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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | LAXP2-8E-5MN132ETR | Lattice(莱迪思) | |
| 集成电路(芯片) | ICE65L01F-TCS36I | Lattice(莱迪思) | 系列:iCE65™ L LAB/CLB数:160 逻辑元件/单元数:1280 总RAM位数:65536 I/O数:25 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:36-WLCSP |
| 集成电路(芯片) | ICE5LP4K-SG48ITR50 | Lattice(莱迪思) | 系列:ICE40 Ultra™ LAB/CLB数:440 逻辑元件/单元数:3520 总RAM位数:81920 I/O数:39 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:48-QFN(7x7) |
| 集成电路(芯片) | ISPPAC-POWR1014-01TN48I | Lattice(莱迪思) | 系列:ispPAC® 电压-输入:-0.3 V ~ 5.9 V 电压-电源:2.8 V ~ 3.96 V 电流-电源:20mA 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:48-TQFP(7x7) |
| 振荡器 | ISPPAC-CLK5610AV-01TN48C | Lattice(莱迪思) | 工作温度:0°C ~ 70°C |
| 集成电路(芯片) | ICE40HX1K-TQ144 | Lattice(莱迪思) | 系列:HX LAB/CLB数:160 逻辑元件/单元数:1280 总RAM位数:65536 I/O数:96 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:144-TQFP(20x20) |
| 评估板 | ICE5LP4K-USBC-EVN | Lattice(莱迪思) | 系列:ICE40 Ultra™ FET类型:FPGA 配套使用产品/相关产品:iCE5LP 内容:板 |
| 集成电路(芯片) | ICE5LP4K-CM36ITR50 | Lattice(莱迪思) | 系列:ICE40 Ultra™ LAB/CLB数:440 逻辑元件/单元数:3520 总RAM位数:81920 I/O数:26 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:36-BGA(2.5x2.5) |
| 集成电路(芯片) | ICE65L08F-LCB196I | Lattice(莱迪思) | 系列:iCE65™ L LAB/CLB数:960 逻辑元件/单元数:7680 总RAM位数:131072 I/O数:150 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:196-CSPBGA(8x8) |
| 熔断器夹具 | ICESABFT256-01 | Lattice(莱迪思) | 系列:iCE40™ 模块/板类型:BGA 插座模块 配套使用产品/相关产品:ICEPROGM1050-01 iCEprog 桌面编程器 |
| 集成电路(芯片) | ICE65L08F-TCC72I | Lattice(莱迪思) | 系列:iCE65™ L LAB/CLB数:960 逻辑元件/单元数:7680 总RAM位数:131072 I/O数:55 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:72-WLCSP |
| 集成电路(芯片) | LAMXO640C-3TN144E | Lattice(莱迪思) | 系列:LA-MachXO 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:4.9ns 电源电压-内部:1.71 V ~ 3.465 V 宏单元数:320 I/O数:113 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:144-TQFP(20x20) |
| 集成电路(芯片) | ICE65L01F-TCB121I | Lattice(莱迪思) | 系列:iCE65™ L LAB/CLB数:160 逻辑元件/单元数:1280 总RAM位数:65536 I/O数:92 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:121-CSPBGA(6x6) |
| 振荡器 | ISPPAC-CLK5610AV-01TN48C | Lattice(莱迪思) | 工作温度:0°C ~ 70°C |
| 软件，服务 | DS-ETH-ST-U1 | Lattice(莱迪思) | 系列:LatticeCORE™ FET类型:许可证 配套使用产品/相关产品:Lattice 可编程产品 媒体分发类型:电子方式交付 |
| 集成电路(芯片) | ICE40HX4K-TQ144 | Lattice(莱迪思) | 系列:HX LAB/CLB数:440 逻辑元件/单元数:3520 总RAM位数:81920 I/O数:107 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:144-TQFP(20x20) |
| 集成电路(芯片) | ICE40LP384-SG32 | Lattice(莱迪思) | 系列:LP LAB/CLB数:48 逻辑元件/单元数:384 I/O数:21 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:32-QFN(5x5) |
| 集成电路(芯片) | ICE65P04F-TCB196C | Lattice(莱迪思) | 系列:iCE65™ P LAB/CLB数:440 逻辑元件/单元数:3520 总RAM位数:81920 I/O数:148 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:196-CSPBGA(8x8) |
| 集成电路(芯片) | LA4032V-75TN48E | Lattice(莱迪思) | 系列:LA-ispMACH 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:7.5ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V I/O数:32 工作温度:-40°C ~ 125°C(TA) 封装/外壳:48-TQFP(7x7) |
| 集成电路(芯片) | LC4032V-5TN48C | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:5.0ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:2 I/O数:32 工作温度:0°C ~ 90°C(TJ) 封装/外壳:48-TQFP(7x7) |
| 集成电路(芯片) | LC4064V-25TN44C | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:2.5ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:4 宏单元数:64 I/O数:30 工作温度:0°C ~ 90°C(TJ) 封装/外壳:44-TQFP(10x10) |
| 集成电路(芯片) | LC4064ZC-5MN56C | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000Z 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:5.0ns 电源电压-内部:1.7 V ~ 1.9 V 逻辑元件/块数:4 宏单元数:64 I/O数:32 工作温度:0°C ~ 90°C(TJ) 封装/外壳:56-CSBGA(6x6) |
| 集成电路(芯片) | LC4064ZC-5TN48I | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000Z 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:5.0ns 电源电压-内部:1.7 V ~ 1.9 V 逻辑元件/块数:4 宏单元数:64 I/O数:32 工作温度:-40°C ~ 105°C(TJ) 封装/外壳:48-TQFP(7x7) |
| 集成电路(芯片) | LC4032ZE-7MN64C | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000ZE 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:7.5ns 电源电压-内部:1.7 V ~ 1.9 V 逻辑元件/块数:2 I/O数:32 工作温度:0°C ~ 90°C(TJ) 封装/外壳:64-CSPBGA(5x5) |
| 集成电路(芯片) | LC4064V-10TN44I | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:10.0ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:4 宏单元数:64 I/O数:30 工作温度:-40°C ~ 105°C(TJ) 封装/外壳:44-TQFP(10x10) |
| 集成电路(芯片) | LC4064V-25TN48C | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:2.5ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:4 宏单元数:64 I/O数:32 工作温度:0°C ~ 90°C(TJ) 封装/外壳:48-TQFP(7x7) |
| 集成电路(芯片) | LC4128V-75TN100E | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:7.5ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:8 宏单元数:128 I/O数:64 工作温度:-40°C ~ 130°C(TJ) 封装/外壳:100-TQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LC4032ZE-5MN64I | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000ZE 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:5.8ns 电源电压-内部:1.7 V ~ 1.9 V 逻辑元件/块数:2 I/O数:32 工作温度:-40°C ~ 105°C(TJ) 封装/外壳:64-CSPBGA(5x5) |
| 集成电路(芯片) | LC4128V-75TN100I | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:7.5ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:8 宏单元数:128 I/O数:64 工作温度:-40°C ~ 105°C(TJ) 封装/外壳:100-TQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LC4064ZC-5TN100C | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000Z 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:5.0ns 电源电压-内部:1.7 V ~ 1.9 V 逻辑元件/块数:4 I/O数:64 工作温度:0°C ~ 90°C(TJ) 封装/外壳:100-TQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LC4256V-3TN144C | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:3.0ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:16 宏单元数:256 I/O数:96 工作温度:0°C ~ 90°C(TJ) 封装/外壳:144-TQFP(20x20) |
| 集成电路(芯片) | LC4064V-75TN48E | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:7.5ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:4 宏单元数:64 I/O数:32 工作温度:-40°C ~ 130°C(TJ) 封装/外壳:48-TQFP(7x7) |
| 集成电路(芯片) | LC4064V-75TN48C | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:7.5ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:4 宏单元数:64 I/O数:32 工作温度:0°C ~ 90°C(TJ) 封装/外壳:48-TQFP(7x7) |
| 集成电路(芯片) | LC4128V-10TN144I | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:10.0ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:8 宏单元数:128 I/O数:96 工作温度:-40°C ~ 105°C(TJ) 封装/外壳:144-TQFP(20x20) |
| 集成电路(芯片) | LC4128ZE-7TCN100I | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000ZE 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:7.5ns 电源电压-内部:1.7 V ~ 1.9 V 逻辑元件/块数:8 宏单元数:128 I/O数:64 工作温度:-40°C ~ 105°C(TJ) 封装/外壳:100-TQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LC4064V-75TN48C | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:7.5ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:4 宏单元数:64 I/O数:32 工作温度:0°C ~ 90°C(TJ) 封装/外壳:48-TQFP(7x7) |
| 集成电路(芯片) | LC4256V-75FT256BI | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:7.5ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:16 宏单元数:256 I/O数:160 工作温度:-40°C ~ 105°C(TJ) 封装/外壳:256-FTBGA(17x17) |
| 集成电路(芯片) | LC4128V-75TN128I | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:7.5ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:8 宏单元数:128 I/O数:92 工作温度:-40°C ~ 105°C(TJ) 封装/外壳:128-TQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LC4384V-75TN176C | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:7.5ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:24 宏单元数:384 I/O数:128 工作温度:0°C ~ 90°C(TJ) 封装/外壳:176-TQFP(24x24) |
| 集成电路(芯片) | LC4128V-75TN144I | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:7.5ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:8 宏单元数:128 I/O数:96 工作温度:-40°C ~ 105°C(TJ) 封装/外壳:144-TQFP(20x20) |
| 集成电路(芯片) | LC4384V-10TN176I | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:10.0ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:24 宏单元数:384 I/O数:128 工作温度:-40°C ~ 105°C(TJ) 封装/外壳:176-TQFP(24x24) |
| 集成电路(芯片) | LC4256V-5TN144C | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:5.0ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:16 宏单元数:256 I/O数:96 工作温度:0°C ~ 90°C(TJ) 封装/外壳:144-TQFP(20x20) |
| 集成电路(芯片) | LC4256V-75FTN256AI | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:7.5ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:16 宏单元数:256 I/O数:128 工作温度:-40°C ~ 105°C(TJ) 封装/外壳:256-FTBGA(17x17) |
| 评估板 | LCMXO2-1200ZE-P1-EVN | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 FET类型:PLD 配套使用产品/相关产品:LCMXO2-1200ZE-MG132CR1 内容:板,电缆 |
| 集成电路(芯片) | LC4512V-75FTN256C | Lattice(莱迪思) | 系列:ispMACH® 4000V 可编程类型:系统内可编程 延迟时间tpd（1）最大值:7.5ns 电源电压-内部:3 V ~ 3.6 V 逻辑元件/块数:32 宏单元数:512 I/O数:208 工作温度:0°C ~ 90°C(TJ) 封装/外壳:256-FTBGA(17x17) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-2000ZE-3TG144I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:264 逻辑元件/单元数:2112 总RAM位数:75776 I/O数:111 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:144-TQFP(20x20) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO1200C-3MN132C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO LAB/CLB数:150 逻辑元件/单元数:1200 总RAM位数:9421 I/O数:101 电压-电源:1.71 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:132-CSPBGA(8x8) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-1200ZE-1MG132I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:160 逻辑元件/单元数:1280 总RAM位数:65536 I/O数:104 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:132-CSPBGA(8x8) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO1200C-4TN100C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO LAB/CLB数:150 逻辑元件/单元数:1200 总RAM位数:9421 I/O数:73 电压-电源:1.71 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:100-TQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-2000HC-4MG132I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:264 逻辑元件/单元数:2112 总RAM位数:75776 I/O数:104 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:132-CSPBGA(8x8) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-2000HE-5BG256C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:264 逻辑元件/单元数:2112 总RAM位数:75776 I/O数:206 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:256-CABGA(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO1200E-3TN144C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO LAB/CLB数:150 逻辑元件/单元数:1200 总RAM位数:9421 I/O数:113 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:144-TQFP(20x20) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-1200ZE-2TG100I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:160 逻辑元件/单元数:1280 总RAM位数:65536 I/O数:79 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:100-TQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-256ZE-2TG100C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:32 逻辑元件/单元数:256 I/O数:55 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:100-TQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-2000HC-5FTG256C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:264 逻辑元件/单元数:2112 总RAM位数:75776 I/O数:206 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:256-FTBGA(17x17) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-2000UHC-5FG484C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:264 逻辑元件/单元数:2112 总RAM位数:94208 I/O数:278 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:484-FPBGA(23x23) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-2000ZE-1TG100C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:264 逻辑元件/单元数:2112 总RAM位数:75776 I/O数:79 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:100-TQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-256HC-4SG32C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:32 逻辑元件/单元数:256 I/O数:21 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:32-QFNS(5x5) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-256HC-4SG32C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:32 逻辑元件/单元数:256 I/O数:21 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:32-QFNS(5x5) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-256HC-6UMG64I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:32 逻辑元件/单元数:256 I/O数:44 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:64-UCBGA(4x4) |
| 未分类 | LCMXO2280C-3FTN256C | Lattice(莱迪思) | |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-256HC-5UMG64I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:32 逻辑元件/单元数:256 I/O数:44 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:64-UCBGA(4x4) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-256HC-5TG100I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:32 逻辑元件/单元数:256 I/O数:55 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:100-TQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2280C-5FTN324C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO LAB/CLB数:285 逻辑元件/单元数:2280 总RAM位数:28262 I/O数:271 电压-电源:1.71 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:324-FTBGA(19x19) |
| 评估板 | LCMXO2280C-M-EVN | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO FET类型:PLD 配套使用产品/相关产品:LCMXO2280C-3FTN256C 内容:板,电缆 |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-4000HC-4FTG256C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:540 逻辑元件/单元数:4320 总RAM位数:94208 I/O数:206 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:256-FTBGA(17x17) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2280E-3FTN324I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO LAB/CLB数:285 逻辑元件/单元数:2280 总RAM位数:28262 I/O数:271 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:324-FTBGA(19x19) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2280E-3TN144I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO LAB/CLB数:285 逻辑元件/单元数:2280 总RAM位数:28262 I/O数:113 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:144-TQFP(20x20) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2280E-4BN256C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO LAB/CLB数:285 逻辑元件/单元数:2280 总RAM位数:28262 I/O数:211 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:256-CABGA(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-4000HC-5BG332I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:540 逻辑元件/单元数:4320 总RAM位数:94208 I/O数:274 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:332-CABGA(17x17) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-4000HC-4FTG256I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:540 逻辑元件/单元数:4320 总RAM位数:94208 I/O数:206 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:256-FTBGA(17x17) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-4000HE-5BG332I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:540 逻辑元件/单元数:4320 总RAM位数:94208 I/O数:274 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:332-CABGA(17x17) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-4000HE-4FG484I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:540 逻辑元件/单元数:4320 总RAM位数:94208 I/O数:278 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:484-FPBGA(23x23) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-640HC-5TG100I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:80 逻辑元件/单元数:640 总RAM位数:18432 I/O数:78 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:100-TQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-4000HE-5FTG256C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:540 逻辑元件/单元数:4320 总RAM位数:94208 I/O数:206 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:256-FTBGA(17x17) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-4000HE-5TG144C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:540 逻辑元件/单元数:4320 总RAM位数:94208 I/O数:114 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:144-TQFP(20x20) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-4000HC-5FG484C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:540 逻辑元件/单元数:4320 总RAM位数:94208 I/O数:278 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:484-FPBGA(23x23) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO256E-3MN100C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO LAB/CLB数:32 逻辑元件/单元数:256 I/O数:78 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:100-CSBGA(8x8) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-4000ZE-2FG484I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:540 逻辑元件/单元数:4320 总RAM位数:94208 I/O数:278 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:484-FPBGA(23x23) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-640ZE-3MG132C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:80 逻辑元件/单元数:640 总RAM位数:18432 I/O数:79 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:132-CSPBGA(8x8) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO256C-4TN100C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO LAB/CLB数:32 逻辑元件/单元数:256 I/O数:78 电压-电源:1.71 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:100-TQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-640ZE-3TG100I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:80 逻辑元件/单元数:640 总RAM位数:18432 I/O数:78 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:100-TQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-640UHC-6TG144I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:80 逻辑元件/单元数:640 总RAM位数:65536 I/O数:107 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:144-TQFP(20x20) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-640HC-4TG100C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:80 逻辑元件/单元数:640 总RAM位数:18432 I/O数:78 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:100-TQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-4000ZE-3TG144C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:540 逻辑元件/单元数:4320 总RAM位数:94208 I/O数:114 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:144-TQFP(20x20) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-640HC-4TG100C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:80 逻辑元件/单元数:640 总RAM位数:18432 I/O数:78 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:100-TQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-640ZE-1TG100C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:80 逻辑元件/单元数:640 总RAM位数:18432 I/O数:78 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:100-TQFP(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-7000HC-6BG332C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:858 逻辑元件/单元数:6864 总RAM位数:245760 I/O数:278 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:332-CABGA(17x17) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-7000HC-4FTG256I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:858 逻辑元件/单元数:6864 总RAM位数:245760 I/O数:206 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:256-FTBGA(17x17) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-7000ZE-2BG332I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:858 逻辑元件/单元数:6864 总RAM位数:245760 I/O数:278 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:332-CABGA(17x17) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-7000HC-4TG144I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:858 逻辑元件/单元数:6864 总RAM位数:245760 I/O数:114 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:144-TQFP(20x20) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-7000HC-4FG484C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:858 逻辑元件/单元数:6864 总RAM位数:245760 I/O数:334 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:484-FPBGA(23x23) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-7000HE-4BG332I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:858 逻辑元件/单元数:6864 总RAM位数:245760 I/O数:278 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:332-CABGA(17x17) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-7000ZE-2BG332C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:858 逻辑元件/单元数:6864 总RAM位数:245760 I/O数:278 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:332-CABGA(17x17) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO2-7000HE-5FG484C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO2 LAB/CLB数:858 逻辑元件/单元数:6864 总RAM位数:245760 I/O数:334 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:484-FPBGA(23x23) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO3L-6900C-6BG256I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO3 LAB/CLB数:858 逻辑元件/单元数:6864 总RAM位数:245760 I/O数:206 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:256-CABGA(14x14) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR1K | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO3 LAB/CLB数:540 逻辑元件/单元数:4320 总RAM位数:94208 I/O数:63 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:81-WLCSP(3.80x3.69) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO3L-6900E-5MG256C | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO3 LAB/CLB数:858 逻辑元件/单元数:6864 总RAM位数:245760 I/O数:206 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:256-CSFBGA(9x9) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO3LF-2100E-6MG121I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO3 LAB/CLB数:264 逻辑元件/单元数:2112 总RAM位数:75776 I/O数:100 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:121-CSFBGA(6x6) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO3LF-6900C-5BG400I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO3 LAB/CLB数:858 逻辑元件/单元数:6864 总RAM位数:245760 I/O数:335 电压-电源:2.375 V ~ 3.465 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:400-CABGA(17x17) |