参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | SQM35N30-97_GE3 |
说明 | 功率MOSFET TO-263-3 |
品牌 | Vishay(威世) |
起订量 | 800 |
最小包 | 800 |
现货 | 1853 [库存更新时间:2025-04-22] |
连续漏极电流Id | 35A |
Pd-功率耗散(Max) | 375W |
Qg-栅极电荷 | 130nC |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 78mΩ |
漏源极电压Vds | 300V |
栅极电压Vgs | 2.5V |
上升时间 | 40ns |
下降时间 | 20ns |
典型关闭延迟时间 | 35ns |
典型接通延迟时间 | 20ns |
封装/外壳 | TO-263-3 |
系列 | SQ |
通道数量 | 1Channel |
配置 | Single |
工作温度 | -55°C~175°C |