IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用芯片 | MAX16928AGUP/V+ | MAXIM(美信) | 系列:汽车级,AEC-Q100 电流-电源:1.5mA 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:20-TSSOP-EP 封装/外壳:Tube |
| 通用芯片 | MAX16928BGUP/V+ | MAXIM(美信) | 系列:汽车级,AEC-Q100 电流-电源:1.5mA 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:20-TSSOP-EP |
| 通用芯片 | BH33RB1WGUT-E2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入（最大值）:5.5V 电压 - 输出（最小值/固定）:3.3V 压降（最大值）:0.15V @ 100mA 电流 - 输出:150mA 电流 - 静态（Iq):72µA PSRR:63dB(1kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-WFBGA,CSPBGA |
| 通用芯片 | BH25RB1WGUT-E2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入（最大值）:5.5V 电压 - 输出（最小值/固定）:2.5V 压降（最大值）:0.15V @ 100mA 电流 - 输出:150mA 电流 - 静态（Iq):72µA PSRR:63dB(1kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-WFBGA,CSPBGA |
| 通用芯片 | BH18RB1WGUT-E2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入（最大值）:5.5V 电压 - 输出（最小值/固定）:1.8V 电流 - 输出:150mA 电流 - 静态（Iq):72µA PSRR:63dB(1kHz) 控制特性:使能 保护功能:过流,超温 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:4-WFBGA,CSPBGA |
| 通用芯片 | BDJ0GC0MEFJ-ME2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入（最大值）:14V 电压 - 输出（最小值/固定）:10V 压降（最大值）:1.2V @ 1A 电流 - 输出:1A 电流 - 静态（Iq):0.6mA 电流 - 电源（最大值）:900µA 控制特性:使能 保护功能:过流,超温,软启动 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 通用芯片 | BDJ0GC0MEFJ-LBH2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入（最大值）:14V 电压 - 输出（最小值/固定）:10V 压降（最大值）:1.2V @ 1A 电流 - 输出:1A 电流 - 电源（最大值）:1.2mA 控制特性:使能 保护功能:过流,超温,软启动 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 通用芯片 | BD9E104FJ-E2 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SOP-J8 输出电压:1 V to 13 V 输出电流:1 A 工作温度:-40°C ~ 85°C |
| 通用芯片 | BD9488F-GE2 | ROHM(罗姆) | FET类型:DC DC 控制器 拓扑:升压 内部开关:无 输出数:1 Ohms 电压 - 供电（最低）:9V 电压 - 供电（最高）:18V 频率:150kHz 调光:模拟,PWM 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:18-SOIC |
| 通用芯片 | BD9486F-GE2 | ROHM(罗姆) | FET类型:DC DC 控制器 拓扑:升压 内部开关:无 输出数:1 Ohms 电压 - 供电（最低）:9V 电压 - 供电（最高）:18V 频率:150kHz 调光:模拟,PWM 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC |
| 通用芯片 | BD9470AFM-GE2 | ROHM(罗姆) | FET类型:DC DC 稳压器 拓扑:升压 内部开关:是 输出数:6 电压 - 供电（最低）:9V 电压 - 供电（最高）:35V 电流 - 输出/通道:250mA 频率:150kHz 调光:PWM 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:28-SOP |
| 通用芯片 | BD9422EFV-E2 | ROHM(罗姆) | FET类型:DC DC 稳压器 拓扑:升压 内部开关:是 输出数:6 电压 - 供电（最低）:9V 电压 - 供电（最高）:35V 电流 - 输出/通道:400mA 频率:500kHz 调光:模拟,PWM 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:40-VSSOP |
| 通用芯片 | BD9285F-GE2 | ROHM(罗姆) | FET类型:DC DC 控制器 拓扑:升压 内部开关:无 输出数:1 Ohms 电压 - 供电（最低）:9V 电压 - 供电（最高）:18V 频率:150kHz 调光:模拟,PWM 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:18-SOIC |
| 通用芯片 | BD90640EFJ-CE2 | ROHM(罗姆) | 关闭:Shutdown 工作电源电流(mA):2.2mA 开关频率:50kHzto600kHz 拓扑结构:Buck 最大输入电压:36V 最小输入电压:3.5V 输入电压:13.2V 输出电压:0.8 V to 36 V 输出电流:4 A 输出端数量:1Output 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| 通用芯片 | BD90620EFJ-CE2 | ROHM(罗姆) | 关闭:Shutdown 封装/外壳:HTSOP-J-8 工作电源电流(mA):2.2mA 开关频率:50kHzto600kHz 拓扑结构:Buck 最大输入电压:36V 最小输入电压:3.5V 输入电压:13.2V 输出电压:0.8 V to 36 V 输出电流:2.5 A 输出端数量:1Output 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| 通用芯片 | BD8379FV-ME2 | ROHM(罗姆) | 功率:0.94W 宽度:4.4mm 封装/外壳:SSOP-B-20 工作频率:1.25 MHz 电源电流—最大值:1 mA 输入电压:3 V to 5.5 V 输出电流:50 mA 通道数量:12 Channel 长度:6.5mm 高度:1.15mm 工作温度:-40°C ~ 105°C |
| 通用芯片 | BD8378FV-ME2 | ROHM(罗姆) | 功率:0.87W 宽度:4.4mm 封装/外壳:SSOP-B-16 工作频率:1.25 MHz 电源电流—最大值:1 mA 输入电压:3 V to 5.5 V 输出电流:50 mA 输出类型:OpenDrain 通道数量:8 Channel 长度:5mm 高度:1.15mm 工作温度:-40°C ~ 105°C |
| 通用芯片 | BD83733HFP-MTR | ROHM(罗姆) | 功率:2.29W 宽度:9.395mm 封装/外壳:HRP-7 工作频率:100 Hz to 5000 Hz 电源电流—最大值:6 mA 系列:BD83733HFP-M 输入电压:4.5 V to 42 V 输出电流:500 mA 输出类型:ConstantCurrent 通道数量:1 Channel 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| 通用芯片 | BD8374EFJ-ME2 | ROHM(罗姆) | 功率:1.1W 宽度:3.9mm 封装/外壳:HTSOP-J-8 工作频率:100 Hz to 5 kHz 电源电流—最大值:6 mA 输入电压:4.5 V to 42 V 输出电流:383 mA 通道数量:1 Channel 长度:4.9mm 高度:1mm 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| 通用芯片 | BD83740HFP-MTR | ROHM(罗姆) | |
| 通用芯片 | BD8160AEFV-E2 | ROHM(罗姆) | 电流 - 电源:5mA 电压 - 电源:8 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:28-SOIC |
| 通用芯片 | BD8372HFP-MTR | ROHM(罗姆) | 功率:2.3W 低电平输出电流:5mA 宽度:9.017mm 封装/外壳:HRP-7 电源电流—最大值:5 mA 输入电压:13 V 输出电流:200 mA 通道数量:1 Channel 长度:9.395mm 高度:1.905mm 高电平输出电流:50mA 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| 通用芯片 | BD82029FVJ-GE2 | ROHM(罗姆) | 电压 - 负载:4.5 V ~ 5.5 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:600mA 导通电阻（典型值）:72 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP 开关类型:USB 开关 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 |
| 通用芯片 | BD555BKFV-E2 | ROHM(罗姆) | 频率:40 kHz ~ 400 kHz 调光:模拟,PWM,TRIAC 工作温度:-40°C ~ 110°C(TA) 封装/外壳:14-LSSOP FET类型:交直流离线开关 拓扑:降压(降压) 内部开关:无 输出数:1 Ohms 电压 - 供电（最低）:16V 电压 - 供电（最高）:39V |
| 通用芯片 | BD5340FVE-TR | ROHM(罗姆) | FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:推挽式,图腾柱 复位:低有效 电压 - 阈值:4V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) 封装/外壳:SOT-665 |
| 通用芯片 | BD52E40G-TR | ROHM(罗姆) | |
| 通用芯片 | BD52E39G-TR | ROHM(罗姆) | |
| 通用芯片 | BD52E33G-MTR | ROHM(罗姆) | |
| 通用芯片 | BD50HC5WEFJ-E2 | ROHM(罗姆) | 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC 稳压器拓扑:正,固定式 电压 - 输出:5V 电流 - 输出:1.5A 电压 - 跌落（典型值）:0.6V @ 1.5A 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入:最高 8V |
| 通用芯片 | BD50GA3WNUX-TR | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入（最大值）:14V 电压 - 输出（最小值/固定）:5V 压降（最大值）:0.9V @ 300mA 电流 - 输出:300mA 电流 - 电源（最大值）:900µA 控制特性:使能 保护功能:过流,超温,软启动 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-uFDFN裸露焊盘 |
| 通用芯片 | BD4728G-TR | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 电压 - 阈值:2.8V 工作温度:-40°C ~ 75°C(TA) |
| 通用芯片 | BD45295G-TR | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:SC-74A,SOT-753 FET类型:简单复位/加电复位 受监控电压数:1 Ohms 输出:开路漏极或开路集电极 复位:低有效 复位超时:最小为 45 ms 电压 - 阈值:2.9V 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA) |
| 通用芯片 | BD3775AF-E2 | ROHM(罗姆) | |
| 通用芯片 | BD33GC0MEFJ-ME2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 输出类型:固定 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入（最大值）:14V 电压 - 输出（最小值/固定）:3.3V 压降（最大值）:1.2V @ 1A 电流 - 输出:1A 电流 - 静态（Iq):0.6mA 电流 - 电源（最大值）:900µA 控制特性:使能 保护功能:过流,超温,软启动 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 通用芯片 | BD2200GUL-E2 | ROHM(罗姆) | 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:500mA 导通电阻（典型值）:100 毫欧 输入类型:非反相 工作温度:-25°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-uFBGA,CSPBGA |
| 通用芯片 | BD1754HFN-TR | ROHM(罗姆) | 电压 - 输出:0.2 V ~ 4.1 V 电流 - 输出/通道:32mA 调光:多阶 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-UDFN裸露焊盘 FET类型:线性 内部开关:是 输出数:4 电压 - 供电（最低）:2.7V 电压 - 供电（最高）:5.5V |
| 通用芯片 | BD18340FV-ME2 | ROHM(罗姆) | 宽度:4.4mm 工作频率:100 Hz to 5 kHz 电源电流—最大值:5 mA 输入电压:13 V 通道数量:1 Channel 长度:5mm 高度:1.15mm 工作温度:-40°C ~ 125°C |
| 通用芯片 | BD00HC0WEFJ-E2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 输出类型:可调式 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入（最大值）:8V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:7V 压降（最大值）:0.92V @ 1A 电流 - 输出:1A 电流 - 静态（Iq):0.6mA 电流 - 电源（最大值）:900µA 控制特性:使能 保护功能:过流,超温,软启动 工作温度:-25°C ~ 85°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 通用芯片 | BD00GC0MEFJ-ME2 | ROHM(罗姆) | 输出配置:正 输出类型:可调式 稳压器数:1 Ohms 电压 - 输入（最大值）:14V 电压 - 输出（最小值/固定）:1.5V 电压 - 输出（最大值）:13V 压降（最大值）:1.2V @ 1A 电流 - 输出:1A 电流 - 静态（Iq):0.6mA 电流 - 电源（最大值）:900µA 控制特性:使能 保护功能:过流,超温,软启动 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:8-SOIC |
| 通用芯片 | MAX1621EEE+T | MAXIM(美信) | 电流-电源:150µA 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP |
| 通用芯片 | MAX16928DGUP/V+T | MAXIM(美信) | 系列:汽车级,AEC-Q100 电流-电源:750mA 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:20-TSSOP-EP |
| 通用芯片 | MAX1620EEE+T | MAXIM(美信) | 电流-电源:150µA 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:16-QSOP |
| 通用芯片 | MAX16928DGUP/V+ | MAXIM(美信) | 系列:汽车级,AEC-Q100 电流-电源:750mA 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:20-TSSOP-EP |
| 通用芯片 | MAX16928CGUP/V+ | MAXIM(美信) | 系列:汽车级,AEC-Q100 电流-电源:750mA 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:20-TSSOP-EP |
| 通用芯片 | MAX749CPA+ | MAXIM(美信) | 电流-电源:60µA 电压-电源:2 V ~ 6 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:8-PDIP |
| 通用芯片 | BD26503GUL-E2 | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-uFBGA,CSPBGA 显示类型:LED 配置:点阵 接口:I²C,SPI 电流 - 电源:2mA 电压 - 电源:2.7 V ~ 5.5 V |
| 通用芯片 | MAX16928BGUP/V+T | MAXIM(美信) | 系列:汽车级,AEC-Q100 电流-电源:1.5mA 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:20-TSSOP-EP |
| 通用芯片 | MAX16928AGUP/V+T | MAXIM(美信) | 系列:汽车级,AEC-Q100 电流-电源:1.5mA 电压-电源:3 V ~ 5.5 V 工作温度:-40°C ~ 105°C 封装/外壳:20-TSSOP-EP |
| 通用芯片 | SEA05TR | ST(意法半导体) | 电流-电源:200µA 电压-电源:3.5 V ~ 36 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23-6 |
| 通用芯片 | BD9206EFV-E2 | ROHM(罗姆) | 电压 - 输出:5V 电流 - 输出/通道:20mA 调光:PWM 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:20-VSSOP FET类型:线性 输出数:6 电压 - 供电（最低）:8V 电压 - 供电（最高）:30V |
| 通用芯片 | BU26507GUL-E2 | ROHM(罗姆) | 工作温度:-40°C~85°C(TA) 内部开关:是 电压-?供电(最高):5.5V 频率:1.2MHz 封装/外壳:VCSP50L2 电流-输出/通道:42.5mA 输出数:6 调光:I?C 电压-供电(最低):2.7V |
| 通用芯片 | BD555BKFV-E2 | ROHM(罗姆) | 频率:40 kHz ~ 400 kHz 调光:模拟,PWM,TRIAC 工作温度:-40°C ~ 110°C(TA) 封装/外壳:14-LSSOP FET类型:交直流离线开关 拓扑:降压(降压) 内部开关:无 输出数:1 Ohms 电压 - 供电（最低）:16V 电压 - 供电（最高）:39V |
| 通用芯片 | BD6586MUV-E2 | ROHM(罗姆) | 电流 - 输出/通道:25mA 频率:1MHz 调光:模拟,PWM 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-VFQFN裸露焊盘 FET类型:DC DC 稳压器 拓扑:升压(升压) 内部开关:是 输出数:4 电压 - 供电（最低）:2.7V 电压 - 供电（最高）:5.5V |
| 通用芯片 | BD9207FPS-E2 | ROHM(罗姆) | 电流 - 输出/通道:1.5A(开关) 频率:900kHz 工作温度:-20°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:TO-252-5,DPak(4引线+接片),TO-252AD FET类型:DC DC 稳压器 拓扑:降压(降压) 内部开关:是 输出数:1 Ohms 电压 - 供电（最低）:8V 电压 - 供电（最高）:35V |
| 通用芯片 | BD45401G-STR | ROHM(罗姆) | |
| 通用芯片 | BD6142AMUV-E2 | ROHM(罗姆) | 电压 - 输出:41V 电流 - 输出/通道:30mA 频率:1.25MHz 调光:PWM 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:24-VFQFN裸露焊盘 FET类型:DC DC 稳压器 拓扑:升压(升压) 内部开关:是 输出数:8 电压 - 供电（最低）:4.2V 电压 - 供电（最高）:27V |
| 通用芯片 | BD6072HFN-TR | ROHM(罗姆) | 电压 - 输出:18V 电流 - 输出/通道:35mA 频率:1MHz 调光:PWM 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-UDFN裸露焊盘 FET类型:DC DC 稳压器 拓扑:升压(升压) 内部开关:是 输出数:1 Ohms 电压 - 供电（最低）:2.7V 电压 - 供电（最高）:5.5V |
| 通用芯片 | SEA05LTR | ST(意法半导体) | 电流-电源:200µA 电压-电源:3.5 V ~ 36 V 工作温度:-25°C ~ 125°C 封装/外壳:SOT-23-6 |
| 通用芯片 | BD1754HFN-TR | ROHM(罗姆) | 电压 - 输出:0.2 V ~ 4.1 V 电流 - 输出/通道:32mA 调光:多阶 工作温度:-30°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-UDFN裸露焊盘 FET类型:线性 内部开关:是 输出数:4 电压 - 供电（最低）:2.7V 电压 - 供电（最高）:5.5V |
| 通用芯片 | TLE8888QKXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源:4 V ~ 28 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-LQFP-100 封装/外壳:PG-LQFP-100 |
| 通用芯片 | TLE8886TNAKSA2 | Infineon(英飞凌) | |
| 通用芯片 | TLE88881QKXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源:4 V ~ 28 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-LQFP-100 封装/外壳:PG-LQFP-100 |
| 通用芯片 | TLE8886TN2AKSA2 | Infineon(英飞凌) | |
| 通用芯片 | TLE88882QKXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-LQFP-100 |
| 通用芯片 | TLE8886TNAKSA1 | Infineon(英飞凌) | |
| 通用芯片 | TLE8886TN2AKSA1 | Infineon(英飞凌) | |
| 通用芯片 | TLE8088EMXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源:6 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-SSOP-24 封装/外壳:PG-SSOP-24 |
| 通用芯片 | TLE8080EMXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源:6 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-SSOP-24 封装/外壳:PG-SSOP-24 |
| 通用芯片 | TLE80802EMXUMA1 | Infineon(英飞凌) | 电压 - 电源:6 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-SSOP-24 封装/外壳:PG-SSOP-24 |
| 通用芯片 | TLE7368EXUMA3 | Infineon(英飞凌) | 电压 - 输入:4.5 V ~ 45 V 输出数:3 电压 - 输出:5V,3.3V/2.6V,1.3V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-DSO-36 封装/外壳:PG-DSO-36 |
| 通用芯片 | TLE73683EXUMA2 | Infineon(英飞凌) | 电压 - 输入:4.5 V ~ 45 V 输出数:3 电压 - 输出:5V,3.3V/2.6V,1.3V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-DSO-36 封装/外壳:PG-DSO-36 |
| 通用芯片 | TLE73682EXUMA2 | Infineon(英飞凌) | 电压 - 输入:4.5 V ~ 45 V 输出数:3 电压 - 输出:5V,3.3V/2.6V,1.2V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-DSO-36 封装/外壳:PG-DSO-36 |
| 通用芯片 | TLE7368-3E | Infineon(英飞凌) | 电压 - 输入:4.5 V ~ 45 V 输出数:3 电压 - 输出:5V,3.3V/2.6V,1.3V 工作温度:-40°C ~ 150°C 封装/外壳:PG-DSO-36 RoHS compliant:yes Moisture Level:3 Budgetary Price €/1k:2.66 IQ max:2500.0mA Reset:yes Iq:120.0µA Mounting:SMT Inhibit:Y Regulator Type:DC/DC->Multiple output IQ max:2500.0 mA Watchdog:yes Protect:Y Tolerance:2% Comments:selectable StandBy-Vreg (1.0/2.6V) and 2 voltage trackers (5V) VQ (multiple):5.0 V, 3.3/2.6 V, 1.3 V, 1.0/2.6 V |
| 通用芯片 | IRS25751LTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:SOT23 电压 - 电源:0 V ~ 480 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 系列:µHVIC™ 电压-电源:0 V ~ 480 V |
| 通用芯片 | IR35217MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:QFN 7X7 56L |
| 通用芯片 | IR35215MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:QFN 5X5 40L |
| 通用芯片 | IR35221MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:QFN 5X5 40L |
| 通用芯片 | IR3521MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 电流 - 电源:10mA 电压 - 电源:4.75 V ~ 7.5 V 工作温度:0°C ~ 100°C 封装/外壳:MLPQ 5X5 32L |
| 通用芯片 | IR35212MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:QFN 6X6 48L |
| 通用芯片 | IR35204MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:QFN5X540L 电压 - 电源:3.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压-电源:3.3V Moisture Level:2 Configuration:3 + 1 Multiphase Technology:DCIC Qualification:Industrial Budgetary Price €/1k:2.16 Switching Frequency min max:194.0kHz 2000.0kHz Interfaces:I2C, SMBus, PMBus OverClocking:Yes Processor Type:CPU Phases:4.0 Voltage Outputs:2.0 |
| 通用芯片 | IR35203MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:QFN6X648L 电压 - 电源:3.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C RoHS compliant:yes Moisture Level:2 Configuration:6 + 1 Multiphase Technology:DCIC Qualification:Industrial Budgetary Price €/1k:2.24 Switching Frequency min max:194.0kHz 2000.0kHz Moisture Sensitivity Level:2 Interfaces:I2C, PMBus, SMBus OverClocking:Yes Processor Type:CPU Auto-PSI/DPC:Yes Phases:7.0 VGD:Yes |
| 通用芯片 | IR35201MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:QFN7X756L 电压 - 电源:3.3V 工作温度:-40°C ~ 85°C 电压-电源:3.3V Moisture Level:2 Configuration:6 + 2 Multiphase Technology:DCIC Qualification:Industrial Budgetary Price €/1k:2.46 Switching Frequency min max:194.0kHz 2000.0kHz Interfaces:I2C, PMBus, SMBus OverClocking:Yes Processor Type:CPU Phases:8.0 |
| 通用芯片 | IR3505ZMTRPBF | Infineon(英飞凌) | 系列:XPhase3™ 电流-电源:3mA 电压-电源:8 V ~ 16 V 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:16-MLPQ 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:16-MLPQ(3x3) |
| 通用芯片 | IR3505MTRPBF | Infineon(英飞凌) | 系列:XPhase3™ 电流-电源:3mA 电压-电源:8 V ~ 16 V 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:16-MLPQ 封装/外壳:16-VFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:16-MLPQ(3x3) |
| 通用芯片 | IR3088AMTRPBF | Infineon(英飞凌) | 系列:XPhase™ 电流-电源:10mA 电压-电源:8.4 V ~ 14 V 工作温度:0°C ~ 125°C 封装/外壳:20-MLPQ 封装/外壳:20-VFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:20-MLPQ(4x4) |
| 通用芯片 | TLE8886TN2 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO220-5 |
| 通用芯片 | TLE8886TN | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO220-5 |
| 通用芯片 | IR3082AMTRPBF | Infineon(英飞凌) | 系列:XPhase™ 电流-电源:12mA 电压-电源:8.05 V ~ 16 V 工作温度:0°C ~ 100°C 封装/外壳:20-MLPQ 封装/外壳:20-VQFN 裸露焊盘 封装/外壳:20-MLPQ(5x5) |
| 通用芯片 | IR3081AMTRPBF | Infineon(英飞凌) | 系列:XPhase™ 电流-电源:11mA 电压-电源:9.5 V ~ 14 V 工作温度:0°C ~ 100°C 封装/外壳:28-MLPQ 封装/外壳:28-VFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:28-MLPQ(5x5) |
| 通用芯片 | IR2304 | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.3V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:60mA,130mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:200ns,100ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PDIP8 |
| 通用芯片 | IR2302S | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:130ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC8N |
| 通用芯片 | IR2302 | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:同步 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:130ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PDIP8 |
| 通用芯片 | IR2235S | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:90ns,40ns 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:SOIC28W |
| 通用芯片 | IR2301 | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:5 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2.9V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:200mA,350mA 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:600V 上升/下降时间（典型值）:130ns,50ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PDIP8 |
| 通用芯片 | IR2238Q | Infineon(英飞凌) | 电机类型 - AC，DC:AC,同步 功能:控制器 - 换向,方向管理 输出配置:前置驱动器 - 半桥(3) 接口:并联 电压 - 电源:12.5 V ~ 20 V 工作温度:-20°C ~ 115°C(TA) 封装/外壳:MQFP-64L |
| 通用芯片 | IR2235J | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:90ns,40ns 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:PLCC44 |
| 通用芯片 | IR2235 | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:90ns,40ns 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:PDIP28 |
| 通用芯片 | IR2233S | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:90ns,40ns 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:SOIC28W |
| 通用芯片 | IR2233J | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:3 相 驱动器数:6 栅极类型:IGBT,N 沟道 MOSFET 电压 - 电源:10 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:250mA,500mA 输入类型:反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:90ns,40ns 工作温度:125°C(TJ) 封装/外壳:PLCC44 |
| 通用芯片 | IR2214SS | Infineon(英飞凌) | 驱动配置:半桥 FET类型:独立式 驱动器数:2 栅极类型:IGBT 电压 - 电源:11.5 V ~ 20 V 逻辑电压 - VIL，VIH:0.8V,2V 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A,3A 输入类型:非反相 高压侧电压 - 最大值（自举）:1200V 上升/下降时间（典型值）:24ns,7ns 工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:SSOP24 |