参数 | 值 |
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产品 | 功率MOSFET |
型号编码 | AONS66612 |
说明 | 功率MOSFET DFN5x6 |
品牌 | AOS(万国半导体) |
起订量 | 1 |
最小包 | 3000 |
现货 | 3245 [库存更新时间:2025-04-02] |
封装/外壳 | DFN 5x6 |
FET类型 | N-Channel |
ESD Diode | No |
Schottky Diode | No |
漏源极电压Vds | 60V |
栅极电压Vgs | 20V |
连续漏极电流Id | 100A |
Pd-功率耗散(Max) | 208W |
Rds On(Max)@Id,Vgs | 1.65mΩ@10V |
VGS(th) | 3.5 |
Ciss(pF) | 5300 |
Coss(pF) | 1500 |
Crss(pF) | 50 |
Qg*(nC) | 78 |
Qgd(nC) | 20 |
Trr(ns) | 30 |
Qrr(nC) | 135 |