参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IRF6629TRPBF
说明	通用MOSFET   DirectFET™等容MX Direct-FET DIRECTFET™MX
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	183 [库存更新时间：2025-04-19]
系列	HEXFET®
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	29A(Ta),180A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.35V @ 100µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	51nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	4260pF @ 13V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	2.8W(Ta),100W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.1mΩ@29A,10V
工作温度	-40°C~150°C(TJ)
封装/外壳	DirectFET™ 等容 MX
封装/外壳	Direct-FET
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	25V
连续漏极电流Id	29A
漏源极电压Vds	25V
封装/外壳	DIRECTFET™ MX