IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 音频放大器 | BM28723MUV-DE2 | 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:32-VFQFN裸露焊盘 FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:17W x 2 @ 8 欧姆 电压 - 电源:10 V ~ 24 V | |
| 音频放大器 | MPQ7731DF-LF | 封装/外壳:20-TSSOPF-EP | |
| 音频放大器 | MPQ7731DF-LF-Z | 封装/外壳:20-TSSOPF-EP | |
| 音频放大器 | MPQ7731DF-AEC1-LF-Z | 封装/外壳:20-TSSOPF-EP | |
| 音频放大器 | MP8049SDU-LF-Z | 封装/外壳:40-QFN(5x5) | |
| 音频放大器 | MP8049SDU-LF-P | 封装/外壳:40-QFN(5x5) | |
| 音频放大器 | MP8046DF-LF | 封装/外壳:20-TSSOPF-EP | |
| 音频放大器 | MP8046DF-LF-Z | 封装/外壳:20-TSSOPF | |
| 音频放大器 | MP7782DF-LF | 封装/外壳:20-TSSOPF-EP | |
| 音频放大器 | MP7782DF-LF-Z | 封装/外壳:20-TSSOPF-EP | |
| 音频放大器 | MP7770GF | 封装/外壳:28-TSSOP-EP | |
| 音频放大器 | MP7748SGF-Z | ||
| 音频放大器 | MP7747DQ-LF-P | 封装/外壳:10-QFN(3x3) | |
| 音频放大器 | MP7770GFR | 封装/外壳:28-TSSOP-EP | |
| 音频放大器 | MP7770GFR-Z | 封装/外壳:28-TSSOP-EP | |
| 音频放大器 | MP7747DQ-LF-Z | 封装/外壳:10-QFN(3x3) 工作温度:-40°C ~ 125°C(TJ) 电压-供电:9.5V ~ 36V 类型:D 类 | |
| 音频放大器 | MP7770GF-Z | 封装/外壳:28-TSSOP-EP | |
| 音频放大器 | MP7752GF | 封装/外壳:28-TSSOP-EP | |
| 音频放大器 | MP7752GF-Z | 封装/外壳:28-TSSOP-EP | |
| 音频放大器 | MP7751GF | 封装/外壳:28-TSSOP-EP | |
| 音频放大器 | MP7751GF-Z | 封装/外壳:28-TSSOP-EP | |
| 音频放大器 | MP7748SGF | 封装/外壳:28-TSSOP-EP | |
| 音频放大器 | MP7745DF-LF | 封装/外壳:20-TSSOPF-EP | |
| 音频放大器 | MP7741DQ-LF-Z | 封装/外壳:10-QFN(3x3) | |
| 音频放大器 | MP7741DQ-LF-P | 封装/外壳:10-QFN(3x3) | |
| 音频放大器 | MP7731DF-LF | 封装/外壳:20-TSSOPF-EP | |
| 音频放大器 | MP7745DF-LF-Z | 封装/外壳:20-TSSOPF-EP | |
| 音频放大器 | MP7742DF-LF | 封装/外壳:20-TSSOPF-EP | |
| 音频放大器 | MP7742DF-LF-Z | 封装/外壳:20-TSSOPF-EP | |
| 音频放大器 | MP7740DN-LF | 封装/外壳:8-SOICE | |
| 音频放大器 | MP7722DF-LF | 封装/外壳:20-TSSOPF-EP | |
| 音频放大器 | MP7740DN-LF-Z | ||
| 音频放大器 | MP7731DF-LF-Z | 封装/外壳:20-TSSOPF | |
| 音频放大器 | MP7722DF-LF-Z | 封装/外壳:20-TSSOPF-EP | |
| 音频放大器 | MP7720DS-LF | 封装/外壳:8-SOIC | |
| 音频放大器 | MP7720DS-LF-Z | 封装/外壳:8-SOIC | |
| 音频放大器 | MP7720DP-LF | 封装/外壳:8-PDIP | |
| 音频放大器 | MP1720DQ-9-LF-Z | 封装/外壳:10-QFN(3x3) | |
| 音频放大器 | MP1720DQ-216-LF-P | 封装/外壳:10-QFN(3x3) | |
| 音频放大器 | MP1740EC-LF-Z | 封装/外壳:9-WLCSP(1.55x1.55) | |
| 音频放大器 | MP1740EC-LF-P | 封装/外壳:9-WLCSP(1.55x1.55) | |
| 音频放大器 | MP1720DQ-12-LF-P | 封装/外壳:10-QFN(3x3) | |
| 音频放大器 | MP1720DQ-12-LF-Z | 封装/外壳:10-QFN(3x3) | |
| 音频放大器 | MP1720DQ-9-LF-P | 封装/外壳:10-QFN(3x3) | |
| 音频放大器 | MP1720DQ-6-LF-Z | 封装/外壳:10-QFN(3x3) | |
| 音频放大器 | MP1720DQ-6-LF-P | 封装/外壳:10-QFN(3x3) | |
| 音频放大器 | MP1720DQ-3-LF-Z | 封装/外壳:10-QFN(3x3) | |
| 音频放大器 | MP1720DQ-3-LF-P | 封装/外壳:10-QFN(3x3) | |
| 音频放大器 | MP1720DQ-216-LF-Z | 封装/外壳:10-QFN(3x3) | |
| 音频放大器 | MP1720DH-9-LF-Z | 封装/外壳:10-MSOP-EP | |
| 音频放大器 | MP1720DH-9-LF-P | 封装/外壳:10-MSOP-EP | |
| 音频放大器 | MP1720DH-216-LF-Z | 封装/外壳:10-MSOP-EP | |
| 音频放大器 | MP1720DH-6-LF-Z | 封装/外壳:10-MSOP-EP | |
| 音频放大器 | MP1720DH-6-LF-P | 封装/外壳:10-MSOP-EP | |
| 音频放大器 | MP1720DH-3-LF-Z | 封装/外壳:10-MSOP-EP | |
| 音频放大器 | MP1720DH-3-LF-P | 封装/外壳:10-MSOP-EP | |
| 音频放大器 | MP1720DH-216-LF-P | 封装/外壳:10-MSOP-EP | |
| 音频放大器 | MP1720DH-12-LF-Z | 封装/外壳:10-MSOP-EP | |
| 音频放大器 | MP1720DH-12-LF-P | 封装/外壳:10-MSOP-EP | |
| 音频放大器 | IRS20752LTRPBF | 封装/外壳:SOT23 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:160mA,240mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:85ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 系列:µHVIC™ 电压-电源:10 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:160mA,240mA 高压侧电压-最大值（自举）:200V | |
| 音频放大器 | IRAUDPS3 | 主要用途:AC/DC,主面 输出和类型:2,非隔离 电压 - 输出:±30V 电压 - 输入:88 ~ 132 VAC,176 ~ 264 VAC 稳压器拓扑:谐振 板类型:完全填充 所含物品:板 使用的 IC/零件:IRS27952 | |
| 音频放大器 | PAM8905PZR | 封装/外壳:12-UFBGA,WLBGA | |
| 音频放大器 | PAM8904JER | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 电压-电源:2.3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-uFQFN裸露焊盘 | |
| 音频放大器 | PAM8407DR | 封装/外壳:16-SOIC | |
| 音频放大器 | PAM8009DHR | 封装/外壳:24-SOIC | |
| 音频放大器 | AZ386MTR-E1 | 封装/外壳:8-SOIC | |
| 音频放大器 | IRAUDAMP22 | 放大器类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:80W x 2 @ 4 欧姆 电压 - 电源:±12 V ~ 13.5 V 板类型:完全填充 使用的 IC/零件:IR4322 所含物品:板 系列:PowIRaudio™ 不同负载时的最大输出功率x通道数:80W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:±12 V ~ 13.5 V 使用的IC/零件:IR4322 RoHS compliant:yes Configuration:IR4322M Input Type:Split Product Name:Evaluation Board IRAUDAMP22 Applications:Audio | |
| 音频放大器 | PAM8904JER | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 电压-电源:2.3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-uFQFN裸露焊盘 | |
| 音频放大器 | PAM8403DR | PSRR - 电源抑制比:-59dB THD + 噪声:0.15 % 关闭:Shutdown 封装/外壳:SOP-16 工作电源电压:2.5Vto5.5V 工作电源电流(mA):16mA 湿度敏感性:Yes 电源电压-最大:5.5 V 电源电压-最小:2.5 V 系列:PAM8403 输出功率:3 W 通道数量:2Channel 音频 - 负载阻抗:4 Ohms 工作温度:-40°C ~ 85°C | |
| 音频放大器 | PAM8303DBSC | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:3W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:2.8 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP | |
| 音频放大器 | PAM8304ASR | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:3W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:2.8 V ~ 6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP | |
| 音频放大器 | PAM8010NHR | FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:3W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:2.5 V ~ 5.5 V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-SSOP | |
| 音频放大器 | TDA7388 | FET类型:AB 类 输出类型:4-通道(四路) 不同负载时的最大输出功率x通道数:41W x 4 @ 4 欧姆 电压-电源:8 V ~ 18 V 封装/外壳:25 Flexiwatt(成型引线) | |
| 音频放大器 | TDA7294V | FET类型:AB 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:100W x 1 @ 8 欧姆 电压-电源:±10 V ~ 40 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:Multiwatt-15(垂直,弯曲和错列引线) | |
| 音频放大器 | SAE800G | 系列:SAE800 类:Other 输出功率:450mW FET类型:ProgrammableToneGong 封装/外壳:PG-DSO-8 音频 - 负载阻抗:50Ohms 电源电压-最大:18V 电源电压-最小:2.8V 通道数量:1Channel 关闭:Shutdown 湿度敏感性:Yes 工作电源电流(mA):5mA 工作电源电压:2.8Vto18V 工作温度:-25°C ~ 125°C | |
| 音频放大器 | BD3403FV-E2 | 封装/外壳:40-SSOP 工作温度:-25°C ~ 75°C(TA) 接口:串行 电压-供电:6.5V ~ 9.5V 通道数:2 | |
| 音频放大器 | PAM8320RDR | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:20W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:4.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC | |
| 音频放大器 | IRS2093MTRPBF | 封装/外壳:PG-VQFN-48 FET类型:D 类 输出类型:4-通道(四路) 电压 - 电源:10 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 电压-电源:10 V ~ 15 V | |
| 音频放大器 | IRS20752LTRPBF | 封装/外壳:SOT23 驱动配置:高压侧 FET类型:单路 驱动器数:1 Ohms 栅极类型:N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 18 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:160mA,240mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:200V 上升/下降时间（典型值）:85ns,40ns 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 系列:µHVIC™ 电压-电源:10 V ~ 18 V 逻辑电压 -VIL，VIH:0.8V,2.2V 电流-峰值输出（灌入，拉出）:160mA,240mA 高压侧电压-最大值（自举）:200V | |
| 音频放大器 | IRS2052MTRPBF | 封装/外壳:PG-VQFN-48 FET类型:D 类 输出类型:2 通道(立体声) 电压 - 电源:10 V ~ 14 V 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 电压-电源:10 V ~ 14 V | |
| 音频放大器 | IR4301MTRPBF | 封装/外壳:PQFN-22L (5 X 6) FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:160W x 1 @ 4 欧姆 电压 - 电源:10 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TA) 不同负载时的最大输出功率x通道数:160W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:10 V ~ 15 V | |
| 音频放大器 | TDA7498ETR | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道)或 2-通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:220W x 1 @ 3 欧姆;160W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:14 V ~ 36 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:36-FSOP(0.295",7.50mm 宽)裸露焊盘 | |
| 音频放大器 | BH3547F-E2 | 不同负载时最大输出功率x通道数:77mW x 2 @ 16 欧姆 封装/外壳:8-SOIC(0.173"",4.40mm 宽) 工作温度:-25°C ~ 75°C(TA) 电压-供电:4.5V ~ 6.5V 类型:AB 类 输出类型:耳机,2-通道(立体声) | |
| 音频放大器 | BD3812F-E2 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:14-SOIC 功能:音频信号处理器 通道数:2 接口:串行 电压 - 电源:5 V ~ 7.3 V 工作温度:-20°C ~ 75°C(TA) |
| 音频放大器 | DIO2128XM10 | Dioo(帝奥微) | 封装/外壳:XM10 |
| 音频放大器 | PAM8320RDR | Diodes(达尔（美台）) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:20W x 1 @ 4 欧姆 电压-电源:4.5 V ~ 15 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 音频放大器 | BD3841FS-E2 | ROHM(罗姆) | 电压 - 电源，双（V±）:±5 V ~ 7.3 V 工作温度:-20°C ~ 75°C(TA) 封装/外壳:32-SSOP 通道数:9 电压 - 电源，单（V+）:10 V ~ 14.6 V |
| 音频放大器 | TS4621EIJT | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-WFBGA,FCBGA FET类型:G 类 输出类型:耳机,2-通道(立体声) 电压 - 电源:2.3 V ~ 4.8 V |
| 音频放大器 | TS4621EIJT | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-WFBGA,FCBGA FET类型:G 类 输出类型:耳机,2-通道(立体声) 电压 - 电源:2.3 V ~ 4.8 V |
| 音频放大器 | TDA7851L | ST(意法半导体) | FET类型:AB 类 输出类型:4-通道(四路) 不同负载时的最大输出功率x通道数:75W x 4 @ 2 欧姆 电压-电源:8 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:25 Flexiwatt(成型引线) |
| 音频放大器 | TDA7850 | ST(意法半导体) | 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:25 Flexiwatt(成型引线) FET类型:AB 类 输出类型:4-通道(四路) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:85W x 4 @ 2 欧姆 电压 - 电源:8 V ~ 18 V |
| 音频放大器 | TDA7498ETR | ST(意法半导体) | FET类型:D 类 输出类型:1-通道(单声道)或 2-通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:220W x 1 @ 3 欧姆;160W x 2 @ 4 欧姆 电压-电源:14 V ~ 36 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:36-FSOP(0.295",7.50mm 宽)裸露焊盘 |
| 音频放大器 | TDA7388 | ST(意法半导体) | FET类型:AB 类 输出类型:4-通道(四路) 不同负载时的最大输出功率x通道数:41W x 4 @ 4 欧姆 电压-电源:8 V ~ 18 V 封装/外壳:25 Flexiwatt(成型引线) |
| 音频放大器 | TDA7294V | ST(意法半导体) | FET类型:AB 类 输出类型:1-通道(单声道) 不同负载时的最大输出功率x通道数:100W x 1 @ 8 欧姆 电压-电源:±10 V ~ 40 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:Multiwatt-15(垂直,弯曲和错列引线) |
| 音频放大器 | TDA7265 | ST(意法半导体) | FET类型:AB 类 输出类型:2 通道(立体声) 不同负载时的最大输出功率x通道数:25W x 2 @ 8 欧姆 电压-电源:±5 V ~ 25 V 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:Multiwatt-11(垂直,弯曲和错列引线) |
| 音频放大器 | STA369BWSTR | ST(意法半导体) | 系列:Sound Terminal™ 功能:全集成处理器 通道数:2 接口:I²C,I²S 电压-电源:4.5 V ~ 21.5 V 工作温度:-20°C ~ 70°C(TA) 规格:全柔性放大 封装/外壳:PowerSSO-36 EPD |
| 音频放大器 | E-TDA7385 | ST(意法半导体) | 封装/外壳:25 Flexiwatt(成型引线) FET类型:AB 类 输出类型:4-通道(四路) 不同负载时的最大输出功率 x 通道数:37W x 4 @ 4 欧姆 电压 - 电源:8 V ~ 18 V |
| 音频放大器 | E-TDA7377 | ST(意法半导体) | FET类型:AB 类 输出类型:2-通道(立体声)或 4 通道(四路) 不同负载时的最大输出功率x通道数:35W x 2 @ 4 欧姆;10W x 4 @ 2 欧姆 电压-电源:8 V ~ 18 V 封装/外壳:Multiwatt-15(垂直,弯曲和错列引线) |
| 音频放大器 | TS4621EIJT | ST(意法半导体) | 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-WFBGA,FCBGA FET类型:G 类 输出类型:耳机,2-通道(立体声) 电压 - 电源:2.3 V ~ 4.8 V |
| 音频放大器 | TDA7851L | ST(意法半导体) | FET类型:AB 类 输出类型:4-通道(四路) 不同负载时的最大输出功率x通道数:75W x 4 @ 2 欧姆 电压-电源:8 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:25 Flexiwatt(成型引线) |