参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPP120P04P4L03AKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO220-3-1 PG-TO220-3 TO-220 10x4.4x15.65mm 10mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	637 [库存更新时间：2025-04-04]
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	120A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 340µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	234nC @ 10V
栅极电压Vgs	±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	15000pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	136W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	3.4 毫欧 @ 100A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO220-3-1
封装/外壳	PG-TO220-3
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	120 A
漏源极电压Vds	40 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	5.2 m0hms
栅极电压Vgs	2.2V
最小栅阈值电压	1.2V
栅极电压Vgs	-16 V、+16 V
封装/外壳	TO-220
引脚数目	3
晶体管配置	单
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	136W
高度	15.65mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
封装/外壳	10 x 4.4 x 15.65mm
宽度	4.4mm
系列	OptiMOS P
晶体管材料	Si
漏源极电压Vds	11380 pF @ -25 V
典型关断延迟时间	85 ns
典型接通延迟时间	21 ns
最低工作温度	-55 °C
最高工作温度	+175 °C
长度	10mm