参数	值
产品	通用MOSFET
型号编码	SPP18P06PHXKSA1
说明	通用MOSFET   PG-TO220-3 TO-220 PG-TO-220-3
品牌	Infineon(英飞凌)
起订量	0
最小包	0
现货	295 [库存更新时间：2025-04-02]
系列	SIPMOS®
FET类型	P-Channel
连续漏极电流Id	18.7A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）	4V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	28nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）	860pF @ 25V
栅极电压Vgs	±20V
Pd-功率耗散(Max)	81.1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	130m Ohms@13.2A,10V
工作温度	-55°C~175°C(TJ)
封装/外壳	PG-TO220-3
封装/外壳	TO-220
FET类型	P-Channel
漏源极电压Vds	60V
连续漏极电流Id	18.7A
漏源极电压Vds	60V
封装/外壳	PG-TO-220-3