参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SIRA60DP-T1-RE3
说明	功率MOSFET   PowerPAK®SO-8 30V
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6253 [库存更新时间：2025-04-22]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	100A(Tc)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	4.5V,10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	125nC
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V
栅极电压Vgs	+20V,-16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7650pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	15V
Rds On(Max)@Id,Vgs	0.94mΩ@20A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
封装/外壳	PowerPAK®SO-8
Pd-功率耗散(Max)	57W
电压	30V