参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	IPT004N03LATMA1
说明	通用MOSFET   PG-HSOF-8-1 PG-HSOF-8 HSOF 10.1x10.58x2.4mm 10.1mm
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	640 [库存更新时间：2025-04-17]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	300A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	163nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	24000pF @ 15V
Pd-功率耗散(Max)	3.8W(Ta),300W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.4 毫欧 @ 150A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-HSOF-8-1
封装/外壳	PG-HSOF-8
FET类型	N-Channel
连续漏极电流Id	300 A
漏源极电压Vds	30 V
Rds On(Max)@Id,Vgs	500 μ0hms
栅极电压Vgs	2.2V
最小栅阈值电压	0.7V
栅极电压Vgs	-20 V、+20 V
封装/外壳	HSOF
引脚数目	8+Tab
FET类型	增强
类别	功率 MOSFET
Pd-功率耗散(Max)	300W
正向跨导	320S
正向二极管电压	1V
最低工作温度	-55 °C
封装/外壳	10.1 x 10.58 x 2.4mm
每片芯片元件数目	1 Ohms
宽度	10.58mm
系列	OptiMOS
漏源极电压Vds	18000 pF @ 15 V
典型关断延迟时间	149 ns
典型接通延迟时间	30 ns
最高工作温度	+150 °C
高度	2.4mm
长度	10.1mm