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| 产品 | 型号 | 品牌 | 参数 |
| TVS二极管单管 | AOZ8841DI-05 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:2A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8831DT-24 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:24V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:1.2A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8831DT-05 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:15A 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8831DT-03 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:3.6V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:6A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8831DI-05 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:2A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8831ADI-05 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:2.5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8821DT-03 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:3.6V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:6A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8811DT-03 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:3.6V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:6A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管阵列 | AOZ8809ADI-05 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:5A 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN10 |
| TVS二极管阵列 | AOZ8804ADI | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:12A(100ns) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN10 |
| TVS二极管阵列 | AOZ8802ADI | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:12A(100ns) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN6 |
| 浪涌TVS | AOZ8328DI | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:2.5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:25A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:DFN10 |
| 浪涌TVS | AOZ8318DI | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:2.5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:25A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN10 |
| 未分类 | AOZ8312DI | AOS(万国半导体) | FET类型:转向装置(轨至轨) 单向通道:5 反向对峙电压VRWM:2.5V(最大) 击穿电压VBR(min):2.8V 箝位电压VCL(max):9V 峰值脉冲电流Ipp:18A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:160W 电源线路保护:是 不同频率时的电容:2.3pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:12-uFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:12-DFN-EP(3.5x2.5) 二极管类型:瞬态阵列 关闭状态最大电压:2.5V 半导体结构:双向 半导体设备特性:ESD 保护 安装:SMD 封装/外壳:DFN12 断开电压:2.8V 最大正向脉冲电流:18A 容值:2.3pF 耗电:160W 通道数量:12 |
| 未分类 | AOZ8311DI-26 | AOS(万国半导体) | FET类型:齐纳 单向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:26V(最大) 击穿电压VBR(min):28.6V 箝位电压VCL(max):46V 峰值脉冲电流Ipp:9A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:410W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:90pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:0603 封装/外壳:2-DFN (1.6x0.8) 二极管类型:transil 关闭状态最大电压:26V 半导体结构:单向 安装:SMD 封装/外壳:DFN2 断开电压:28.6V 最大正向脉冲电流:9A 漏电电流:0.1µA 容值:90pF 耗电:410W |
| 未分类 | AOZ8300CI-05 | AOS(万国半导体) | FET类型:转向装置(轨至轨) 单向通道:4 反向对峙电压VRWM:2.5V(最大) 击穿电压VBR(min):2.8V 箝位电压VCL(max):9V 峰值脉冲电流Ipp:20A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:450W 电源线路保护:是 不同频率时的电容:2.5pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:SOT-23-6 封装/外壳:SOT-23-6 二极管类型:瞬态阵列 关闭状态最大电压:3.3V 半导体结构:双向 半导体设备特性:ESD 保护 安装:SMD 封装/外壳:SOT23-6 断开电压:5V 最大正向脉冲电流:25A 容值:2.5pF 耗电:300W 通道数量:4 |
| 未分类 | AOZ8235DI | AOS(万国半导体) | FET类型:齐纳 单向通道:5 双向通道:4 反向对峙电压VRWM:5V(最大) 击穿电压VBR(min):6V 箝位电压VCL(max):15V 峰值脉冲电流Ipp:4A(8/20µs) 电源线路保护:无 不同频率时的电容:13.5pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:6-uFDFN 封装/外壳:6-DFN(1.45x1.0) 二极管类型:瞬态阵列 关闭状态最大电压:5V 半导体结构:公共阳极 半导体设备特性:ESD 保护 安装:SMD 封装/外壳:DFN6 断开电压:6V 最大正向脉冲电流:4A 容值:13.5pF 通道数量:5 |
| TVS二极管阵列 | AOZ8234DI-05 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:25A 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN6 |
| 双向TVS二极管 | AOZ8231ADI-24 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:24V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:2.5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| 双向TVS二极管 | AOZ8231ADI-12 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:12V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:4A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| 双向TVS二极管 | AOZ8231ADI-08 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:8V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管 | AOZ8231ADI-05 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 反向击穿电压Vbr:5.5V 钳位电压Vc:15.5V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:2-DFN(1x0.6) |
| 双向TVS二极管 | AOZ8231ADI-03 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:3.3V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:6A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管阵列 | AOZ8224CI-05 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:SOT23-5 |
| 双向TVS二极管 | AOZ8222DI-05 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:5.5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN3 |
| TVS二极管单管 | AOZ8211DI-24 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:24V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:2.5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8211DI-12 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:12V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8211DI-05 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:5.5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8211DI-03 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:3.3V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:6A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| TVS二极管单管 | AOZ8211DI-02 | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:2.5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:6A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:DFN2 |
| 未分类 | AOZ8205DI | AOS(万国半导体) | FET类型:齐纳 单向通道:5 反向对峙电压VRWM:5V(最大) 击穿电压VBR(min):6V 箝位电压VCL(max):7.5V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs) 电源线路保护:无 不同频率时的电容:15pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:6-uFDFN 封装/外壳:6-DFN 二极管类型:瞬态阵列 关闭状态最大电压:5V 半导体结构:公共阳极 半导体设备特性:ESD 保护 安装:SMD 封装/外壳:DFN6 断开电压:6V 最大正向脉冲电流:5A 容值:17pF 通道数量:5 |
| TVS二极管阵列 | AOZ8204DI | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V(最大) 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN6 |
| 未分类 | AOZ8202CI-12 | AOS(万国半导体) | FET类型:齐纳 双向通道:1 Ohms 反向对峙电压VRWM:12V(最大) 击穿电压VBR(min):15V 箝位电压VCL(max):21V 峰值脉冲电流Ipp:15A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:125W 电源线路保护:无 不同频率时的电容:62pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 封装/外壳:SOT-23A-3 二极管类型:transil 关闭状态最大电压:12V 半导体结构:单向 安装:SMD 封装/外壳:SOT23 断开电压:15V 最大正向脉冲电流:21A 漏电电流:0.1µA 容值:62pF 耗电:125W |
| TVS二极管阵列 | AOZ8105CI | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V 峰值脉冲电流Ipp:5A(100ns) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT23-6 |
| TVS二极管阵列 | AOZ8102DI | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:DFN6 |
| 未分类 | AOZ8002DI | AOS(万国半导体) | FET类型:转向装置(轨至轨) 单向通道:4 反向对峙电压VRWM:5.5V(最大) 击穿电压VBR(min):6.6V 箝位电压VCL(max):14V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs) 电源线路保护:是 不同频率时的电容:1.85pF @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TJ) 封装/外壳:6-uFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:6-DFN(1.6x1.6) 二极管类型:瞬态阵列 关闭状态最大电压:5.5V 半导体结构:双向 半导体设备特性:ESD 保护 安装:SMD 封装/外壳:DFN6 断开电压:6.6V 最大正向脉冲电流:5A 容值:1pF 通道数量:4 |
| TVS二极管阵列 | AOZ8001DI | AOS(万国半导体) | 反向工作电压Vrwm:5V 反向击穿电压Vbr:6.6V 钳位电压Vc:14.5V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs) 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:DFN6 |
| 未分类 | AOZ8000HI | AOS(万国半导体) | FET类型:转向装置(轨至轨) 单向通道:4 反向对峙电压VRWM:5V 击穿电压VBR(min):6.6V 箝位电压VCL(max):15V 峰值脉冲电流Ipp:5A(8/20µs) 功率 - 峰值脉冲:60W 电源线路保护:是 不同频率时的电容:1.85pF @ 1MHz 工作温度:-55°C ~ 125°C(TJ) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SC-70-6 二极管类型:瞬态阵列 关闭状态最大电压:5.5V 半导体结构:双向 半导体设备特性:ESD 保护 安装:SMD 封装/外壳:SC70-6 断开电压:6.6V 最大正向脉冲电流:5A 容值:1pF 耗电:60W 通道数量:4 |
| 未分类 | AOZ7111AI | AOS(万国半导体) | 模式:临界传导(CRM) 频率 - 开关:350kHz 电压 - 电源:10.5 V ~ 18 V 工作温度:-40°C ~ 125°C 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SO 安装:SMD 封装/外壳:SO8 工作电压:10.5...18V 拓扑:boost 输出电流:-0.8...0.3A 集成电路种类:PFC 控制器 集成电路类型:PMIC 频率:350kHz |
| 未分类 | AOZ6234QI | AOS(万国半导体) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:500 毫欧 通道至通道匹配（ΔRon）:40 毫欧 电压 - 电源，单（V+）:2.3 V ~ 4.3 V 开关时间（Ton, Tof）（最大值）:50ns,40ns -3db 带宽:45MHz 电荷注入:24pC 沟道电容 （CS(off），CD（off））:22pF 电流 - 漏泄（IS（off））（最大值）:100nA 串扰:-95dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-uFQFN 封装/外壳:10-QFN(1.6x2.1) 安装:SMD 封装/外壳:QFN10 电压:2.3...4.3V 电阻:250m Ohms 谐波失真水平:0,02% 输出配置:SPDT 集成电路类型:模拟开关 |
| 未分类 | AOZ6233QI | AOS(万国半导体) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:2 导通电阻（最大值）:600 毫欧 通道至通道匹配（ΔRon）:40 毫欧 电压 - 电源，单（V+）:1.65 V ~ 3.6 V 开关时间（Ton, Tof）（最大值）:50ns,25ns -3db 带宽:45MHz 电荷注入:9pC 沟道电容 （CS(off），CD（off））:22pF 电流 - 漏泄（IS（off））（最大值）:50nA 串扰:-95dB @ 100kHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-uFQFN 封装/外壳:10-QFN(1.6x2.1) 安装:SMD 封装/外壳:QFN10 电压:1.65...3.3V 电阻:350m Ohms 谐波失真水平:0,02% 输出配置:SPDT 集成电路类型:模拟开关 |
| 未分类 | AOZ6186QT | AOS(万国半导体) | 开关电路:DPDT 通道数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:10 欧姆 电压 - 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.5 V -3db 带宽:960MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-uFQFN 封装/外壳:10-QFN(1.8x1.4) 传输频带频率:960MHz 安装:SMD 封装/外壳:QFN10 开启状态电阻:7 Ohms 接口:USB 2.0 电压:1.65...4.5V 输出配置:DPDT 集成电路类型:USB data switch |
| 未分类 | AOZ6185QT | AOS(万国半导体) | 开关电路:DPDT 通道数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:8 欧姆 电压 - 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.5 V -3db 带宽:990MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-uFQFN 封装/外壳:10-QFN(1.8x1.4) 传输频带频率:990MHz 安装:SMD 封装/外壳:QFN10 开启状态电阻:7.2 Ohms 接口:USB 2.0 电压:1.65...4.5V 输出配置:DPDT 集成电路类型:USB data switch |
| 未分类 | AOZ6184QT | AOS(万国半导体) | 开关电路:DPDT 通道数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:10 欧姆 电压 - 电源，单（V+）:1.65 V ~ 4.5 V -3db 带宽:1.1GHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-uFQFN 封装/外壳:10-QFN(1.8x1.4) 传输频带频率:1.1GHz 安装:SMD 封装/外壳:QFN10 开启状态电阻:8 Ohms 接口:USB 2.0 电压:1.65...4.5V 输出配置:DPDT 集成电路类型:USB data switch |
| 未分类 | AOZ6135HI | AOS(万国半导体) | 开关电路:SPDT 多路复用器/解复用器电路:2:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 通道至通道匹配（ΔRon）:30 毫欧 电压 - 电源，单（V+）:1.65 V ~ 5.5 V 开关时间（Ton, Tof）（最大值）:40ns,20ns -3db 带宽:180MHz 电荷注入:75pC 沟道电容 （CS(off），CD（off））:7pF 电流 - 漏泄（IS（off））（最大值）:20nA 串扰:-60dB @ 1MHz 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363 封装/外壳:SC-70-6 安装:SMD 封装/外壳:SC70-6 电压:1.65...5.5V 电阻:900m Ohms 谐波失真水平:0,01% 输出配置:SPDT 集成电路类型:模拟开关 |
| 未分类 | AOZ6115HI | AOS(万国半导体) | 开关电路:SPST - 常开 多路复用器/解复用器电路:1:1 电路数:1 Ohms 导通电阻（最大值）:3 欧姆 电压 - 电源，单（V+）:1.65 V ~ 5.5 V 开关时间（Ton, Tof）（最大值）:40ns,20ns -3db 带宽:300MHz 电荷注入:2pC 沟道电容 （CS(off），CD（off））:7.5pF 电流 - 漏泄（IS（off））（最大值）:100nA 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353 封装/外壳:SC-70-5 安装:SMD 封装/外壳:SC70-5 电压:1.65...5.5V 电阻:2 Ohms 谐波失真水平:0,01% 输出配置:SPST 集成电路类型:模拟开关 |
| 未分类 | AOZ5239QI | AOS(万国半导体) | FET类型:MOSFET 配置:单相 电流:50A 封装/外壳:31-PowerWFQFN 模块 安装:SMD 封装/外壳:QFN31 拓扑:buck 输入电压:4.5...25V 输出电流:50A 集成电路特性:电源模块 DrMOS 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.2-2MHz |
| 未分类 | AOZ5166QI-01 | AOS(万国半导体) | FET类型:MOSFET 配置:单相 电流:60A 封装/外壳:40-PowerWFQFN 模块 安装:SMD 封装/外壳:QFN40 拓扑:buck 输入电压:4.5...25V 输出电流:60A 集成电路特性:电源模块 DrMOS 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.2-1MHz |
| 未分类 | AOZ5166QI | AOS(万国半导体) | 安装:SMD 封装/外壳:QFN40 拓扑:buck 输入电压:4.5...18V 输出电流:60A 集成电路特性:电源模块 DrMOS 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.2-1MHz |
| 未分类 | AOZ5131QI | AOS(万国半导体) | 安装:SMD 封装/外壳:QFN31 拓扑:buck 输入电压:4.5...18V 输出电流:60A 集成电路特性:电源模块 DrMOS 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.2-2MHz |
| 未分类 | AOZ5066QI-01 | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:4.5V 电压 - 输入（最大值）:25V 电流 - 输出:60A 频率 - 开关:200kHz ~ 1MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:40-WFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:40-QFN(6x6) 安装:SMD 封装/外壳:QFN40 拓扑:buck 输入电压:4.5...25V 输出电流:60A 集成电路特性:电源模块 DrMOS 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.2-1MHz |
| 未分类 | AOZ5066QI | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:4.5V 电压 - 输入（最大值）:25V 电流 - 输出:60A 频率 - 开关:200kHz ~ 1MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:40-WFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:40-QFN(6x6) 安装:SMD 封装/外壳:QFN40 拓扑:buck 输入电压:4.5...25V 输出电流:60A 集成电路特性:电源模块 DrMOS 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.2-1MHz |
| 未分类 | AOZ5049QI | AOS(万国半导体) | FET类型:MOSFET 配置:单相 电流:35A 封装/外壳:24-PowerTFQFN 模块 安装:SMD 封装/外壳:QFN23 拓扑:buck 输入电压:4.5...25V 输出电流:35A 集成电路特性:电源模块 DrMOS 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.2-2MHz |
| 未分类 | AOZ5048QI | AOS(万国半导体) | 安装:SMD 封装/外壳:QFN24 拓扑:buck 输入电压:4.5...25V 输出电流:35A 集成电路特性:电源模块 DrMOS 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.2-2MHz |
| 未分类 | AOZ5039QI | AOS(万国半导体) | FET类型:MOSFET 配置:单相 电流:50A 封装/外壳:31-PowerWFQFN 模块 安装:SMD 封装/外壳:QFN31 拓扑:buck 输入电压:4.5...25V 输出电流:40A 集成电路特性:电源模块 DrMOS 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.2-2MHz |
| 未分类 | AOZ5038QI | AOS(万国半导体) | FET类型:MOSFET 配置:单相 电流:50A 封装/外壳:31-PowerWFQFN 模块 安装:SMD 封装/外壳:QFN31 拓扑:buck 输入电压:4.5...25V 输出电流:50A 集成电路特性:电源模块 DrMOS 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.2-2MHz |
| 未分类 | AOZ5019QI | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:4.5V 电压 - 输入（最大值）:25V 电流 - 输出:30A 频率 - 开关:200kHz ~ 1.5MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:23-PowerTFQFN 封装/外壳:23-QFN(3.5x5) 安装:SMD 封装/外壳:QFN23 拓扑:buck 输入电压:4.5...25V 输出电流:30A 集成电路特性:电源模块 DrMOS 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.2-1.5MHz |
| 未分类 | AOZ3103DI | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:4.5V 电压 - 输入（最大值）:18V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:15.3V 电流 - 输出:3A 频率 - 开关:500kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SMD,扁平引线裸焊盘 封装/外壳:8-DFN(3x3) 安装:SMD 封装/外壳:DFN8 拓扑:buck 输入电压:4.5...18V 输出电压:15.3V 输出电流:3A 集成电路特性:内部 4ms 软启动 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.5MHz |
| 未分类 | AOZ3101DI | AOS(万国半导体) | 安装:SMD 封装/外壳:DFN8 拓扑:buck 输入电压:4.5...18V 输出电压:15.3V 输出电流:2A 集成电路特性:内部 1.5ms 软启动 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.5MHz |
| 未分类 | AOZ3048PI | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:7.5V 电压 - 输入（最大值）:18V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:13.5V 电流 - 输出:5A 频率 - 开关:500kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SO-EP 安装:SMD 封装/外壳:SO8-EP 拓扑:buck 输入电压:7.5...18V 输出电压:15.3V 输出电流:5A 集成电路特性:内部 4ms 软启动 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.5MHz |
| 未分类 | AOZ3046PI | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:7.5V 电压 - 输入（最大值）:18V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:15.3V 电流 - 输出:4A 频率 - 开关:500kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SO-EP 安装:SMD 封装/外壳:SO8-EP 拓扑:buck 输入电压:7.5...18V 输出电压:15.3V 输出电流:4A 集成电路特性:内部 4ms 软启动 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.5MHz |
| 未分类 | AOZ3024PI | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:4.5V 电压 - 输入（最大值）:18V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:15.3V 电流 - 输出:3A 频率 - 开关:500kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SO-EP 安装:SMD 封装/外壳:SO8-EP 拓扑:buck 输入电压:4.5...18V 输出电压:15.3V 输出电流:3A 集成电路特性:内部 4.5ms 软启动 集成电路特性:欠电压保护 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.5MHz |
| 未分类 | AOZ3018PI | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:4.5V 电压 - 输入（最大值）:18V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:15.3V 电流 - 输出:5A 频率 - 开关:500kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SO-EP 安装:SMD 封装/外壳:SO8-EP 拓扑:buck 输入电压:4.5...18V 输出电压:15.3V 输出电流:5A 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.5MHz |
| 未分类 | AOZ3017PI | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:4.5V 电压 - 输入（最大值）:18V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:15.3V 电流 - 输出:4A 频率 - 开关:500kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SO-EP 安装:SMD 封装/外壳:SO8-EP 拓扑:buck 输入电压:4.5...18V 输出电压:15.3V 输出电流:4A 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.5MHz |
| 未分类 | AOZ3015PI | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:4.5V 电压 - 输入（最大值）:18V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:15.3V 电流 - 输出:3A 频率 - 开关:500kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SO-EP 安装:SMD 封装/外壳:SO8-EP 拓扑:buck 输入电压:4.5...18V 输出电压:15.3V 输出电流:3A 集成电路特性:内部 5ms 软启动 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.5MHz |
| 未分类 | AOZ3015AI | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:4.5V 电压 - 输入（最大值）:18V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:15.3V 电流 - 输出:3A 频率 - 开关:500kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SO-EP 安装:SMD 封装/外壳:SO8 拓扑:buck 输入电压:4.5...18V 输出电压:15.3V 输出电流:3A 集成电路特性:内部 5ms 软启动 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.5MHz |
| 开关稳压器 | AOZ3013PI | AOS(万国半导体) | 系列:EZBuck™ 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:4.5V 电压 - 输入（最大值）:18V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:15.3V 电流 - 输出:3A 频率 - 开关:500kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC |
| 未分类 | AOZ3011PI | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:4.5V 电压 - 输入（最大值）:18V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:15.3V 电流 - 输出:3A 频率 - 开关:500kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SO-EP 安装:SMD 封装/外壳:SO8-EP 拓扑:buck 输入电压:4.5...18V 输出电压:15.3V 输出电流:3A 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.5MHz |
| 未分类 | AOZ3010PI | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:4.8V 电压 - 输入（最大值）:18V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:15.3V 电流 - 输出:2A 频率 - 开关:500kHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SO-EP 安装:SMD 封装/外壳:SO8-EP 拓扑:buck 输入电压:4.5...18V 输出电压:15.3V 输出电流:2A 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.5MHz |
| 未分类 | AOZ2261QI-15 | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:2.7V 电压 - 输入（最大值）:28V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:23.8V 电流 - 输出:8A 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:22-PowerVFQFN 封装/外壳:22-QFN(4x4) 安装:SMD 封装/外壳:QFN22 拓扑:buck 输入电压:2.7...28V 输出电压:0.8...24V 输出电流:8A 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:1MHz |
| 未分类 | AOZ2260QI-15 | AOS(万国半导体) | 安装:SMD 封装/外壳:QFN22 拓扑:buck 输入电压:2.7...28V 输出电压:0.8...24V 输出电流:6A 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:1MHz |
| 未分类 | AOZ2237QI-01 | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:2.7V 电压 - 输入（最大值）:28V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:23.8V 电流 - 输出:8A 频率 - 开关:200kHz ~ 1MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:23-PowerVFQFN 封装/外壳:23-QFN(4x4) 安装:SMD 封装/外壳:QFN23 拓扑:buck 输入电压:2.7...28V 输出电压:0.8...24V 输出电流:8A 集成电路特性:内部调节软启动 集成电路特性:欠电压保护 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:1MHz |
| 未分类 | AOZ2151QI-01 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:18-uFQFN 裸露焊盘 封装/外壳:18-QFN(3x3) |
| 未分类 | AOZ1977AI | AOS(万国半导体) | FET类型:DC DC 控制器 拓扑:升压 内部开关:无 输出数:1 Ohms 电压 - 供电（最低）:8V 电压 - 供电（最高）:30V 电压 - 输出:16V 频率:100kHz,350kHz 调光:PWM 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:16-SOIC 安装:SMD 封装/外壳:SO16 拓扑:boost 输入电压:8...30V 输出电压:200V 输出电流:200mA 集成电路种类:LED 控制器 集成电路类型:driver |
| 未分类 | AOZ1915DI | AOS(万国半导体) | 功能:升压 输出配置:正 拓扑:升压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:2.7V 电压 - 输入（最大值）:5.5V 电压 - 输出（最小值/固定）:2.7V 电压 - 输出（最大值）:22V 电流 - 输出:1.5A(开关) 频率 - 开关:600kHz,1.2MHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:12-VFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:12-DFN(4x3) 安装:SMD 封装/外壳:DFN12 拓扑:boost 输入电压:2.7...5.5V 输出电压:3.24...24V 输出电流:2A 集成电路特性:集成肖特基二极管 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.6-12MHz |
| 未分类 | AOZ1905DI | AOS(万国半导体) | 功能:升压 输出配置:正 拓扑:升压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:2.7V 电压 - 输入（最大值）:5.5V 电压 - 输出（最小值/固定）:2.7V 电压 - 输出（最大值）:24V 电流 - 输出:2A(开关) 频率 - 开关:600kHz,1.2MHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:10-WFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:10-DFN(3x3) 安装:SMD 封装/外壳:DFN10 拓扑:boost 输入电压:2.7...5.5V 输出电压:3.24...24V 输出电流:2.7A 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.6-12MHz |
| 未分类 | AOZ1615DI | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:2.5V 电压 - 输入（最大值）:5.5V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.6V 电压 - 输出（最大值）:3.3V 电流 - 输出:1.5A 频率 - 开关:3MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN(2x3) 安装:SMD 封装/外壳:DFN8 拓扑:buck 输入电压:2.5...5.5V 输出电压:0.6...3.3V 输出电流:1.5A 集成电路特性:内部软启动 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:3MHz |
| 未分类 | AOZ1360DIL | AOS(万国半导体) | 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:P 通道 接口:开/关 电压 - 负载:5.5 V ~ 28 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 导通电阻（典型值）:22 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(可调),超温,UVLO 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:10-WDFN 裸露焊盘 封装/外壳:10-DFN(4x4) 主动逻辑电平:高 安装:SMD 封装/外壳:DFN10 开启状态电阻:35m Ohms 输入电压:5.5...28V 通道数量:1 Ohms 集成电路特性:故障检测 集成电路种类:load switch 集成电路类型:power switch |
| 电源开关 | AOZ1360AIL | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:SOIC-8 |
| 未分类 | AOZ1342PI-1 | AOS(万国半导体) | 开关类型:USB 开关 输出数:2 比率 - 输入:输出:1：2 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:1.5A 导通电阻（典型值）:70 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SO-EP 主动逻辑电平:高 安装:SMD 封装/外壳:SO8-EP 开启状态电阻:70m Ohms 输入电压:2.7...5.5V 输出电流:2A 通道数量:2 集成电路特性:故障检测 集成电路种类:USB switch 集成电路类型:power switch |
| 未分类 | AOZ1342PI | AOS(万国半导体) | 开关类型:USB 开关 输出数:2 比率 - 输入:输出:1：2 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:1.5A 导通电阻（典型值）:70 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SO-EP 主动逻辑电平:低 安装:SMD 封装/外壳:SO8-EP 开启状态电阻:70m Ohms 输入电压:2.7...5.5V 输出电流:2A 通道数量:2 集成电路特性:故障检测 集成电路种类:USB switch 集成电路类型:power switch |
| 未分类 | AOZ1341EI | AOS(万国半导体) | 开关类型:USB 开关 输出数:2 比率 - 输入:输出:1：2 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:1A 导通电阻（典型值）:70 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,反向电流 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) 封装/外壳:8-MSOP-EP 主动逻辑电平:低 安装:SMD 封装/外壳:eMSOP-8 开启状态电阻:70m Ohms 输入电压:2.7...5.5V 输出电流:1.5A 通道数量:2 集成电路特性:故障检测 集成电路种类:USB switch 集成电路类型:power switch |
| 未分类 | AOZ1341AI-1 | AOS(万国半导体) | 开关类型:USB 开关 输出数:2 比率 - 输入:输出:1：2 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:1A 导通电阻（典型值）:70 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,反向电流 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC 主动逻辑电平:高 安装:SMD 封装/外壳:SO8 开启状态电阻:70m Ohms 输入电压:2.7...5.5V 输出电流:1.5A 通道数量:2 集成电路特性:故障检测 集成电路种类:USB switch 集成电路类型:power switch |
| 未分类 | AOZ1341AI | AOS(万国半导体) | 开关类型:USB 开关 输出数:2 比率 - 输入:输出:1：2 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:1A 导通电阻（典型值）:70 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,反向电流 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC 主动逻辑电平:低 安装:SMD 封装/外壳:SO8 开启状态电阻:70m Ohms 输入电压:2.7...5.5V 输出电流:1.5A 通道数量:2 集成电路特性:故障检测 集成电路种类:USB switch 集成电路类型:power switch |
| 未分类 | AOZ1336DI | AOS(万国半导体) | 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:0.8 V ~ 5.5 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:4A 导通电阻（典型值）:27 毫欧 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN-EP(2x2) 主动逻辑电平:高 安装:SMD 封装/外壳:DFN8 开启状态电阻:27m Ohms 输入电压:0.8...5.5V 输出电流:4A 通道数量:1 Ohms 集成电路种类:load switch 集成电路类型:power switch |
| 未分类 | AOZ1334DI-02 | AOS(万国半导体) | 封装/外壳:8-WDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN(3x3) 主动逻辑电平:高 安装:SMD 封装/外壳:DFN8 开启状态电阻:5m Ohms 输入电压:0.8...5.5V 输出电流:10A 通道数量:1 Ohms 集成电路种类:load switch 集成电路类型:power switch |
| 未分类 | AOZ1334DI-01 | AOS(万国半导体) | 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:0.8 V ~ 4 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:10A 导通电阻（典型值）:4.6 毫欧 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-PowerWDFN 封装/外壳:8-DFN-EP(3x3) 主动逻辑电平:高 安装:SMD 封装/外壳:DFN8 开启状态电阻:5m Ohms 输入电压:0.8...5.5V 输出电流:10A 通道数量:1 Ohms 集成电路种类:load switch 集成电路类型:power switch |
| 未分类 | AOZ1331DI | AOS(万国半导体) | 输出数:2 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:0.8 V ~ 5.5 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:6A 导通电阻（典型值）:20 毫欧 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:14-WFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:14-DFN(3x2) 主动逻辑电平:高 安装:SMD 封装/外壳:DFN14 开启状态电阻:20m Ohms 输入电压:0.8...5.5V 输出电流:6A 通道数量:2 集成电路特性:故障检测 集成电路种类:load switch 集成电路类型:power switch |
| 未分类 | AOZ1312EI-1 | AOS(万国半导体) | 开关类型:USB 开关 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:1.5A 导通电阻（典型值）:70 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-MSOP-EP 主动逻辑电平:高 安装:SMD 封装/外壳:eMSOP-8 开启状态电阻:70m Ohms 输入电压:2.7...5.5V 输出电流:2A 通道数量:1 Ohms 集成电路特性:故障检测 集成电路种类:USB switch 集成电路类型:power switch |
| 未分类 | AOZ1312AI-1 | AOS(万国半导体) | 开关类型:USB 开关 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:1.5A 导通电阻（典型值）:70 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 封装/外壳:8-SOIC 主动逻辑电平:高 安装:SMD 封装/外壳:SO8 开启状态电阻:70m Ohms 输入电压:2.7...5.5V 输出电流:2A 通道数量:1 Ohms 集成电路特性:故障检测 集成电路种类:USB switch 集成电路类型:power switch |
| 未分类 | AOZ1310CI-1 | AOS(万国半导体) | 开关类型:USB 开关 输出数:1 Ohms 比率 - 输入:输出:1：1 输出配置:高端 输出类型:N 通道 接口:开/关 电压 - 负载:2.7 V ~ 5.5 V 电压 - 电源（Vcc/Vdd）:不需要 电流 - 输出（最大值）:500mA 导通电阻（典型值）:80 毫欧 输入类型:非反相 故障保护:限流(固定),超温,反向电流,UVLO 工作温度:-40°C ~ 125°C (TJ) 封装/外壳:SOT-23-5 细型,TSOT-23-5 封装/外壳:SOT-23-5 主动逻辑电平:高 安装:SMD 封装/外壳:SOT23-5 开启状态电阻:80m Ohms 输入电压:2.7...5.5V 输出电流:0.75A 通道数量:1 Ohms 集成电路特性:故障检测 集成电路种类:USB switch 集成电路类型:power switch |
| 开关稳压器 | AOZ1284PI | AOS(万国半导体) | 系列:EZBuck™ 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:3V 电压-输入（最大值）:36V 电压-输出（最小值/固定）:0.8V 电压-输出（最大值）:30.6V 电流-输出:4A 频率-开关:200kHz ~ 1MHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SO-EP |
| 未分类 | AOZ1283PI | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:3V 电压 - 输入（最大值）:36V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:30.6V 电流 - 输出:2.5A 频率 - 开关:200kHz ~ 2MHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘 封装/外壳:8-SO-EP 安装:SMD 封装/外壳:SO8-EP 拓扑:buck 输入电压:3...36V 输出电压:0.8...30V 输出电流:2.5A 集成电路特性:外部可编程软启动 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:2MHz |
| 未分类 | AOZ1282DI | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:4.5V 电压 - 输入（最大值）:36V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:36V 电流 - 输出:1.2A 频率 - 开关:450kHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:8-WFDFN 裸露焊盘 封装/外壳:8-DFN(2x2) 安装:SMD 封装/外壳:DFN8 拓扑:buck 输入电压:4.5...36V 输出电压:0.8...30V 输出电流:1.2A 集成电路特性:内部软启动 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:0.45MHz |
| 开关稳压器 | AOZ1282CI-1 | AOS(万国半导体) | 系列:AOZ 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:4.5V 电压-输入（最大值）:36V 电压-输出（最小值/固定）:0.8V 电压-输出（最大值）:30.6V 电流-输出:600mA 频率-开关:1MHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-6L |
| 开关稳压器 | AOZ1282CI | AOS(万国半导体) | 系列:AOZ 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:4.5V 电压-输出（最小值/固定）:0.8V 电压-输出（最大值）:36V 电流-输出:1.2A 频率-开关:450kHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-6L |
| 开关稳压器 | AOZ1281DI | AOS(万国半导体) | 系列:AOZ 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:3V 电压-输入（最大值）:26V 电压-输出（最小值/固定）:0.8V 电压-输出（最大值）:22.1V 电流-输出:1.8A 频率-开关:1.5MHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:DFN2x2_8L |
| 开关稳压器 | AOZ1280CI | AOS(万国半导体) | 系列:AOZ 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压-输入（最小值）:3V 电压-输出（最小值/固定）:0.8V 电压-输出（最大值）:26V 电流-输出:1.2A 频率-开关:1.5MHz 同步整流器:无 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:SOT-23-6L |
| 未分类 | AOZ1269QI-02 | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:2.7V 电压 - 输入（最大值）:28V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:23.8V 电流 - 输出:12A 频率 - 开关:200kHz ~ 1MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:23-PowerVFQFN 封装/外壳:23-QFN(4x4) 安装:SMD 封装/外壳:QFN23 拓扑:buck 输入电压:2.7...28V 输出电压:24V 输出电流:12A 集成电路特性:外部可编程软启动 集成电路特性:欠电压保护 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:1MHz |
| 未分类 | AOZ1268QI-02 | AOS(万国半导体) | 功能:降压 输出配置:正 拓扑:降压 输出类型:可调式 输出数:1 Ohms 电压 - 输入（最小值）:2.7V 电压 - 输入（最大值）:24V 电压 - 输出（最小值/固定）:0.8V 电压 - 输出（最大值）:20.4V 电流 - 输出:10A 频率 - 开关:200kHz ~ 1MHz 同步整流器:是 工作温度:-40°C ~ 85°C(TA) 封装/外壳:23-PowerVFQFN 封装/外壳:23-QFN(4x4) 安装:SMD 封装/外壳:QFN23 拓扑:buck 输入电压:6.5...24V 输出电压:20V 输出电流:10A 集成电路特性:内部调节软启动 集成电路特性:欠电压保护 集成电路种类:DC/DC 转换器 集成电路类型:PMIC 频率:1MHz |