参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | IRL6372TRPBF |
说明 | 功率MOSFET 8-SO |
品牌 | Infineon(英飞凌) |
起订量 | 0 |
最小包 | 0 |
现货 | 190 [库存更新时间:2024-10-22] |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 10µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 11nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1020pF @ 25V |
工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
系列 | HEXFET® |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 17.9mΩ@8.1A,4.5V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 10µA |
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) | 11nC @ 4.5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) | 1020pF @ 25V |
Pd-功率耗散(Max) | 2W |
FET类型 | N-Channel |
漏源极电压Vds | 30V |
连续漏极电流Id | 8.1A |
封装/外壳 | 8-SO |