| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | MOSFET |
| 型号编码 | ZXMC4559DN8TC |
| 说明 | MOSFET 8-SO |
| 起订量 | 2 |
| 最小包 | 2 |
| 现货 | 458 [库存更新时间：2024-04-20] |
| FET类型 | N+P-Channel |
| Pd-功率耗散(Max) | 2.1W |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 55mΩ@4.5A,10V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1063pF @ 30V |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 20.4nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SO |
| 工作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
| 漏源极电压Vds | 60V |
| 连续漏极电流Id | 3.6A,2.6A |
IC普拉斯 元器件现货