参数	值
产品	功率MOSFET
型号编码	SIHD2N80E-GE3
说明	功率MOSFET
品牌	Vishay(威世)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6254 [库存更新时间：2025-04-10]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	800V
连续漏极电流Id	2.8A(Tc)
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	19.6nC
栅极电压Vgs	±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	315pF
电压，耦合至输入电容（Ciss）（最大） @ Vds	100V
Pd-功率耗散(Max)	62.5W(Tc)
Rds On(Max)@Id,Vgs	2.75Ω@1A,10V
工作温度	-55°C~150°C(TJ)
电压，耦合至栅极电荷（Qg）（最大）@ Vgs	10V