IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用MOSFET | BD63441AFU-E2 | ROHM(罗姆) | 封装/外壳:20-SSOP-C |
| 通用MOSFET | 2SK3541GT2L | ROHM(罗姆) | |
| 通用MOSFET | 2SK3018UBFU7TCL | ROHM(罗姆) | |
| 通用MOSFET | 2SK3065T100 | ROHM(罗姆) | FET 类型:N 通道 漏源电压（Vdss）:60V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）:2A(Ta) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V,4V 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）:320 毫欧 @ 1A,4V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 1mA Vgs（最大值）:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:160pF @ 10V 功率耗散（最大值）:500mW(Ta) 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-243AA |
| 通用MOSFET | SI7862ADP-T1-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 连续漏极电流Id:18A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:2.5V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7340pF @ 8V 栅极电压Vgs:±8V Pd-功率耗散(Max):1.9W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:3m Ohms@29A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK® SO-8 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:16V 连续漏极电流Id:18A Rds On(Max)@Id,Vgs:3mΩ |
| 通用MOSFET | BSC520N15NS3 G | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:yes Moisture Level:1 Ohms 连续漏极电流Id:21A QG (typ @10V):8.7 nC 封装/外壳:SuperSO8 Rth:2.2 K/W QG:8.7nC 工作温度:-55°C~150°C Budgetary Price €/1k:0.4 Ptot max:57.0W Ptot max:57.0 W FET类型:N-Channel IDpuls max:84.0 A 漏源极电压Vds:150V Rds On(Max)@Id,Vgs:52mΩ Coss:80.0pF Ciss:670.0 pF 栅极电压Vgs:3V,2V,4V |
| 通用MOSFET | IPA70R600P7S | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:yes Moisture Level:NA Rds On(Max)@Id,Vgs:600mΩ 漏源极电压Vds:700V 连续漏极电流Id:8.5A 封装/外壳:TO-220 FullPAK Rth:5.0K/W QG:10.5nC Budgetary Price €/1k:0.39 Ptot max:24.9W FET类型:N-Channel Qgd:3.7nC Pin Count:3.0Pins 工作温度:-40°C~150°C RthJA max:80.0K/W Mounting:THT RthJC max:5.0K/W 栅极电压Vgs:2.5V,3.5V |
| 通用MOSFET | IPP120N20NFD | Infineon(英飞凌) | RoHS compliant:yes Moisture Level:NA 连续漏极电流Id:84A RthJC max:0.5 K/W QG (typ @10V):65.0 nC 封装/外壳:TO-220 Rth:0.5K/W QG:65.0nC Budgetary Price €/1k:2.5 工作温度:-55.0°C Ptot max:300.0W Ptot max:300.0 W FET类型:N-Channel IDpuls max:336.0 A 漏源极电压Vds:200V Pin Count:3.0Pins RthJA max:62.0K/W Mounting:THT RthJC max:0.5K/W Coss:400.0pF Ciss:5000.0 pF RthJA max:62.0 K/W Special Features:Fast Diode Rds On(Max)@Id,Vgs:12mΩ 栅极电压Vgs:3V,2V,4V |
| 通用MOSFET | SPW47N65C3FKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:47A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:255nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7000pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):415W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:70 毫欧 @ 30A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| 通用MOSFET | SPW47N60C3FKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:47A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 2.7mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:320nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6800pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):415W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:70mΩ@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:47A 漏源极电压Vds:650V 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| 通用MOSFET | SPW32N50C3FKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:32A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1.8mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:170nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4.2nF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V Pd-功率耗散(Max):284W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:110 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:32 A 漏源极电压Vds:560 V Rds On(Max)@Id,Vgs:110 m0hms 栅极电压Vgs:3.9V 最小栅阈值电压:2.1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:TO-247 引脚数目:3 晶体管配置:单 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET Pd-功率耗散(Max):284W 高度:21.1mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:16.13 x 5.21 x 21.1mm 宽度:5.21mm 系列:CoolMOS C3 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:4200 pF @ 25 V 典型关断延迟时间:100 ns 典型接通延迟时间:20 ns 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 长度:16.13mm |
| 通用MOSFET | SPW24N60CFDFKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:21.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1.2mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:143nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3160pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):240W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:185 毫欧 @ 15.4A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| 通用MOSFET | SPW21N50C3FKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ 连续漏极电流Id:21A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:95nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2400pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):208W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190m Ohms@13.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:21A 漏源极电压Vds:560V 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| 通用MOSFET | SPW20N60S5FKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5.5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:103nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):208W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190m Ohms@13A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20A 漏源极电压Vds:600V 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| 通用MOSFET | SPW20N60C3FKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:20.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:114nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2400pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):208W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190m Ohms@13.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:20.7A 漏源极电压Vds:650V 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| 通用MOSFET | SPW20N60CFDFKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:20.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:124nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2400pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):208W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:220m Ohms@13.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:20.7A 漏源极电压Vds:650V 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| 通用MOSFET | SPW17N80C3FKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:177nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2320pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):227W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:290mΩ@11A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:17A 漏源极电压Vds:800V 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| 通用MOSFET | SPW16N50C3FKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:16A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 675µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:66nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1600pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:280 毫欧 @ 10A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:16 A 漏源极电压Vds:560 V Rds On(Max)@Id,Vgs:280 m0hms 栅极电压Vgs:3.9V 最小栅阈值电压:2.1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:TO-247 引脚数目:3 晶体管配置:单 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET Pd-功率耗散(Max):160W 高度:21.1mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:16.13 x 5.21 x 21.1mm 宽度:5.21mm 系列:CoolMOS C3 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:1600 pF @ 25 V 典型关断延迟时间:50 ns 典型接通延迟时间:10 ns 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 长度:16.13mm |
| 通用MOSFET | SPW15N60CFDFKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:13.4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 750µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:84nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1820pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):156W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:330 毫欧 @ 9.4A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| 通用MOSFET | SPW11N80C3FKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:11A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 680µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:85nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1600pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):156W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:450m Ohms@7.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:11A 漏源极电压Vds:800V 封装/外壳:PG-TO247-3 |
| 通用MOSFET | SPW11N60C3FKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:11A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 500µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:60nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1200pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:380 毫欧 @ 7A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO247-3 封装/外壳:PG-TO247-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:11 A 漏源极电压Vds:650 V Rds On(Max)@Id,Vgs:380 m0hms 栅极电压Vgs:3.9V 最小栅阈值电压:2.1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:TO-247 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET Pd-功率耗散(Max):125W 长度:16.13mm 高度:21.1mm 系列:CoolMOS C3 封装/外壳:16.13 x 5.21 x 21.1mm 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:1200 pF @ 25 V 典型关断延迟时间:44 ns 典型接通延迟时间:10 ns 宽度:5.21mm 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 每片芯片元件数目:1 Ohms |
| 通用MOSFET | SPU03N60C3BKMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:3.2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 135µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:400pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):38W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4 欧姆 @ 2A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO251-3 封装/外壳:PG-TO251-3 |
| 通用MOSFET | SPU02N60S5BKMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:1.8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5.5V @ 80µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:9.5nC 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:240pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V Pd-功率耗散(Max):25W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3 欧姆 @ 1.1A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO251-3 封装/外壳:PG-TO251-3 |
| 通用MOSFET | SPS03N60C3BKMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:3.2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 135µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:400pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):38W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4 欧姆 @ 2A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO251-3 封装/外壳:PG-TO251-3 |
| 通用MOSFET | SPS02N60C3BKMA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO251-3 |
| 通用MOSFET | SPP80P06PHXKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:SIPMOS® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 5.5mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:173nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5033pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):340W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:23m Ohms@64A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:80A 漏源极电压Vds:60V 封装/外壳:PG-TO220-3-1 |
| 通用MOSFET | SPP80N03S2L05AKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 110µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:89.7nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3320pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):167W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:5.2 毫欧 @ 55A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3-1 封装/外壳:TO-220-3 |
| 通用MOSFET | SPP20N60S5XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20A 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | SPP20N60S5HKSA1 | Infineon(英飞凌) | |
| 通用MOSFET | SPP20N60C3HKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:20.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:114nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2400pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):208W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190m Ohms@13.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20.7A 漏源极电压Vds:600V 封装/外壳:PG-TO220-3-1 |
| 通用MOSFET | SPP18P06PHXKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:SIPMOS® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:18.7A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:28nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:860pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):81.1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:130m Ohms@13.2A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:18.7A 漏源极电压Vds:60V 封装/外壳:PG-TO-220-3 |
| 通用MOSFET | SPP15P10PLHXKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:15A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 1.54mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:62nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1490pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):128W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:200 毫欧 @ 11.3A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO-220-3 封装/外壳:PG-TO220-3 FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:11.3 A 漏源极电压Vds:100 V Rds On(Max)@Id,Vgs:270 m0hms 栅极电压Vgs:2V 最小栅阈值电压:1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:TO-220 引脚数目:3 晶体管配置:单 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET Pd-功率耗散(Max):128W 高度:15.95mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:10.36 x 4.57 x 15.95mm 宽度:4.57mm 系列:SIPMOS 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:1120 pF @ -25 V 典型关断延迟时间:50 ns 典型接通延迟时间:7.6 ns 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+175 °C 长度:10.36mm |
| 通用MOSFET | SPP15P10PHXKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:15A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1.54mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:48nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1280pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):128W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:240 毫欧 @ 10.6A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO-220-3 封装/外壳:PG-TO220-3 FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:15 A 漏源极电压Vds:100 V Rds On(Max)@Id,Vgs:0.24 0hms 栅极电压Vgs:4V 最小栅阈值电压:2.1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:TO-220 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:小信号 Pd-功率耗散(Max):128W 宽度:4.57mm 高度:15.95mm 最低工作温度:-55 °C 长度:10.36mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 正向跨导:9.3S 正向二极管电压:1.35V 系列:SIPMOS 封装/外壳:10.36 x 4.57 x 15.95mm 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:961 pF @ -25 V 典型关断延迟时间:33 ns 典型接通延迟时间:9.5 ns 最高工作温度:+175 °C |
| 通用MOSFET | SPP15N60CFDXKSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:13.4A |
| 通用MOSFET | SPP15N60C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1660pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):156W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:280 毫欧 @ 9.4A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:15A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 675µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:63nC @ 10V 漏源极电压Vds:650V 封装/外壳:PG-TO220-3-1 |
| 通用MOSFET | SPP12N50C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | SPP11N80C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ 连续漏极电流Id:11A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 680µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:85nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1600pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):156W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:450m Ohms@7.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:11A 漏源极电压Vds:800V 封装/外壳:PG-TO220-3-1 |
| 通用MOSFET | SPP11N60S5XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:11A |
| 通用MOSFET | SPP11N60C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ 连续漏极电流Id:11A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 500µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:60nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:380m Ohms@7A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:11A 漏源极电压Vds:650V 封装/外壳:PG-TO220-3-1 |
| 通用MOSFET | SPP07N60S5XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) |
| 通用MOSFET | SPP08P06PHXKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:8.8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:420pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):42W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:300 毫欧 @ 6.2A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO-220-3 封装/外壳:PG-TO220-3 FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:8.8 A 漏源极电压Vds:60V Rds On(Max)@Id,Vgs:300 m0hms 栅极电压Vgs:4V 最小栅阈值电压:2.1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:TO-220 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET Pd-功率耗散(Max):42W 长度:10.36mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:10.36 x 4.57 x 15.95mm 宽度:4.57mm 系列:SIPMOS 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:335 pF @ -25 V 典型关断延迟时间:48 ns 典型接通延迟时间:16 ns 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+175 °C 高度:15.95mm |
| 通用MOSFET | SPP06N60C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | SPP07N60S5HKSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | SPP08N80C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 470µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:60nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1100pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):104W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:650 毫欧 @ 5.1A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO-220-3 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | SPP08N50C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:7.6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 350µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:32nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:750pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):83W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:600 毫欧 @ 4.6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3-1 封装/外壳:PG-TO220-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:7.6 A 漏源极电压Vds:560 V Rds On(Max)@Id,Vgs:600 m0hms 栅极电压Vgs:3.9V 最小栅阈值电压:2.1V 栅极电压Vgs:±30V 封装/外壳:TO-220 引脚数目:3 晶体管配置:单 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET Pd-功率耗散(Max):83W 高度:15.65mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:10 x 4.4 x 15.65mm 宽度:4.4mm 系列:CoolMOS C3 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:750 pF @ 25 V 典型关断延迟时间:60 ns 典型接通延迟时间:6 ns 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 长度:10mm |
| 通用MOSFET | SPP07N65C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | SPP03N60S5XKSA1 | Infineon(英飞凌) | |
| 通用MOSFET | SPP03N60C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:3.2A 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | SPP07N60C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ 连续漏极电流Id:7.3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 350µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:27nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:790pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):83W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:600mΩ@4.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:7.3A 漏源极电压Vds:650V 封装/外壳:PG-TO220-3-1 |
| 通用MOSFET | SPP06N80C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:41nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:785pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):83W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:900m Ohms@3.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:6A 漏源极电压Vds:800V 封装/外壳:PG-TO-220-3 |
| 通用MOSFET | SPP04N80C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ 连续漏极电流Id:4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 240µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:31nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:570pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):63W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.3Ω@2.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4A 漏源极电压Vds:800V 封装/外壳:PG-TO-220-3 |
| 通用MOSFET | SPP04N50C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:TO-220AB FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:4.5A 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | SPP04N50C3HKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:4.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 200µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:470pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):50W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:950 毫欧 @ 2.8A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3-1 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | SPP02N80C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 120µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:290pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):42W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.7 欧姆 @ 1.2A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO-220-3 封装/外壳:PG-TO220-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:2 A 漏源极电压Vds:800 V Rds On(Max)@Id,Vgs:2.7 0hms 栅极电压Vgs:3.9V 最小栅阈值电压:2.1V 栅极电压Vgs:±30V 封装/外壳:TO-220AB 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET Pd-功率耗散(Max):42W 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-55 °C 长度:10.36mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 高度:15.95mm 正向二极管电压:1.2V 宽度:4.57mm 封装/外壳:10.36 x 4.57 x 15.95mm 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:290 pF @ 100 V 典型关断延迟时间:72 ns 典型接通延迟时间:25 ns 系列:CoolMOS C3 |
| 通用MOSFET | SPP02N60C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 湿气敏感性等级（MSL）:1(无限) 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | SPI21N50C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:21A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:95nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2400pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):208W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190 毫欧 @ 13.1A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO262-3-1 封装/外壳:PG-TO262-3 |
| 通用MOSFET | SPI15N65C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:15A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 675µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:63nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1600pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):156W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:280 毫欧 @ 9.4A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO262-3-1 封装/外壳:PG-TO262-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:15 A 漏源极电压Vds:650 V Rds On(Max)@Id,Vgs:280 m0hms 栅极电压Vgs:3.9V 最小栅阈值电压:2.1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:I2PAK (TO-262) 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET Pd-功率耗散(Max):156W 高度:9.45mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:10.2 x 4.5 x 9.45mm 宽度:4.5mm 系列:CoolMOS C3 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:1600 pF @ 25 V 典型关断延迟时间:70 ns 典型接通延迟时间:32 ns 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 长度:10.2mm |
| 通用MOSFET | SPI12N50C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:11.6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 500µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:49nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1200pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:380 毫欧 @ 7A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO262-3-1 封装/外壳:PG-TO262-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:11.6 A 漏源极电压Vds:560 V Rds On(Max)@Id,Vgs:380 m0hms 栅极电压Vgs:3.9V 最小栅阈值电压:2.1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:I2PAK (TO-262) 引脚数目:3 晶体管配置:单 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET Pd-功率耗散(Max):125W 宽度:4.52mm 典型接通延迟时间:10 ns 典型关断延迟时间:45 ns 漏源极电压Vds:1200 pF @ 25 V 晶体管材料:Si 系列:CoolMOS C3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+150 °C 长度:10.36mm 高度:9.45mm 封装/外壳:10.36 x 4.52 x 9.45mm 最低工作温度:-55 °C |
| 通用MOSFET | SPI11N60C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 标准包装数量:500 公司名称:CoolMOS FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650 V 连续漏极电流Id:11 A Rds On(Max)@Id,Vgs:0.38 0hms 封装/外壳:PG-TO262-3 系列:SPI11N60 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:11A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 500µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:60nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1200pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:380 毫欧 @ 7A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO262-3-1 |
| 通用MOSFET | SPI07N60C3HKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:7.3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 350µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:27nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:790pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):83W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:600 毫欧 @ 4.6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO262-3-1 封装/外壳:PG-TO262-3 |
| 通用MOSFET | SPI07N60C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 标准包装数量:500 公司名称:CoolMOS FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650 V 连续漏极电流Id:7.3 A Rds On(Max)@Id,Vgs:0.6 0hms 封装/外壳:PG-TO262-3 系列:SPI07N60 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:7.3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 350µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:27nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:790pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):83W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:600 毫欧 @ 4.6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO262-3-1 |
| 通用MOSFET | SPD50P03LGBTMA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:50A FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:50A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:126nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:6880pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:7 毫欧 @ 50A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-5 封装/外壳:PG-TO252-5 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V |
| 通用MOSFET | SPD30P06PGBTMA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:30A FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:30A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1.7mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:48nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1535pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:75 毫欧 @ 21.5A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 通用MOSFET | SPD18P06PGBTMA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:18.6A FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:18.6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:33nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:860pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):80W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:130 毫欧 @ 13.2A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 通用MOSFET | SPD15P10PGBTMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:汽车级,AEC-Q101,SIPMOS® FET类型:P-Channel 连续漏极电流Id:15A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.1V @ 1.54mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:48nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1280pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):128W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:240m Ohms@10.6A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:15A 漏源极电压Vds:100V 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 通用MOSFET | SPD09P06PLGBTMA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:DPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:9.7A FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:9.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:21nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:450pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):42W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:250 毫欧 @ 6.8A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 通用MOSFET | SPD08N50C3BTMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:7.6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 350µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:32nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:750pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):83W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:600 毫欧 @ 4.6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 通用MOSFET | SPD07N60C3ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 通用MOSFET | SPD07N60C3BTMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:7.3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 350µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:27nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:790pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):83W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:600mΩ@4.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-252-3 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:7.3A 漏源极电压Vds:650V 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 通用MOSFET | SPD04P10PGBTMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 380µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:319pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):38W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1 欧姆 @ 2.8A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 通用MOSFET | SPD04N60C3BTMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:4.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 200µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:490pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):50W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:950mΩ@2.8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:4.5A 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 通用MOSFET | SPD04N60C3ATMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:4.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 200µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:490pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):50W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:950 毫欧 @ 2.8A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 通用MOSFET | SPD04N50C3BTMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:4.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 200µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:470pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):50W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:950 毫欧 @ 2.8A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 通用MOSFET | SPD03N60C3BTMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:3.2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 135µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:400pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):38W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4 欧姆 @ 2A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:3.2 A 漏源极电压Vds:650 V Rds On(Max)@Id,Vgs:3.8 0hms 栅极电压Vgs:3.9V 最小栅阈值电压:2.1V 栅极电压Vgs:±30V 封装/外壳:DPAK (TO-252) 引脚数目:3 晶体管配置:单 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET Pd-功率耗散(Max):38W 宽度:6.223mm 典型接通延迟时间:7 ns 典型关断延迟时间:64 ns 漏源极电压Vds:400 pF @ 25 V 晶体管材料:Si 系列:CoolMOS C3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+150 °C 长度:6.73mm 高度:2.413mm 封装/外壳:6.731 x 6.223 x 2.413mm 最低工作温度:-55 °C |
| 通用MOSFET | SPD03N50C3BTMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:3.2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 135µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:350pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):38W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4 欧姆 @ 2A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO252-3 封装/外壳:PG-TO252-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:3.2 A 漏源极电压Vds:560 V Rds On(Max)@Id,Vgs:1.4 0hms 栅极电压Vgs:3.9V 最小栅阈值电压:2.1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:DPAK (TO-252) 引脚数目:3 晶体管配置:单 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET Pd-功率耗散(Max):38W 高度:2.41mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:6.73 x 6.22 x 2.41mm 宽度:6.22mm 系列:CoolMOS C3 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:350 pF @ 25 V 典型关断延迟时间:70 ns 典型接通延迟时间:10 ns 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 长度:6.73mm |
| 通用MOSFET | SPD02N50C3BTMA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:DPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:1.8A 封装/外壳:PG-TO252-3 |
| 通用MOSFET | SPB80P06PGATMA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:D2PAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:80A FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 5.5mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:173nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:5033pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):340W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:23 毫欧 @ 64A,10V 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3-2 封装/外壳:PG-TO263-3 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V |
| 通用MOSFET | SPB21N50C3ATMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:21A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:95nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2400pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):208W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190 毫欧 @ 13.1A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3-2 封装/外壳:PG-TO263-3 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V |
| 通用MOSFET | SPB20N60S5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:103nC 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:3000pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V Pd-功率耗散(Max):208W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190 毫欧 @ 13A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3-2 封装/外壳:PG-TO263-3 |
| 通用MOSFET | SPB20N60C3ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:20.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:114nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2400pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):208W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190m Ohms@13.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:20.7A 漏源极电压Vds:650V 封装/外壳:PG-TO263-3-2 |
| 通用MOSFET | SPB11N60S5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:11A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5.5V @ 500µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:54nC 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1460pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:380 毫欧 @ 7A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3-2 封装/外壳:PG-TO263-3 |
| 通用MOSFET | SPB17N80C3ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:D2PAK 连续漏极电流Id:17A FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:177nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2300pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):227W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:290 毫欧 @ 11A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3-2 封装/外壳:PG-TO263-3 |
| 通用MOSFET | SPB16N50C3ATMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:16A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 675µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:66nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1600pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:280 毫欧 @ 10A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3-2 封装/外壳:PG-TO263-3 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:16 A 漏源极电压Vds:560 V Rds On(Max)@Id,Vgs:0.28 0hms 栅极电压Vgs:3.9V 最小栅阈值电压:2.1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:D2PAK (TO-263) 引脚数目:3 晶体管配置:单 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET Pd-功率耗散(Max):160W 宽度:9.45mm 典型接通延迟时间:10 ns 典型关断延迟时间:50 ns 漏源极电压Vds:1600 pF @ 25 V 晶体管材料:Si 系列:CoolMOS C3 每片芯片元件数目:1 Ohms 最高工作温度:+150 °C 长度:10.31mm 高度:4.57mm 封装/外壳:10.31 x 9.45 x 4.57mm 最低工作温度:-55 °C |
| 通用MOSFET | SPB11N60C3ATMA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:11A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 500µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:60nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:380m Ohms@7A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3 封装/外壳:D2PAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:11A 封装/外壳:PG-TO263-3-2 |
| 通用MOSFET | SPB07N60C3ATMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:7.3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 350µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:27nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:790pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):83W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:600 毫欧 @ 4.6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3-2 封装/外壳:PG-TO263-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:7.3 A 漏源极电压Vds:650 V Rds On(Max)@Id,Vgs:0.6 0hms 栅极电压Vgs:3.9V 最小栅阈值电压:2.1V 栅极电压Vgs:±30V 封装/外壳:D2PAK (TO-263) 引脚数目:3 晶体管配置:单 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET Pd-功率耗散(Max):83W 高度:4.572mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:10.312 x 9.45 x 4.572mm 宽度:9.45mm 系列:CoolMOS C3 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:790 pF @ 25 V 典型关断延迟时间:60 ns 典型接通延迟时间:6 ns 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 长度:10.31mm |
| 通用MOSFET | SPB04N60S5ATMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:4.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5.5V @ 200µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22.9nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:580pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):50W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:950 毫欧 @ 2.8A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3-2 封装/外壳:PG-TO263-3 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V |
| 通用MOSFET | SPB04N60C3ATMA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:4.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 200µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:25nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:490pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):50W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:950 毫欧 @ 2.8A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO263-3-2 封装/外壳:PG-TO263-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4.5 A 漏源极电压Vds:650 V Rds On(Max)@Id,Vgs:0.95 0hms 栅极电压Vgs:3.9V 最小栅阈值电压:2.1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:D2PAK (TO-263) 引脚数目:3 晶体管配置:单 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET Pd-功率耗散(Max):50W 高度:4.57mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 封装/外壳:10.31 x 9.45 x 4.57mm 宽度:9.45mm 系列:CoolMOS C3 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:490 pF @ 25 V 典型关断延迟时间:58.5 ns 典型接通延迟时间:6 ns 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 长度:10.31mm |
| 通用MOSFET | SPA15N65C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:15A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 675µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:63nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1600pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):34W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:280 毫欧 @ 9.4A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | SPA21N50C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:21A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:95nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2400pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):34.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190 毫欧 @ 13.1A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-FP 封装/外壳:PG-TO220-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:15 A 漏源极电压Vds:650 V Rds On(Max)@Id,Vgs:280 m0hms 栅极电压Vgs:3.9V 最小栅阈值电压:2.1V 栅极电压Vgs:-20 V、+20 V 封装/外壳:TO-220FP 引脚数目:3 晶体管配置:单 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET Pd-功率耗散(Max):34W 最低工作温度:-55 °C 最高工作温度:+150 °C 每片芯片元件数目:1 Ohms 长度:10.65mm 高度:9.83mm 系列:CoolMOS C3 宽度:4.85mm 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:1660 pF @ 25 V 典型关断延迟时间:50 ns 典型接通延迟时间:10 ns 封装/外壳:10.65 x 4.85 x 9.83mm |
| 通用MOSFET | SPA20N60CFDXKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:124nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:2400pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):35W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:220 毫欧 @ 13.1A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-FP 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | SPA17N80C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 1mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:177nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2320pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):42W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:290mΩ@11A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:17A 漏源极电压Vds:800V 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | SPA16N50C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:16A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 675µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:66nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1600pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):34W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:280 毫欧 @ 10A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:PG-TO220-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:16 A 漏源极电压Vds:500 V Rds On(Max)@Id,Vgs:280 m0hms 栅极电压Vgs:3.9V 最小栅阈值电压:2.1V 栅极电压Vgs:±30V 封装/外壳:TO-220FP 晶体管配置:单 引脚数目:3 FET类型:增强 类别:功率 MOSFET Pd-功率耗散(Max):34W 宽度:4.57mm 最高工作温度:+150 °C 最低工作温度:-55 °C 高度:15.95mm 每片芯片元件数目:1 Ohms 正向跨导:14S 正向二极管电压:1.2V 系列:CoolMOS C3 封装/外壳:10.36 x 4.57 x 15.95mm 晶体管材料:Si 漏源极电压Vds:1600 pF @ 25 V 典型关断延迟时间:50 ns 典型接通延迟时间:10 ns 长度:10.36mm |
| 通用MOSFET | SPA15N60CFDXKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ 连续漏极电流Id:13.4A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 750µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:84nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1820pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):34W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:330m Ohms@9.4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:13.4A 漏源极电压Vds:650V 封装/外壳:PG-TO220-FP |
| 通用MOSFET | SPA12N50C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ 连续漏极电流Id:11.6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 500µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:49nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):33W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:380m Ohms@7A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:11.6A 漏源极电压Vds:560V 封装/外壳:PG-TO220-FP |
| 通用MOSFET | SPA11N80C3XKSA2 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:11A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 680µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:85nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1600pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):34W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:450 毫欧 @ 7.1A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:TO-220-3 隔离片 |
| 通用MOSFET | SPA11N80C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ 连续漏极电流Id:11A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 680µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:85nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1600pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):34W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:450m Ohms@7.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:11A 漏源极电压Vds:800V 封装/外壳:PG-TO220-FP |
| 通用MOSFET | SPA11N60CFDXKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:11A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:5V @ 1.9mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:64nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1200pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):33W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:440 毫欧 @ 7A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:PG-TO220-3 |
| 通用MOSFET | SPA08N80C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 470µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:60nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1100pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):40W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:650m Ohms@5.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:8A 漏源极电压Vds:800V 封装/外壳:PG-TO220-FP |
| 通用MOSFET | SPA08N50C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | 系列:CoolMOS™ FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:7.6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 350µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:32nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:750pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):32W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:600mΩ@4.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220-3 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:560V 连续漏极电流Id:7.6A 漏源极电压Vds:560V 封装/外壳:PG-TO220-FP |
| 通用MOSFET | SPA07N65C3XKSA1 | Infineon(英飞凌) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:7.3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.9V @ 350µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:27nC 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:790pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:25V Pd-功率耗散(Max):32W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:600 毫欧 @ 4.6A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 封装/外壳:PG-TO220FP 封装/外壳:PG-TO220-3 |