IC普拉斯 元器件现货
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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 功率MOSFET | AOTL66608 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TOLLA FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:400A Pd-功率耗散(Max):500W Rds On(Max)@Id,Vgs:0.85mΩ@10V VGS(th):3.3 Ciss(pF):14200 Coss(pF):4300 Crss(pF):155 Qg*(nC):205* Qgd(nC):50 Td(on)(ns):33 Td(off)(ns):140 Trr(ns):50 Qrr(nC):265 |
| 功率MOSFET | RQ5E035BNTCL | ROHM(罗姆) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:3.5A(Ta) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 1mA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:6nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:250pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):1W(Ta) Rds On(Max)@Id,Vgs:37mΩ@3.5A,10V 工作温度:150°C(TJ) 封装/外壳:SC-96 |
| 功率MOSFET | AOD66923 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TO-252 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:58A Pd-功率耗散(Max):73W Rds On(Max)@Id,Vgs:11mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:15mΩ VGS(th):2.6 Ciss(pF):1725 Coss(pF):360 Crss(pF):7.5 Qg*(nC):12.5 Qgd(nC):3.5 Trr(ns):41 Qrr(nC):156 |
| 功率MOSFET | AO8801A | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TSSOP-8 FET类型:P-Channel ESD Diode:Yes Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:-20V 栅极电压Vgs:8V 连续漏极电流Id:-4.5A Pd-功率耗散(Max):1.5W Rds On(Max)@Id,Vgs:42mΩ@4.5V Rds On(Max)@2.5V:54mΩ Rds On(Max)@1.8V:68mΩ VGS(th):-0.9 Ciss(pF):751 Coss(pF):115 Crss(pF):80 Qg*(nC):9.3 Qgd(nC):22 Ohms Td(on)(ns):13 Td(off)(ns):19 Trr(ns):26 Qrr(nC):51 |
| 功率MOSFET | SPW11N60S5 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:11A Rds On(Max)@Id,Vgs:380mΩ 栅极电压Vgs:20V 配置:Single Pd-功率耗散(Max):125W 高度:21.1mm 长度:16.13mm 系列:CoolMOSS5 FET类型:N-Channel 宽度:5.21mm 下降时间:20ns 上升时间:35ns 典型关闭延迟时间:150ns 典型接通延迟时间:130ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SCT3022ALGC11 | ROHM(罗姆) | 系列:SCT FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:650V 连续漏极电流Id:93A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:18V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5.6V @ 18.2mA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:133nC @ 18V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:2208pF @ 500V 栅极电压Vgs:+22V,-4V Pd-功率耗散(Max):339W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:28.6mΩ@36A,18V 工作温度:175°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 功率MOSFET | PJQ5474A_R2_00001 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:DFN5060-8L 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:50mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:55mΩ@4.5V FET类型:N-Channel |
| 功率MOSFET | BSC040N10NS5 | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TDSON-8 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:100A Rds On(Max)@Id,Vgs:4mΩ 栅极电压Vgs:10V Qg-栅极电荷:58nC 配置:SingleQuadDrainTripleSource Pd-功率耗散(Max):139W 高度:1.27mm 长度:5.9mm 系列:OptiMOS5 FET类型:N-Channel 宽度:5.15mm 正向跨导 - 最小值:60S 开发套件:EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7 下降时间:10ns 上升时间:9ns 典型关闭延迟时间:32ns 典型接通延迟时间:13ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | PJA3441-AU_R1_000A1 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:SOT-23 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:88mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:108mΩ@4.5V FET类型:P-Channel |
| 功率MOSFET | VS-FC270SA20 | Vishay(威世) | 封装/外壳:SOT-227-4 配置:Single FET类型:N-Channel 下降时间:118ns 连续漏极电流Id:287A Pd-功率耗散(Max):937W Rds On(Max)@Id,Vgs:4.7mΩ 上升时间:212ns 典型关闭延迟时间:134ns 典型接通延迟时间:76ns 漏源极电压Vds:200V 栅极电压Vgs:1.8V 工作温度:-40°C~150°C |
| 功率MOSFET | SQM40031EL_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:120A Pd-功率耗散(Max):375W Qg-栅极电荷:800nC Rds On(Max)@Id,Vgs:2.5mΩ 漏源极电压Vds:40V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:30ns 下降时间:165ns 典型关闭延迟时间:250ns 典型接通延迟时间:21ns 宽度:9.65mm 封装/外壳:TO-263-3 正向跨导 - 最小值:123S 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:10.67mm 高度:4.83mm 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SQJ416EP-T1_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:27A Pd-功率耗散(Max):45W Qg-栅极电荷:20nC Rds On(Max)@Id,Vgs:22mΩ 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:20ns 下降时间:20ns 典型关闭延迟时间:11ns 典型接通延迟时间:6ns 宽度:5.13mm 封装/外壳:PowerPAK-SO-8L-4 正向跨导 - 最小值:22S 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:6.15mm 高度:1.04mm 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SISS26DN-T1-GE3 | Vishay(威世) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.6V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:37nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1710pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:30V Pd-功率耗散(Max):57W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.5mΩ@15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK®1212-8S |
| 功率MOSFET | SIHG22N60AE-GE3 | Vishay(威世) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:20A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:96nC @ 10V 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:1451pF @ 100V Pd-功率耗散(Max):179W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:180mΩ@11A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247-3 |
| 功率MOSFET | BSZ086P03NS3E G | Infineon(英飞凌) | 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4785pF @ 15V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 漏源极电压Vds:30V 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:3.1V @ 105µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:57.5nC @ 10V 通道数量:1Channel 连续漏极电流Id:40A Rds On(Max)@Id,Vgs:6.5mΩ 栅极电压Vgs:25V Qg-栅极电荷:57.5nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):69W 高度:1.10mm 长度:3.3mm 系列:OptiMOSP3 FET类型:P-Channel 正向跨导 - 最小值:30S 下降时间:8ns 上升时间:46ns 典型关闭延迟时间:35ns 典型接通延迟时间:16ns |
| 功率MOSFET | AOD2544 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TO-252 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:150V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:23A Pd-功率耗散(Max):75W Rds On(Max)@Id,Vgs:54mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:66mΩ VGS(th):2.7 Ciss(pF):675 Coss(pF):78 Crss(pF):4 Qg*(nC):5.5 Qgd(nC):2.5 Td(on)(ns):6 Td(off)(ns):20 Trr(ns):37 Qrr(nC):210 |
| 功率MOSFET | BSC100N10NSF G | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:90A Rds On(Max)@Id,Vgs:10mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:44nC 配置:SingleQuadDrainTripleSource Pd-功率耗散(Max):156W 高度:1.27mm 长度:5.9mm 系列:OptiMOS2 宽度:5.15mm 正向跨导 - 最小值:61S,31S 下降时间:7ns 上升时间:23ns 典型关闭延迟时间:26ns 典型接通延迟时间:18ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | AO4443 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:SO-8 FET类型:P-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:-40V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:-6A Pd-功率耗散(Max):3.1W Rds On(Max)@Id,Vgs:42mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:63mΩ VGS(th):-2.6 Ciss(pF):940 Coss(pF):97 Crss(pF):72 Qg*(nC):8.4 Qgd(nC):4.3 Td(on)(ns):10.3 Td(off)(ns):39 Trr(ns):17 Qrr(nC):11.5 |
| 功率MOSFET | AON6284A | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:DFN 5x6 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:80V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:48A Pd-功率耗散(Max):56W Rds On(Max)@Id,Vgs:6.5mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:8.5mΩ VGS(th):2.3 Ciss(pF):2540 Coss(pF):310 Crss(pF):18.5 Qg*(nC):16.5* Qgd(nC):6 Td(on)(ns):9 Td(off)(ns):23 Trr(ns):23 Qrr(nC):91 |
| 功率MOSFET | VAS03R0120PF | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:TO220 Pd-功率耗散(Max):52.1W |
| 功率MOSFET | SI7129DN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:71nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3345pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.8W(Ta),52.1W(Tc) 工作温度:-50°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:35A Rds On(Max)@Id,Vgs:16mΩ |
| 功率MOSFET | SI7224DN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:14.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:570pF @ 15V Pd-功率耗散(Max):17.8W,23W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:6A Rds On(Max)@Id,Vgs:27mΩ,22mΩ |
| 功率MOSFET | SUP70090E-GE3 | Vishay(威世) | 系列:ThunderFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:7.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:50nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1950pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):125W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB-3 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:50A Rds On(Max)@Id,Vgs:7.4mΩ 漏源极电压Vds:2V |
| 功率MOSFET | SIHA15N60E-GE3 | Vishay(威世) | 系列:E Pd-功率耗散(Max):34W 电压:600V |
| 功率MOSFET | AOC3868 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:AlphaDFN2.7x1.81A FET类型:N-Channel ESD Diode:Yes Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:12V 栅极电压Vgs:8V 连续漏极电流Id:20A Pd-功率耗散(Max):2.5W Rds On(Max)@Id,Vgs:5mΩ@4.5V Rds On(Max)@2.5V:7mΩ VGS(th):1.1 Qg*(nC):35 |
| 功率MOSFET | SIR622DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:ThunderFET® 连续漏极电流Id:51.6A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:7.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:31nC @ 7.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1516pF @ 75V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):104W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:17.7mΩ@20A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK®SO-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V |
| 功率MOSFET | SI3476DV-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:7.5nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:195pF @ 40V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2W(Ta),3.6W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSOP-6 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:4.6A Rds On(Max)@Id,Vgs:105mΩ 漏源极电压Vds:3V |
| 功率MOSFET | PJQ5476AL-AU_R2_000A1 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:DFN5060-8L 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:25mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:28.5mΩ@4.5V FET类型:N-Channel |
| 功率MOSFET | SQD30N05-20L_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:30A Pd-功率耗散(Max):50W Qg-栅极电荷:18nC Rds On(Max)@Id,Vgs:16mΩ 漏源极电压Vds:55V 栅极电压Vgs:1.5V 上升时间:10ns 下降时间:5ns 典型关闭延迟时间:18ns 典型接通延迟时间:7ns 封装/外壳:TO-252-3 正向跨导 - 最小值:34S 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SIR664DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:60A Pd-功率耗散(Max):50W Qg-栅极电荷:26nC Rds On(Max)@Id,Vgs:6mΩ 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:1.3V 上升时间:12ns 下降时间:7ns 典型关闭延迟时间:24ns 典型接通延迟时间:10ns 封装/外壳:PowerPAK-SO-8 正向跨导 - 最小值:70S 系列:SIR 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SI7463ADP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:144nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4150pF @ 20V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):5W(Ta),39W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:10mΩ@15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:16.6A |
| 功率MOSFET | SIJ494DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:ThunderFET® FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:36.8A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:7.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:31nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1070pF @ 75V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):69.4W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:23.2mΩ@15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK®SO-8 |
| 功率MOSFET | AO4629 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:SO-8 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:6A Pd-功率耗散(Max):2W Rds On(Max)@Id,Vgs:30mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:42mΩ VGS(th):2.4 Ciss(pF):250 Coss(pF):45 Crss(pF):35 Qg*(nC):2.55 Qgd(nC):1.3 Td(on)(ns):4.5 Td(off)(ns):14.5 Trr(ns):8.5 Qrr(nC):2.2 |
| 功率MOSFET | SQ3469EV-T1_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:8A Pd-功率耗散(Max):5W Qg-栅极电荷:27nC Rds On(Max)@Id,Vgs:29mΩ 漏源极电压Vds:20V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:10ns 下降时间:10ns 典型关闭延迟时间:32ns 典型接通延迟时间:13ns 封装/外壳:TSOP-6 正向跨导 - 最小值:12S 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | AOD4184L | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TO252 Pd-功率耗散(Max):50W |
| 功率MOSFET | VAM3400T | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):1.25W |
| 功率MOSFET | VAT2301AT | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):1.25W |
| 功率MOSFET | VAT3401AT | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):1.4W |
| 功率MOSFET | AON7516 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:DFN 3x3 EP FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:30V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:30A Pd-功率耗散(Max):25W Rds On(Max)@Id,Vgs:4.5mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:6.8mΩ VGS(th):2.2 Ciss(pF):1229 Coss(pF):526 Crss(pF):83 Qg*(nC):12 Qgd(nC):5.5 Td(on)(ns):7 Td(off)(ns):24 Trr(ns):12.6 Qrr(nC):15.2 |
| 功率MOSFET | SIHG22N60AEL-GE3 | Vishay(威世) | 封装/外壳:TO-247AC-3 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:21A Rds On(Max)@Id,Vgs:180mΩ 栅极电压Vgs:10V Qg-栅极电荷:41nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):208W 系列:EL FET类型:N-Channel 正向跨导 - 最小值:16S 下降时间:28ns 上升时间:24ns 典型关闭延迟时间:86ns 典型接通延迟时间:27ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | AONS66612 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:DFN 5x6 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:100A Pd-功率耗散(Max):208W Rds On(Max)@Id,Vgs:1.65mΩ@10V VGS(th):3.5 Ciss(pF):5300 Coss(pF):1500 Crss(pF):50 Qg*(nC):78 Qgd(nC):20 Trr(ns):30 Qrr(nC):135 |
| 功率MOSFET | AONS66916 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:DFN 5x6 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:100A Pd-功率耗散(Max):215W Rds On(Max)@Id,Vgs:3.6mΩ@10V VGS(th):3.6 Ciss(pF):5325 Coss(pF):1240 Crss(pF):16 Qg*(nC):67* Qgd(nC):9 Trr(ns):42 Qrr(nC):215 |
| 功率MOSFET | VAM3400AT | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOT23 Pd-功率耗散(Max):1W |
| 功率MOSFET | LP4435T1G | LRC(乐山无线电) | 漏源极电压Vds:30V Rds On(Max)@Id,Vgs:37 @VGS(V)/IDS(A):4.5/6 FET类型:P-Channel 封装/外壳:SOP8 Pd-功率耗散(Max):1W |
| 功率MOSFET | IPA90R1K2C3 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:5.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:940mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:28nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):31W 高度:16.15mm 长度:10.65mm 系列:CoolMOSC3 FET类型:N-Channel 宽度:4.85mm 下降时间:40ns 上升时间:20ns 典型关闭延迟时间:400ns 典型接通延迟时间:70ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | IPA90R800C3 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:900V 连续漏极电流Id:6.9A Rds On(Max)@Id,Vgs:800mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:42nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):33W 高度:16.15mm 长度:10.65mm 系列:CoolMOSC3 FET类型:N-Channel 宽度:4.85mm 下降时间:32ns 上升时间:20ns 典型关闭延迟时间:400ns 典型接通延迟时间:70ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SIR484DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:23nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:830pF @ 10V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.9W(Ta),29.8W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:20A Rds On(Max)@Id,Vgs:9.5mΩ |
| 功率MOSFET | SQM120N10-3M8_GE3 | Vishay(威世) | 封装/外壳:TO-263 Pd-功率耗散(Max):375W 电压:100V |
| 功率MOSFET | AOTF8N80B | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TO220F Pd-功率耗散(Max):50W |
| 功率MOSFET | AOTF8N80 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TO-220F FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:800V 栅极电压Vgs:30V 连续漏极电流Id:7.4A Pd-功率耗散(Max):50W Rds On(Max)@Id,Vgs:1630mΩ@10V VGS(th):4.5 Ciss(pF):1375 Coss(pF):101 Crss(pF):11 Qg*(nC):26 Qgd(nC):9.1 Td(on)(ns):35 Td(off)(ns):69 Trr(ns):484 Qrr(nC):6000 |
| 功率MOSFET | IPA60R160P6 | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:23.8A Rds On(Max)@Id,Vgs:144mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:44nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):34W 高度:16.15mm 长度:10.65mm 系列:CoolMOSP6 FET类型:N-Channel 宽度:4.85mm 下降时间:5.8ns 上升时间:7.6ns 典型关闭延迟时间:40ns 典型接通延迟时间:12.5ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SQP120N06-3M5L_GE3 | Vishay(威世) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:120A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:330nC @ 10V 栅极电压Vgs:±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:14700pF @ 25V Rds On(Max)@Id,Vgs:3.5mΩ@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220AB Pd-功率耗散(Max):250W 电压:60V |
| 功率MOSFET | SQJA04EP-T1_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:75A Pd-功率耗散(Max):68W Qg-栅极电荷:35nC Rds On(Max)@Id,Vgs:6.2mΩ 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:3V 上升时间:5ns 下降时间:5ns 典型关闭延迟时间:25ns 典型接通延迟时间:15ns 封装/外壳:PowerPAK-SO-8L-4 FET类型:N-Channel 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SQJ420EP-T1_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:30A Pd-功率耗散(Max):45W Qg-栅极电荷:41nC Rds On(Max)@Id,Vgs:8.2mΩ 漏源极电压Vds:40V 栅极电压Vgs:1.5V 上升时间:4ns 下降时间:5ns 典型关闭延迟时间:25ns 典型接通延迟时间:10ns 封装/外壳:PowerPAK-SO-8L-4 正向跨导 - 最小值:68S 系列:TrenchFET 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SQJA88EP-T1_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:30A Pd-功率耗散(Max):48W Qg-栅极电荷:35nC Rds On(Max)@Id,Vgs:7mΩ 漏源极电压Vds:40V 栅极电压Vgs:2V 上升时间:4ns 下降时间:6ns 典型关闭延迟时间:25ns 典型接通延迟时间:12ns 封装/外壳:PowerPAK-SO-8L-4 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SQJ860EP-T1_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:60A Pd-功率耗散(Max):48W Qg-栅极电荷:55nC Rds On(Max)@Id,Vgs:5mΩ 漏源极电压Vds:40V 栅极电压Vgs:1.5V 上升时间:5ns 下降时间:5ns 典型关闭延迟时间:30ns 典型接通延迟时间:10ns 宽度:5.13mm 封装/外壳:PowerPAK-SO-8L-4 正向跨导 - 最小值:78S 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:6.15mm 高度:1.04mm 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SQ7414CENW-T1_GE3 | Vishay(威世) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:18A Rds On(Max)@Id,Vgs:23mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:25nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):62W FET类型:N-Channel 正向跨导 - 最小值:50S 下降时间:15ns 上升时间:13ns 典型关闭延迟时间:22ns 典型接通延迟时间:8ns 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | VAS15R0650OP | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:SOP8 Pd-功率耗散(Max):2.5W |
| 功率MOSFET | SIHG22N60AEL-T1-GE3 | Vishay(威世) | 封装/外壳:TO-247AC Pd-功率耗散(Max):208W 电压:600V |
| 功率MOSFET | SIHG47N60AE-GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:43A Pd-功率耗散(Max):313W Qg-栅极电荷:121nC Rds On(Max)@Id,Vgs:56mΩ 漏源极电压Vds:600V 栅极电压Vgs:4V 上升时间:90ns 下降时间:63ns 典型关闭延迟时间:108ns 典型接通延迟时间:34ns 封装/外壳:TO-247AC-3 系列:E 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SI6562CDQ-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:23nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:850pF @ 10V Pd-功率耗散(Max):1.6W,1.7W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TSSOP-8 FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:20V 连续漏极电流Id:5.7A Rds On(Max)@Id,Vgs:18mΩ,24mΩ |
| 功率MOSFET | IRF3205PBF | Infineon(英飞凌) | 系列:HEXFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:146nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3247pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):200W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:8mΩ@62A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:110A 漏源极电压Vds:55V 封装/外壳:TO-220AB |
| 功率MOSFET | IRFB3306PBF | Infineon(英飞凌) | 系列:HEXFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 150µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:120nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4520pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):230W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.2mΩ@75A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:160A 漏源极电压Vds:60V 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:120nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:4520pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:50V 封装/外壳:TO-220AB |
| 功率MOSFET | IRFR7540TRPBF | Infineon(英飞凌) | 系列:StrongIRFET™ 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:6V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3.7V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:130nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4360pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):140W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:4.8mΩ@66A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:110A 漏源极电压Vds:60V 封装/外壳:D-PAK(TO-252AA) |
| 功率MOSFET | SIHD2N80E-GE3 | Vishay(威世) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:2.8A(Tc) 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:19.6nC 栅极电压Vgs:±30V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:315pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:100V Pd-功率耗散(Max):62.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.75Ω@1A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V |
| 功率MOSFET | AOTF5N50B | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TO220F Pd-功率耗散(Max):35W |
| 功率MOSFET | SIS412DN-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:12nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:435pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.2W(Ta),15.6W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPak1212-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:12A Rds On(Max)@Id,Vgs:24mΩ |
| 功率MOSFET | SI4386DY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:SI4 封装/外壳:SO-8 Pd-功率耗散(Max):3.1W 电压:30V |
| 功率MOSFET | SQM35N30-97_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:35A Pd-功率耗散(Max):375W Qg-栅极电荷:130nC Rds On(Max)@Id,Vgs:78mΩ 漏源极电压Vds:300V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:40ns 下降时间:20ns 典型关闭延迟时间:35ns 典型接通延迟时间:20ns 封装/外壳:TO-263-3 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SQJQ910EL-T1_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:70A Pd-功率耗散(Max):187W Qg-栅极电荷:46nC Rds On(Max)@Id,Vgs:8.6mΩ 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:2V 上升时间:4ns 下降时间:7ns 典型关闭延迟时间:33ns 典型接通延迟时间:11ns 封装/外壳:PowerPAK-8x8-4 FET类型:N-Channel 系列:SQ 通道数量:2Channel 配置:Dual 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SQJQ410EL-T1_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:135A Pd-功率耗散(Max):136W Qg-栅极电荷:150nC Rds On(Max)@Id,Vgs:2.8mΩ 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:1.5V 上升时间:40ns 下降时间:87ns 典型关闭延迟时间:69ns 典型接通延迟时间:19ns 封装/外壳:PowerPAK-8x8L-4 正向跨导 - 最小值:84S 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SIRA60DP-T1-RE3 | Vishay(威世) | FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:100A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）:2.2V @ 250µA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:125nC 电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs:10V 栅极电压Vgs:+20V,-16V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）:7650pF 电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds:15V Rds On(Max)@Id,Vgs:0.94mΩ@20A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK®SO-8 Pd-功率耗散(Max):57W 电压:30V |
| 功率MOSFET | SQR40N10-25_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:40A Pd-功率耗散(Max):136W Qg-栅极电荷:70nC Rds On(Max)@Id,Vgs:19mΩ 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:1.5V 上升时间:11ns 下降时间:6ns 典型关闭延迟时间:27ns 典型接通延迟时间:11ns 宽度:6.22mm 封装/外壳:TO-252-Reverse-3 正向跨导 - 最小值:73S 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 长度:6.73mm 高度:2.33mm 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | IPB025N08N3 G | Infineon(英飞凌) | 封装/外壳:PG-TO263-3 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:80V 连续漏极电流Id:120A Rds On(Max)@Id,Vgs:2.5mΩ 栅极电压Vgs:20V 配置:Single Pd-功率耗散(Max):300W 高度:4.4mm 长度:10mm 系列:OptiMOS3 FET类型:N-Channel 宽度:9.25mm 下降时间:33ns 上升时间:73ns 典型关闭延迟时间:86ns 典型接通延迟时间:28ns 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | IRFIBE30GPBF | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:78nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1300pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):35W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:800V 连续漏极电流Id:2.1A Rds On(Max)@Id,Vgs:3Ω |
| 功率MOSFET | DMC4050SSD-13 | Diodes(达尔（美台）) | Rds On(Max)@Id,Vgs:45mΩ@3A,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:1.8V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:37.56nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1790.8pF @ 20V Pd-功率耗散(Max):1.8W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SO FET类型:N+P-Channel 漏源极电压Vds:40V 连续漏极电流Id:5.8A |
| 功率MOSFET | SIHA22N60AEL-GE3 | Vishay(威世) | 封装/外壳:TO-220FP-3 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:600V 连续漏极电流Id:21A Rds On(Max)@Id,Vgs:180mΩ 栅极电压Vgs:10V Qg-栅极电荷:41nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):35W 系列:EL FET类型:N-Channel 正向跨导 - 最小值:16S 下降时间:28ns 上升时间:24ns 典型关闭延迟时间:86ns 典型接通延迟时间:27ns 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | PJD6N10A-AU_L2_000A1 | Panjit(强茂) | |
| 功率MOSFET | VAS03R0130PF | Chiplead(奇力) | 封装/外壳:TO220 Pd-功率耗散(Max):52.1w |
| 功率MOSFET | IRFP260PBF | Vishay(威世) | 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:230nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):280W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:55mΩ@28A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:TO-247AC FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:46A |
| 功率MOSFET | AOD478 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TO-252 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:100V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:11A Pd-功率耗散(Max):45W Rds On(Max)@Id,Vgs:140mΩ@10V Rds On(Max)@4.5V:152mΩ VGS(th):2.8 Ciss(pF):445 Coss(pF):29 Crss(pF):16 Qg*(nC):5.1 Ohms Qgd(nC):2.4 Td(on)(ns):8 Td(off)(ns):17 Trr(ns):21 Qrr(nC):97 |
| 功率MOSFET | PJQ5466A_R2_00001 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:DFN5060-8L 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:21mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:24mΩ@4.5V FET类型:N-Channel |
| 功率MOSFET | PJD50P04_L2_00001 | Panjit(强茂) | 封装/外壳:TO-252AA 通道数:Single 栅极电压Vgs:20V Rds On(max)@Id,Vgs:12mΩ@10V Rds On(max)@Id,Vgs:17.5mΩ@4.5V FET类型:P-Channel |
| 功率MOSFET | SUM80090E-GE3 | Vishay(威世) | 系列:ThunderFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:7.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:95nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3425pF @ 75V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):375W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:9mΩ@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak,TO-263AB FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:150V 连续漏极电流Id:128A |
| 功率MOSFET | SIHA22N60AE-GE3 | Vishay(威世) | 系列:E Pd-功率耗散(Max):33W 电压:600V |
| 功率MOSFET | IRFR4510TRPBF | Infineon(英飞凌) | 系列:HEXFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:4V @ 100µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:81nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:3031pF @ 50V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):143W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:13.9mΩ@38A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:63A 漏源极电压Vds:100V 封装/外壳:D-Pak |
| 功率MOSFET | SI7288DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.8V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:15nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:565pF @ 20V Pd-功率耗散(Max):15.6W 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 连续漏极电流Id:20A Rds On(Max)@Id,Vgs:15.6mΩ |
| 功率MOSFET | SUP90P06-09L-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:240nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:9200pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.4W(Ta),250W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-220-3 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:90A Rds On(Max)@Id,Vgs:9.3mΩ |
| 功率MOSFET | SIR184DP-T1-RE3 | Vishay(威世) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:73A Rds On(Max)@Id,Vgs:4.7mΩ 栅极电压Vgs:10V Qg-栅极电荷:21nC 配置:Single FET类型:N-Channel 下降时间:6ns 上升时间:6ns 典型关闭延迟时间:20ns 典型接通延迟时间:11ns Pd-功率耗散(Max):62.5W 电压:60V 工作温度:-55°C~150°C |
| 功率MOSFET | SIRA54DP-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® Gen IV 连续漏极电流Id:60A(Tc) 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:48nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5300pF @ 20V 栅极电压Vgs:+20V,-16V Pd-功率耗散(Max):36.7W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:2.35mΩ@15A,10V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:PowerPAK®SO-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:40V |
| 功率MOSFET | SI9407BDY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:22nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:600pF @ 30V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):2.4W(Ta),5W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:3.2A Rds On(Max)@Id,Vgs:120mΩ |
| 功率MOSFET | SI4126DY-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:105nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:4405pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.5W(Ta),7.8W(Tc) 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOIC-8 FET类型:N-Channel 漏源极电压Vds:30V 连续漏极电流Id:39A Rds On(Max)@Id,Vgs:2.7mΩ |
| 功率MOSFET | SUM110P06-07L-E3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:3V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:345nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:11400pF @ 25V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):3.75W(Ta),375W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:6.9mΩ@30A,10V 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:D2PAK FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:60V 连续漏极电流Id:110A |
| 功率MOSFET | SI2329DS-T1-GE3 | Vishay(威世) | 系列:TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:1.2V,4.5V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:800mV @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:29nC @ 4.5V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:1485pF @ 4V 栅极电压Vgs:±5V Pd-功率耗散(Max):2.5W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs:30mΩ@5.3A,4.5V 工作温度:-55°C~150°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:8V 连续漏极电流Id:5.3A |
| 功率MOSFET | SQJB80EP-T1_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:30A Pd-功率耗散(Max):48W Qg-栅极电荷:32nC Rds On(Max)@Id,Vgs:15.5mΩ 漏源极电压Vds:80V 栅极电压Vgs:1.5V 上升时间:3ns 下降时间:24ns 典型关闭延迟时间:23ns 典型接通延迟时间:10ns 封装/外壳:PowerPAK-SO-8L-4 正向跨导 - 最小值:29S 系列:SQ 通道数量:2Channel 配置:Dual 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SQJB68EP-T1_GE3 | Vishay(威世) | 封装/外壳:PowerPAK SO-8 通道数量:2 Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:11A Rds On(Max)@Id,Vgs:92mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:8 nC 配置:Dual Pd-功率耗散(Max):27W 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SQSA80ENW-T1_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:18A Pd-功率耗散(Max):62.5W Qg-栅极电荷:17nC Rds On(Max)@Id,Vgs:21mΩ 漏源极电压Vds:80V 栅极电压Vgs:2V 上升时间:2ns 下降时间:5ns 典型关闭延迟时间:19ns 典型接通延迟时间:9ns 封装/外壳:PowerPAK-1212-8 FET类型:N-Channel 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | IPB107N20N3 G | Infineon(英飞凌) | 通道数量:1Channel 漏源极电压Vds:200V 连续漏极电流Id:88A Rds On(Max)@Id,Vgs:9.6mΩ 栅极电压Vgs:20V Qg-栅极电荷:87nC 配置:Single Pd-功率耗散(Max):300W 高度:4.4mm 长度:10mm 系列:OptiMOS3 FET类型:N-Channel 宽度:9.25mm 正向跨导 - 最小值:71S 下降时间:11ns 上升时间:26ns 典型关闭延迟时间:41ns 典型接通延迟时间:18ns 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SQJ465EP-T1_GE3 | Vishay(威世) | 连续漏极电流Id:8A Pd-功率耗散(Max):45W Qg-栅极电荷:40nC Rds On(Max)@Id,Vgs:70mΩ 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:2.5V 上升时间:13ns 下降时间:8ns 典型关闭延迟时间:36ns 典型接通延迟时间:11ns 封装/外壳:PowerPAK-SO-8L-4 正向跨导 - 最小值:10S 系列:SQ 通道数量:1Channel 配置:Single 工作温度:-55°C~175°C |
| 功率MOSFET | SQD40P10-40L_GE3 | Vishay(威世) | 系列:汽车级,AEC-Q101,TrenchFET® 驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）:4.5V,10V 不同Id时的Vgs（th）（最大值）:2.5V @ 250µA 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）:144nC @ 10V 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）:5540pF @ 15V 栅极电压Vgs:±20V Pd-功率耗散(Max):136W(Tc) 工作温度:-55°C~175°C(TJ) 封装/外壳:TO-252 FET类型:P-Channel 漏源极电压Vds:100V 连续漏极电流Id:38A Rds On(Max)@Id,Vgs:48mΩ |