| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | 通用MOSFET |
| 型号编码 | ZXMN6A11DN8TA |
| 说明 | 通用MOSFET 8-SOP SOIC |
| 品牌 | Diodes(达尔（美台）) |
| 起订量 | 500 |
| 最小包 | 500 |
| 现货 | 1214 [库存更新时间：2025-04-03] |
| FET类型 | 2N-Channel |
| 连续漏极电流Id | 2.5A |
| Rds On(Max)@Id,Vgs | 120mΩ@2.5A,10V |
| 不同Id时的Vgs（th）（最大值） | 1V @ 250µA(最小) |
| 不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | 5.7nC @ 10V |
| 不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值） | 330pF @ 40V |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.8W |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
| 封装/外壳 | 8-SOP |
| 封装/外壳 | SOIC |
| FET类型 | N-Channel |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 连续漏极电流Id | 3.2A |
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