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> Lattice(莱迪思)
| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | RSDEC-DBLK-XM-U3 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | RSDEC-DBLK-SC-U3 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | RSENC-DBLK-E2-U4 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | RSENC-DBLK-XM-U4 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | RSDEC-DBLK-E2-U3 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | RSENC-DBLK-SC-U4 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LPTM21-1AFTG237CES | Lattice(莱迪思) | |
| 通用芯片 | LPTM10-12107-3FTG208I | Lattice(莱迪思) | 系列:Platform Manager™ 电压-电源:3.3V 封装/外壳:208-FTBGA(17x17) |
| 未分类 | LPTM10-1247-3TG128C | Lattice(莱迪思) | |
| 通用芯片 | LPTM10-1247-3TG128I | Lattice(莱迪思) | 电压-电源:2.8 V ~ 3.96 V 工作温度:-40°C ~ 100°C 封装/外壳:128-TQFP(14x14) |
| 未分类 | LPTM10-12107-3FTG208C | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | SII9777CLUC-LBK | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | SII9777CLUC-HUW | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | SII9777CLUC-COL | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | SII9777CLUC-BAR | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | SII9679CNUC-CIS | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | SII9437CNUCTR | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | PACPOWR1220AT801TN100IAGW | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | OR3T557BAN256-DB | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | MOBI-P25E | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | M5-256/68-12VC/1 | Lattice(莱迪思) | 可编程类型:系统内可编程 延迟时间 tpd（1）最大值:12ns 电源电压 - 内部:4.75 V ~ 5.25 V 宏单元数:256 I/O 数:68 工作温度:0°C ~ 70°C(TA) 封装/外壳:100-LQFP 封装/外壳:100-TQFP(14x14) |
| 未分类 | LIF-MD6000-6UWG36ITR1K | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:1500 逻辑元件/单元数:6000 总 RAM 位数:184320 I/O 数:17 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:36-uFBGA,WLCSP 封装/外壳:36-WLCSP(2.54x2.59) |
| 未分类 | LIF-MD6000-6UMG64IES | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LIF-MD6000-6MG81IAMA | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LFXP2-8E-5FTN256ICU1 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LFXP2-8E-5FTN256CCU1 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LFXP2-5E-5MN132CQA | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LFXP2-5E-5FTN256CCU1 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LFXP2-30E-5FTN256CCU1 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LFXP2-17E-5FTN256CCU1 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LFE5U-25F-7BG256I | Lattice(莱迪思) | |
| 集成电路(芯片) | LFE3-95EA-9FN1156I | Lattice(莱迪思) | 系列:ECP3 LAB/CLB数:11500 逻辑元件/单元数:92000 总RAM位数:4526080 I/O数:490 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:1156-FPBGA(35x35) |
| 集成电路(芯片) | LFE3-95EA-9FN1156C | Lattice(莱迪思) | 系列:ECP3 LAB/CLB数:11500 逻辑元件/单元数:92000 总RAM位数:4526080 I/O数:490 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:1156-FPBGA(35x35) |
| 集成电路(芯片) | LFE3-70EA-9FN672I | Lattice(莱迪思) | 系列:ECP3 LAB/CLB数:8375 逻辑元件/单元数:67000 总RAM位数:4526080 I/O数:380 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:672-FPBGA(27x27) |
| 集成电路(芯片) | LFE3-70EA-9FN672C | Lattice(莱迪思) | 系列:ECP3 LAB/CLB数:8375 逻辑元件/单元数:67000 总RAM位数:4526080 I/O数:380 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:672-FPBGA(27x27) |
| 集成电路(芯片) | LFE3-70EA-9FN484I | Lattice(莱迪思) | 系列:ECP3 LAB/CLB数:8375 逻辑元件/单元数:67000 总RAM位数:4526080 I/O数:295 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:484-FPBGA(23x23) |
| 集成电路(芯片) | LFE3-70EA-9FN1156I | Lattice(莱迪思) | 系列:ECP3 LAB/CLB数:8375 逻辑元件/单元数:67000 总RAM位数:4526080 I/O数:490 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:1156-FPBGA(35x35) |
| 集成电路(芯片) | LFE3-70EA-9FN1156C | Lattice(莱迪思) | 系列:ECP3 LAB/CLB数:8375 逻辑元件/单元数:67000 总RAM位数:4526080 I/O数:490 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:1156-FPBGA(35x35) |
| 未分类 | LFE3-70EA-6FN484ICU1 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LFE3-70EA-6FN484CCU1 | Lattice(莱迪思) | |
| 集成电路(芯片) | LFE3-35EA-9FTN256I | Lattice(莱迪思) | 系列:ECP3 LAB/CLB数:4125 逻辑元件/单元数:33000 总RAM位数:1358848 I/O数:133 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:256-FTBGA(17x17) |
| 集成电路(芯片) | LFE3-35EA-9FTN256C | Lattice(莱迪思) | 系列:ECP3 LAB/CLB数:4125 逻辑元件/单元数:33000 总RAM位数:1358848 I/O数:133 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:256-FTBGA(17x17) |
| 集成电路(芯片) | LFE3-35EA-9FN672I | Lattice(莱迪思) | 系列:ECP3 LAB/CLB数:4125 逻辑元件/单元数:33000 总RAM位数:1358848 I/O数:310 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:672-FPBGA(27x27) |
| 集成电路(芯片) | LFE3-35EA-9FN672C | Lattice(莱迪思) | 系列:ECP3 LAB/CLB数:4125 逻辑元件/单元数:33000 总RAM位数:1358848 I/O数:310 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:672-FPBGA(27x27) |
| 集成电路(芯片) | LFE3-35EA-9FN484I | Lattice(莱迪思) | 系列:ECP3 LAB/CLB数:4125 逻辑元件/单元数:33000 总RAM位数:1358848 I/O数:295 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:484-FPBGA(23x23) |
| 未分类 | LFE3-35EA-8FN484CCU1 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LFE3-17EA-7FTN256ICU1 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LFE3-17EA-6FTN256CCU1 | Lattice(莱迪思) | |
| 集成电路(芯片) | LFE3-150EA-9FN672I | Lattice(莱迪思) | 系列:ECP3 LAB/CLB数:18625 逻辑元件/单元数:149000 总RAM位数:7014400 I/O数:380 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:672-FPBGA(27x27) |
| 未分类 | LFE3-150EA-9FN6721 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LFE3-150EA-6FN672ICU1 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LFE2M35SE-6FN256CCU1 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LFE2-6SE-5FN256CCU1 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LFE2-35E-5FN484CCU1 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LFE2-12SE-5TN144CCU1 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LCMXO640C-3TN144CCU1 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LCMXO640C-3TN100CCU1 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LCMXO640C-3MN100CCU1 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LCMXO640C-3FTN256CCA1 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LCMXO3LF-9400C-6BG256CALV | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LCMXO3LF-9400C-5BG484IAM1 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LCMXO3LF-6900E-6MG324C | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:858 逻辑元件/单元数:6864 总 RAM 位数:245760 I/O 数:281 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:324-VFBGA 封装/外壳:324-CSFBGA(10x10) |
| 未分类 | LCMXO3LF-6900E-5MG324I | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:858 逻辑元件/单元数:6864 总 RAM 位数:245760 I/O 数:281 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:324-VFBGA 封装/外壳:324-CSFBGA(10x10) |
| 未分类 | LCMXO3LF-640E-6MG121C | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:80 逻辑元件/单元数:640 总 RAM 位数:65536 I/O 数:100 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:121-VFBGA 封装/外壳:121-CSFBGA(6x6) |
| 未分类 | LCMXO3LF-4300E-6MG324I | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:540 逻辑元件/单元数:4320 总 RAM 位数:94208 I/O 数:268 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:324-VFBGA 封装/外壳:324-CSFBGA(10x10) |
| 未分类 | LCMXO3LF-4300E-6MG324C | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:540 逻辑元件/单元数:4320 总 RAM 位数:94208 I/O 数:268 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:324-VFBGA 封装/外壳:324-CSFBGA(10x10) |
| 未分类 | LCMXO3LF-4300E-6MG256I | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:540 逻辑元件/单元数:4320 总 RAM 位数:94208 I/O 数:206 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:256-VFBGA 封装/外壳:256-CSFBGA(9x9) |
| 未分类 | LCMXO3LF-4300E-6MG256C | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:540 逻辑元件/单元数:4320 总 RAM 位数:94208 I/O 数:206 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:256-VFBGA 封装/外壳:256-CSFBGA(9x9) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO3LF-4300E-5UWG81ITR1K | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO3 LAB/CLB数:540 逻辑元件/单元数:4320 总RAM位数:94208 I/O数:63 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:81-WLCSP(3.80x3.69) |
| 未分类 | LCMXO3LF-4300E-5MG324I | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:540 逻辑元件/单元数:4320 总 RAM 位数:94208 I/O 数:268 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:324-VFBGA 封装/外壳:324-CSFBGA(10x10) |
| 未分类 | LCMXO3LF-4300E-5MG324C | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:540 逻辑元件/单元数:4320 总 RAM 位数:94208 I/O 数:268 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:324-VFBGA 封装/外壳:324-CSFBGA(10x10) |
| 未分类 | LCMXO3LF-4300E-5MG256C | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:540 逻辑元件/单元数:4320 总 RAM 位数:94208 I/O 数:206 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:256-VFBGA 封装/外壳:256-CSFBGA(9x9) |
| 未分类 | LCMXO3LF-2100E-6MG324I | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:264 逻辑元件/单元数:2112 总 RAM 位数:75776 I/O 数:268 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:324-VFBGA 封装/外壳:324-CSFBGA(10x10) |
| 未分类 | LCMXO3LF-2100E-6MG324C | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:264 逻辑元件/单元数:2112 总 RAM 位数:75776 I/O 数:268 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:324-VFBGA 封装/外壳:324-CSFBGA(10x10) |
| 未分类 | LCMXO3LF-2100E-6MG256I | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:264 逻辑元件/单元数:2112 总 RAM 位数:75776 I/O 数:206 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:256-VFBGA 封装/外壳:256-CSFBGA(9x9) |
| 未分类 | LCMXO3LF-2100E-6MG256C | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:264 逻辑元件/单元数:2112 总 RAM 位数:75776 I/O 数:206 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:256-VFBGA 封装/外壳:256-CSFBGA(9x9) |
| 未分类 | LCMXO3LF-2100E-6MG121C | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:264 逻辑元件/单元数:2112 总 RAM 位数:75776 I/O 数:100 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:121-VFBGA 封装/外壳:121-CSFBGA(6x6) |
| 未分类 | LCMXO3LF-2100E-5UWG49ITR50 | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:264 逻辑元件/单元数:2112 总 RAM 位数:75776 I/O 数:38 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:49-uFBGA,WLCSP 封装/外壳:49-WLCSP(3.11x3.19) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO3 LAB/CLB数:264 逻辑元件/单元数:2112 总RAM位数:75776 I/O数:38 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:49-WLCSP(3.11x3.19) |
| 未分类 | LCMXO3LF-2100E-5MG324I | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:264 逻辑元件/单元数:2112 总 RAM 位数:75776 I/O 数:268 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:324-VFBGA 封装/外壳:324-CSFBGA(10x10) |
| 未分类 | LCMXO3LF-2100E-5MG324C | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:264 逻辑元件/单元数:2112 总 RAM 位数:75776 I/O 数:268 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:324-VFBGA 封装/外壳:324-CSFBGA(10x10) |
| 未分类 | LCMXO3LF-2100C-5BG256C2U | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LCMXO3LF-1300E-6MG256C | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:160 逻辑元件/单元数:1280 总 RAM 位数:65536 I/O 数:206 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:256-VFBGA 封装/外壳:256-CSFBGA(9x9) |
| 集成电路(芯片) | LCMXO3LF-1300E-6MG121I | Lattice(莱迪思) | 系列:MachXO3 LAB/CLB数:160 逻辑元件/单元数:1280 总RAM位数:65536 I/O数:100 电压-电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:121-CSFBGA(6x6) |
| 未分类 | LCMXO3LF-1300E-5UWG36ITR1K | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:160 逻辑元件/单元数:1280 总 RAM 位数:65536 I/O 数:28 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:36-uFBGA,WLCSP 封装/外壳:36-WLCSP(2.49x2.54) |
| 未分类 | LCMXO3LF-1300E-5UWG36CTR50 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LCMXO3LF-1300E-5MG256I | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:160 逻辑元件/单元数:1280 总 RAM 位数:65536 I/O 数:206 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:256-VFBGA 封装/外壳:256-CSFBGA(9x9) |
| 未分类 | LCMXO3LF-1300E-5MG256C | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:160 逻辑元件/单元数:1280 总 RAM 位数:65536 I/O 数:206 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:256-VFBGA 封装/外壳:256-CSFBGA(9x9) |
| 未分类 | LCMXO3L-640E-6MG121I | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:80 逻辑元件/单元数:640 总 RAM 位数:65536 I/O 数:100 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:121-VFBGA 封装/外壳:121-CSFBGA(6x6) |
| 未分类 | LCMXO3L-2100E-6MG324C | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:264 逻辑元件/单元数:2112 总 RAM 位数:75776 I/O 数:268 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:324-VFBGA 封装/外壳:324-CSFBGA(10x10) |
| 未分类 | LCMXO3L-2100E-6MG256C | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:264 逻辑元件/单元数:2112 总 RAM 位数:75776 I/O 数:206 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:256-VFBGA 封装/外壳:256-CSFBGA(9x9) |
| 未分类 | LCMXO3L-2100E-6MG121C | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:264 逻辑元件/单元数:2112 总 RAM 位数:75776 I/O 数:100 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:121-VFBGA 封装/外壳:121-CSFBGA(6x6) |
| 未分类 | LCMXO3L-1300E-6MG256I | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LCMXO3L-1300E-6MG256C | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:160 逻辑元件/单元数:1280 总 RAM 位数:65536 I/O 数:206 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:256-VFBGA 封装/外壳:256-CSFBGA(9x9) |
| 未分类 | LCMXO3L-1300E-6MG121I | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:160 逻辑元件/单元数:1280 总 RAM 位数:65536 I/O 数:100 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:-40°C ~ 100°C(TJ) 封装/外壳:121-VFBGA 封装/外壳:121-CSFBGA(6x6) |
| 未分类 | LCMXO3L-1300E-5MG256I | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LCMXO3L-1300E-5MG256C | Lattice(莱迪思) | LAB/CLB 数:160 逻辑元件/单元数:1280 总 RAM 位数:65536 I/O 数:206 电压 - 电源:1.14 V ~ 1.26 V 工作温度:0°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:256-VFBGA 封装/外壳:256-CSFBGA(9x9) |
| 未分类 | LCMXO3-2100C-6BG256C | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LCMXO2-7000HC-4FG484IAK7 | Lattice(莱迪思) | |
| 未分类 | LCMXO2-640HC-4TG100ITR | Lattice(莱迪思) |