IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 通用MOSFET | BD62321HFP-TR | 电机类型 - AC，DC:有刷直流 功能:驱动器 - 全集成,控制和功率级 输出配置:半桥(2) 接口:开/关 电流 - 输出:3A 电压 - 电源:6 V ~ 32 V 工作温度:-40°C~150°C(TJ) 封装/外壳:HRP7 | |
| 通用MOSFET | SUP85N10-10-E3 | 连续漏极电流Id:85A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:10.5 mOhms @ 30A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):3.75W(Ta),250W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:100V | |
| 通用MOSFET | SUP80090E-GE3 | 系列:ThunderFET® FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:128A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:7.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:95nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3425pF @ 75V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9.4m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:128A | |
| 通用MOSFET | SUP57N20-33-E3 | 连续漏极电流Id:57A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:33 mOhms @ 30A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):3.75W(Ta),300W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:200V | |
| 通用MOSFET | SUP53P06-20-E3 | 连续漏极电流Id:9.2A(Ta),53A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:19.5 mOhms @ 30A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):3.1W(Ta),104.2W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:60V | |
| 通用MOSFET | SUP10250E-GE3 | 连续漏极电流Id:63A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) 封装/外壳:TO-220-3 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:250V | |
| 通用MOSFET | SUM70040E-GE3 | 连续漏极电流Id:120A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:4 mOhms @ 20A,10V Vgs(th):4V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:100V | |
| 通用MOSFET | SUM55P06-19L-E3 | 连续漏极电流Id:55A(Tc) FET类型:P-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:19 mOhms @ 30A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):3.75W(Ta),125W(Tc) 封装/外壳:TO-263AB 工作温度:-55℃~175℃ 漏源极电压Vds:60V | |
| 通用MOSFET | SUD23N06-31-GE3 | 连续漏极电流Id:21.4A(Tc) FET类型:N-Channel Vgs(最大值):±20V Rds On(Max)@Id,Vgs:31 mOhms @ 15A,10V Vgs(th):3V @ 250uA Pd-功率耗散(Max):5.7W(Ta),31.25W(Tc) 封装/外壳:TO-252-3 工作温度:-55℃~150℃ 漏源极电压Vds:60V | |
| 通用MOSFET | STY80NM60N | 系列:MDmesh™ II 连续漏极电流Id:74A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:360nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:10100pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):447W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:35m Ohms@37A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:Max247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:74A | |
| 通用MOSFET | STY60NM50 | 系列:MDmesh™ 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:266nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):560W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:50mΩ@30A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:Max247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:60A | |
| 通用MOSFET | STY60NK30Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:220nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:7200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):450W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:45m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:Max247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:300V 连续漏极电流Id:60A | |
| 通用MOSFET | STY145N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:138A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:414nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:18500pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):625W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:15m Ohms@69A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:Max247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:138A | |
| 通用MOSFET | STY139N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:130A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:363nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:15600pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):625W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:17m Ohms@65A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:Max247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:130A | |
| 通用MOSFET | STY112N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:96A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:350nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:16870pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):625W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:22m Ohms@47A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:Max247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:96A | |
| 通用MOSFET | STW9NK90Z | 系列:SuperMESH™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:72nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2115pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.3Ω@3.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 | |
| 通用MOSFET | STW7NK90Z | 系列:SuperMESH™ FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:5.8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:60.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):140W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2 Ohms@2.9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 | |
| 通用MOSFET | STW7N95K3 | 系列:SuperMESH3™ 连续漏极电流Id:7.2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:34nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1031pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.35 Ohms@3.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:950V 连续漏极电流Id:7.2A | |
| 通用MOSFET | STW78N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:69A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:203nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9000pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):450W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:32m Ohms@34.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:69A | |
| 通用MOSFET | STW77N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:69A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:200nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9800pF @ 100V 栅极电压Vgs:25V Pd-功率耗散(Max):400W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:38m Ohms@34.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:69A | |
| 通用MOSFET | STW75NF30 | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:164nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5930pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):320W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:45m Ohms@30A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:300V 连续漏极电流Id:60A | |
| 通用MOSFET | STW75NF20 | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:75A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:84nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3260pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:34m Ohms@37A,10V 工作温度:-50°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:75A | |
| 通用MOSFET | STW70N60M2 | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:68A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:118nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5200pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):450W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:40mΩ@34A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:68A | |
| 通用MOSFET | STW6N120K3 | 系列:SuperMESH3™ 连续漏极电流Id:6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:34nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1050pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.4 Ohms@2.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1200V 连续漏极电流Id:6A | |
| 通用MOSFET | STW62N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:46A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:142nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6420pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):330W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:49m Ohms@23A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:46A | |
| 通用MOSFET | STW5NK100Z | 系列:SuperMESH3™ 连续漏极电流Id:3.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:59nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1154pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3.7 Ohms@1.75A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:3.5A | |
| 通用MOSFET | STW57N65M5-4 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:42A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:98nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4200pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:63m Ohms@21A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-4 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:42A | |
| 通用MOSFET | STW56N60DM2 | 系列:MDmesh™ DM2 连续漏极电流Id:50A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:90nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4100pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):360W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:60m Ohms@25A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:50A | |
| 通用MOSFET | STW55NM60ND | 系列:FDmesh™ II 连续漏极电流Id:51A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:190nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5800pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):350W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:60m Ohms@25.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:51A | |
| 通用MOSFET | STW52NK25Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:52A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 150µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:160nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4850pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:45m Ohms@26A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:250V 连续漏极电流Id:52A | |
| 通用MOSFET | STW48NM60N | 系列:MDmesh™ II 连续漏极电流Id:44A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:124nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4285pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):330W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:70m Ohms@20A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:44A | |
| 通用MOSFET | STW48N60M2-4 | 系列:MDmesh™ M2 连续漏极电流Id:42A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:70nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3060pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:70m Ohms@21A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-4 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:42A | |
| 通用MOSFET | STW48N60M2 | 系列:MDmesh™ M2 连续漏极电流Id:42A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:70nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3060pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:70m Ohms@21A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:42A | |
| 通用MOSFET | STW45NM60 | 系列:MDmesh™ 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:45A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:134nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3800pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):417W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:110m Ohms@22.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:45A | |
| 通用MOSFET | STW45NM50 | 系列:MDmesh™ 连续漏极电流Id:45A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:117nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3700pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):417W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:100m Ohms@22.5A,10V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:45A | |
| 通用MOSFET | STW45N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:35A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:91nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3375pF @ 100V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):210W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:78m Ohms@19.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:35A | |
| 通用MOSFET | STW42N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:33A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:100nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4650pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:79m Ohms@16.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:33A | |
| 通用MOSFET | STW40NF20 | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:40A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:75nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:45m Ohms@20A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:40A | |
| 通用MOSFET | STW40N95K5 | 系列:MDmesh™ K5 连续漏极电流Id:38A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:93nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3300pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):450W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:130m Ohms@19A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:950V 连续漏极电流Id:38A | |
| 通用MOSFET | STW40N60M2 | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:34A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:57nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2500pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:88m Ohms@17A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:34A | |
| 通用MOSFET | STW38N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:30A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:71nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3000pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:95mΩ@15A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:30A | |
| 通用MOSFET | STW36NM60ND | 系列:FDmesh™ II 连续漏极电流Id:29A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2785pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:110m Ohms@14.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:29A | |
| 通用MOSFET | STW36N55M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:33A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:62nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2950pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:80m Ohms@16.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:550V 连续漏极电流Id:33A | |
| 通用MOSFET | STW34NM60ND | 系列:FDmesh™ II 连续漏极电流Id:29A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80.4nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2785pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:110m Ohms@14.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:29A | |
| 通用MOSFET | STW34NM60N | 系列:MDmesh™ II 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2722pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:105m Ohms@14.5A,10V 连续漏极电流Id:29A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 栅极电压Vgs:±25V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:29A | |
| 通用MOSFET | STW34N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:28A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:62.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2700pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:110m Ohms@14A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:28A | |
| 通用MOSFET | STW33N60M2 | 系列:MDmesh™ II Plus 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:26A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:45.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1781pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:125m Ohms@13A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:26A | |
| 通用MOSFET | STW31N65M5 | 系列:MDmesh™ V 连续漏极电流Id:22A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:45nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:816pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:148m Ohms@11A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:22A | |
| 通用MOSFET | STW28NM60ND | 系列:FDmesh™ II 连续漏极电流Id:23A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:62.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2090pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:150m Ohms@11.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:24A | |
| 通用MOSFET | STW28NM50N | 系列:MDmesh™ II 连续漏极电流Id:21A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1735pF @ 25V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:158m Ohms@10.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:21A | |
| 通用MOSFET | STW28N60M2 | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:24A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:37nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1370pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):170W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:150m Ohms@12A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:22A 最高工作温度:+ 150 C 190 W:Pd - 功率消耗 最低工作温度:- 55 C 标准包装数量:30 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 栅极电压Vgs:25V 连续漏极电流Id:24A Rds On(Max)@Id,Vgs:120mΩ 配置:Single 栅极电压Vgs:3V 37 nC:Qg - 闸极充电 | |
| 通用MOSFET | STW26NM50 | 系列:MDmesh™ 连续漏极电流Id:30A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:106nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):313W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:120m Ohms@13A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:30A | |
| 通用MOSFET | STW25NM60ND | 系列:FDmesh™ II 连续漏极电流Id:21A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:80nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2400pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:160m Ohms@10.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:21A | |
| 通用MOSFET | STW25N80K5 | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:19.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1600pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:260m Ohms@19.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:19.5A | |
| 通用MOSFET | STW24NM60N | 系列:MDmesh™ II 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:46nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1400pF @ 50V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ@8A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:17A | |
| 通用MOSFET | STW24N60M2 | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:18A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1060pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190mΩ@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:18A | |
| 通用MOSFET | STW24N60DM2 | 系列:FDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:18A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1055pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:200mΩ@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:18A | |
| 通用MOSFET | STW23NM50N | 系列:MDmesh™ II 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:45nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1330pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:190m Ohms@8.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:17A | |
| 通用MOSFET | STW22N95K5 | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:17.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:48nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1550pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:330m Ohms@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:950V 连续漏极电流Id:17.5A | |
| 通用MOSFET | STW21NM60ND | 系列:FDmesh™ II 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:60nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1800pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):140W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:220m Ohms@8.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:17A | |
| 通用MOSFET | STW21N90K5 | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:18.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:43nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1645pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V FET类型:电流感测 Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:299m Ohms@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:18.5A | |
| 通用MOSFET | STW21N150K5 | 系列:MDmesh™ K5 连续漏极电流Id:14A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:89nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3145pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):446W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:900m Ohms@7A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1500V 连续漏极电流Id:14A | |
| 通用MOSFET | STW20NM60FD | 系列:FDmesh™ 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:37nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):214W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:290m Ohms@10A,10V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20A | |
| 通用MOSFET | STW20NM60 | 系列:MDmesh™ 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:54nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):192W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:290m Ohms@10A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20A | |
| 通用MOSFET | STW20NM50FD | 系列:FDmesh™ 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:53nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1380pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):214W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:250m Ohms@10A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:20A | |
| 通用MOSFET | STW20NK50Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:119nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2600pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:270m Ohms@8.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:20A | |
| 通用MOSFET | STW20N95K5 | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:17.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1500pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:330m Ohms@9A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:950V 连续漏极电流Id:17.5A | |
| 通用MOSFET | STW19NM50N | 系列:MDmesh™ II 连续漏极电流Id:14A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:34nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1000pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:250m Ohms@7A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:14A | |
| 通用MOSFET | STW18NM80 | 系列:MDmesh™ 连续漏极电流Id:17A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:70nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2070pF @ 50V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:295m Ohms@8.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:17A | |
| 通用MOSFET | STW18N60M2 | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:13A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:21.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:791pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:280m Ohms@6.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:13A | |
| 通用MOSFET | STW18N60DM2 | 系列:MDmesh™ DM2 连续漏极电流Id:12A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:20nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:800pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):90W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:295m Ohms@6A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:12A | |
| 通用MOSFET | STW15NK90Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:15A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 150µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:256nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6100pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):350W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:550m Ohms@7.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:15A | |
| 通用MOSFET | STW15NK50Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:14A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:106nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2260pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:340m Ohms@7A,10V 工作温度:-50°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:14A | |
| 通用MOSFET | STW15N95K5 | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:12A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:40nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:900pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):170W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:500m Ohms@6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:950V 连续漏极电流Id:12A | |
| 通用MOSFET | STW15N80K5 | 系列:SuperMESH5™ 连续漏极电流Id:14A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:32nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1100pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:375m Ohms@7A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:14A | |
| 通用MOSFET | STW14NK50Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:14A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:92nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:380m Ohms@6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:14A | |
| 通用MOSFET | STW13NK60Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:13A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:92nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2030pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:550m Ohms@4.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:13A | |
| 通用MOSFET | STW13NK100Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:13A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 150µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:266nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:6000pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):350W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:700m Ohms@6.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:13A 漏源极电压Vds:1KV | |
| 通用MOSFET | STW12NK80Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:10.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:87nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2620pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):190W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:750m Ohms@5.25A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:10.5A | |
| 通用MOSFET | STW12N120K5 | 系列:MDmesh™ K5 连续漏极电流Id:12A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:44.2nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1370pF @ 100V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):250W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:690m Ohms@6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1200V 连续漏极电流Id:12A | |
| 通用MOSFET | STW11NM80 | 系列:MDmesh™ 连续漏极电流Id:11A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:43.6nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1630pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):150W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:400m Ohms@5.5A,10V 工作温度:-65°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:11A | |
| 通用MOSFET | STW11NK100Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:8.3A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:162nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3500pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):230W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.38 Ohms@4.15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:8.3A 漏源极电压Vds:1KV | |
| 通用MOSFET | STW10NK80Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:9A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:72nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2180pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:900m Ohms@4.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:9A | |
| 通用MOSFET | STW10NK60Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:10A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:70nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1370pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):156W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:750mΩ@4.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 封装/外壳:TO-247 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:10A | |
| 通用MOSFET | STU3N62K3 | 系列:SuperMESH3™ 连续漏极电流Id:2.7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:13nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:385pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):45W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.5 Ohms@1.4A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-251-3 ,IPak,TO-251AA 封装/外壳:IPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:620V 连续漏极电流Id:2.7A | |
| 通用MOSFET | STU3LN62K3 | 系列:SuperMESH3™ 连续漏极电流Id:2.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 50µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:386pF @ 50V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):45W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:3 Ohms@1.25A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-251-3 ,IPak,TO-251AA 封装/外壳:IPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:620V 连续漏极电流Id:2.5A | |
| 通用MOSFET | STU13N60M2 | 系列:MDmesh™ II Plus 连续漏极电流Id:11A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:580pF @ 100V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):110W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:380mΩ@5.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-251-3 ,IPak,TO-251AA 封装/外壳:IPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:12A | |
| 通用MOSFET | STU10NM60N | 系列:MDmesh™ II 连续漏极电流Id:10A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:19nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:540pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):70W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:550mΩ@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-251-3 ,IPak,TO-251AA 封装/外壳:IPAK FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:10A | |
| 通用MOSFET | STS8C5H30L | 系列:STripFET™ III 连续漏极电流Id:8A,5.4A Rds On(Max)@Id,Vgs:22mΩ@4A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:10nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:857pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):2W 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SO FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:8A/5.4A | |
| 通用MOSFET | STS5NF60L | 系列:STripFET™ 连续漏极电流Id:5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:17nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1250pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:55m Ohms@2.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:5A | |
| 通用MOSFET | STS4DPF30L | 系列:STripFET™ FET类型:2P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:80m Ohms@2A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:16nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1350pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):2W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SO FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:4A | |
| 通用MOSFET | STS4DNF60L | 系列:STripFET™ FET类型:2N-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:55m Ohms@2A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1030pF @ 25V Pd-功率耗散(Max):2W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SO 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:4A | |
| 通用MOSFET | STS11NF30L | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:11A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:30nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1440pF @ 25V 栅极电压Vgs:±18V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:10.5m Ohms@5.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:SO FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:11A | |
| 通用MOSFET | STP9NK90Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:72nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2115pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.3Ω@3.6A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:8A | |
| 通用MOSFET | STP9NK70ZFP | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:7.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:68nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1370pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):35W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.2 Ohms@4A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:700V 连续漏极电流Id:7.5A | |
| 通用MOSFET | STP9NK60Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:7A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:53nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1110pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:950m Ohms@3.5A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:7A | |
| 通用MOSFET | STP8NM50N | 系列:MDmesh™ II 连续漏极电流Id:5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:364pF @ 50V 栅极电压Vgs:±25V Pd-功率耗散(Max):45W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:790m Ohms@2.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:500V 连续漏极电流Id:5A | |
| 通用MOSFET | STP8NK80ZFP | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:6.2A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:46nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1320pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):30W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.5 Ohms@3.1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220FP FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:6.2A | |
| 通用MOSFET | STP8NK100Z | 系列:SuperMESH™ 连续漏极电流Id:6.5A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:102nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2180pF @ 25V 栅极电压Vgs:±30V Pd-功率耗散(Max):160W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:1.85 Ohms@3.15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:1000V 连续漏极电流Id:6.5A | |
| 通用MOSFET | STP80NF55L-06 | 系列:STripFET™ II 连续漏极电流Id:80A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:136nC @ 5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4850pF @ 25V 栅极电压Vgs:±16V Pd-功率耗散(Max):300W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:6.5m Ohms@40A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 封装/外壳:TO-220 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:55V 连续漏极电流Id:80A |