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    套件 MP34DB02TR ST(意法半导体) FET类型:MEMS(硅) 输出类型:数字,PDM 方向:全向 频率范围:20Hz ~ 20kHz 灵敏度:-26dB ±3dB @ 94dB SPL 信噪比:62.6dB 电压:1.8V 电压范围:1.64 ~ 3.6V 电流-电源:650µA 端口位置:底部 端接:焊盘 封装/外壳:0.157" 长 x 0.118" 宽(4.00mm x 3.00mm) 高度(最大值):0.043"(1.10mm) 形状:矩形
    套件 MP34DB01TR ST(意法半导体) FET类型:MEMS(硅) 输出类型:数字,PDM 方向:全向 频率范围:20Hz ~ 20kHz 灵敏度:-26dB ±3dB @ 94dB SPL 信噪比:62.6dB 电压:1.8V 电压范围:1.64 ~ 3.6V 电流-电源:650µA 端口位置:底部 端接:焊盘 封装/外壳:0.157" 长 x 0.118" 宽(4.00mm x 3.00mm) 高度(最大值):0.043"(1.10mm) 形状:矩形
    套件 MP23AB02BTR ST(意法半导体) FET类型:MEMS(硅) 输出类型:模拟 方向:全向 频率范围:20Hz ~ 20kHz 灵敏度:-38dB ±3dB @ 94dB SPL 信噪比:64dB 电压:1.8V 电压范围:1.6 ~ 3.6V 电流-电源:220µA 端口位置:底部 端接:焊盘 封装/外壳:0.132" 长 x 0.098" 宽(3.35mm x 2.50mm) 高度(最大值):0.043"(1.10mm) 形状:矩形
    套件 MP34DB02TR ST(意法半导体) FET类型:MEMS(硅) 输出类型:数字,PDM 方向:全向 频率范围:20Hz ~ 20kHz 灵敏度:-26dB ±3dB @ 94dB SPL 信噪比:62.6dB 电压:1.8V 电压范围:1.64 ~ 3.6V 电流-电源:650µA 端口位置:底部 端接:焊盘 封装/外壳:0.157" 长 x 0.118" 宽(4.00mm x 3.00mm) 高度(最大值):0.043"(1.10mm) 形状:矩形
    套件 MP33AB01HTR ST(意法半导体) FET类型:MEMS(硅) 输出类型:模拟 方向:全向 频率范围:100Hz ~ 10kHz 灵敏度:-38dB ±3dB @ 94dB SPL 信噪比:66dB 电压:2.2V 电压范围:1.5 ~ 3.6V 电流-电源:250µA 端口位置:底部 端接:焊盘 封装/外壳:0.148" 长 x 0.166" 宽(3.76mm x 2.95mm) 高度(最大值):0.043"(1.10mm) 形状:矩形
    套件 MP33AB01TR ST(意法半导体) FET类型:MEMS(硅) 输出类型:模拟 方向:全向 频率范围:100Hz ~ 10kHz 灵敏度:-38dB ±3dB @ 94dB SPL 信噪比:63dB 电压:2.2V 电压范围:1.5 ~ 3.6V 电流-电源:250µA 端口位置:底部 端接:焊盘 封装/外壳:0.148" 长 x 0.166" 宽(3.76mm x 2.95mm) 高度(最大值):0.043"(1.10mm) 形状:矩形 密封等级:无

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