参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPB180P04P4L02ATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO263-7 D2PAK PG-TO263-7-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	634 [库存更新时间：2025-04-03]
系列	OptiMOS™
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	180A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 410µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	286nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	18700pF @ 25V
栅极电压Vgs	±16V
Pd-功率耗散(Max)	150W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.4mΩ@100A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263-7
封装/外壳	D2PAK
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	40V
连续漏极电流Id	180A
漏源极电压Vds	40V
封装/外壳	PG-TO263-7-3