参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SPI07N60C3XKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO262-3 PG-TO262-3-1
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	295 [库存更新时间：2025-04-02]
标准包装数量	500
公司名称	CoolMOS
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	650 V
连续漏极电流Id	7.3 A
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.6 0hms
封装/外壳	PG-TO262-3
系列	SPI07N60
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	7.3A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	3.9V @ 350µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	27nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	790pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	83W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	600 毫欧 @ 4.6A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO262-3-1