参数	值
产品	未分类
型号编码	ZXMNS3BM832TA
说明	未分类   8-MLP,MicroFET(3x2) 8-VDFN裸露焊盘
品牌	Diodes(达尔（美台）)
起订量	3000
最小包	3000
现货	6214 [库存更新时间：2025-04-10]
FET类型	N-Channel
漏源极电压Vds	30V
连续漏极电流Id	2A(Ta)
驱动电压@Rds On（Max),Rds On(Min）	2.5V,4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	700mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）	2.9nC @ 4.5V
栅极电压Vgs	±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	314pF @ 15V
FET类型	肖特基二极管(隔离式)
功率	1W(Ta)
Rds On(Max)@Id,Vgs	180mΩ@1.5A,4.5V
工作温度	-55°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳	8-MLP,MicroFET(3x2)
封装/外壳	8-VDFN 裸露焊盘