| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | ZXMN2A04DN8TA |
| 说明 | 通用MOSFET 8-SO SOIC |
| 品牌 | Diodes(达尔（美台）) |
| 起订量 | 0 |
| 最小包 | 0 |
| 现货 | 205 [库存更新时间：2025-04-16] |
| FET类型 | 2N-Channel |
| 连续漏极电流Id | 5.9A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 25m Ohms@5.9A,4.5V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 700mV @ 250µA(最小) |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 22.1nC @ 5V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 1880pF @ 10V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.8W |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SO |
| 封装/外壳 | SOIC |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 20V |
| 连续漏极电流Id | 7.7A |
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