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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| 未分类 | AOZ2151EQI-30 | AOS(万国半导体) | |
| 功率MOSFET | AOB66616L | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:TO-263 FET类型:N-Channel ESD Diode:No Schottky Diode:No 漏源极电压Vds:60V 栅极电压Vgs:20V 连续漏极电流Id:140A Pd-功率耗散(Max):125W Rds On(Max)@Id,Vgs:3.2mΩ@10V VGS(th):3.4 Ciss(pF):2870 Coss(pF):940 Crss(pF):38 Qg*(nC):42.5 Qgd(nC):10 Trr(ns):26 Qrr(nC):87 |
| 未分类 | AOZ1375DI-01 | AOS(万国半导体) |