参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SPB11N60S5ATMA1
说明	通用MOSFET   PG-TO263-3-2 PG-TO263-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	295 [库存更新时间：2025-11-15]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	600V
连续漏极电流Id	11A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5.5V @ 500µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	54nC
栅极电压Vgs	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	1460pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	25V
Pd-功率耗散(Max)	125W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	380 毫欧 @ 7A,10V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO263-3-2
封装/外壳	PG-TO263-3