €/1k:4.25 Output Current (Sink):600.0mA Supply Voltage:400.0V VCC min max:10.0V 15.0V |
| 音频放大器 | IRS2092STRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-DSO-16 FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 电压 - 电源:10 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 电压-电源:10 V ~ 18 V |
| 音频放大器 | IRS2093MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-VQFN-48 FET类型:D 类 输出类型:4-通道(四路) 电压 - 电源:10 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 电压-电源:10 V ~ 15 V |
| 音频放大器 | IRS20957STRPBF | Infineon(英飞凌) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 电压-电源:10 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:PG-DSO-16 |
| 音频放大器 | IRS20752LTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT23 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:160mA,240mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:85ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 系列:µHVIC™ 电压-电源:10 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:160mA,240mA 高压侧电压-最大值（自举）:200V |