参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SPD50P03LGBTMA1
说明	通用MOSFET   DPAK PG-TO252-5 PG-TO252-5
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	295 [库存更新时间：2025-04-02]
封装/外壳	DPAK
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	50A
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	50A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	126nC @ 10V
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	6880pF @ 25V
Pd-功率耗散(Max)	150W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	7 毫欧 @ 50A,10V
工作温度	-55°C ~ 175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO252-5
封装/外壳	PG-TO252-5
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V