参数	值
产品	IGBT
型号编码	IGB30N60H3ATMA1
说明	IGBT   PG-TO263-3 PG-TO263-3 D2PAK(TO-263) 10.31mm 10.31x9.45x4.57mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	642 [库存更新时间：2025-04-02]
IGBT 类型	沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）	600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	60A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)	120A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）	2.4V @ 15V,30A
功率	187W
开关能量	1.17mJ
输入类型	标准
25°C 时 Td（开/关）值	18ns/207ns
测试条件	400V,30A,10.5 欧姆,15V
工作温度	-40°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263-3
封装/外壳	PG-TO263-3
最大连续集电极电流	30 A
最大集电极-发射极电压	600 V
栅极电压Vgs	±20V
功率	187 W
封装/外壳	D2PAK (TO-263)
FET类型	N-Channel
引脚数目	3+Tab
晶体管配置	单
长度	10.31mm
宽度	9.45mm
高度	4.57mm
封装/外壳	10.31 x 9.45 x 4.57mm
最高工作温度	+175 °C
最低工作温度	-40 °C
栅极电容	1630pF
额定能量	1.55mJ