ZXMC3F31DN8TA

· MOSFET

型号参数与资料

型号
ZXMC3F31DN8TA
类别
MOSFET
FET类型N+P-Channel
Pd-功率耗散(Max)1.8W
RdsOn(Max)@Id,Vgs24mΩ@7A,10V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值)608pF @ 15V
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值)12.9nC @ 10V
封装/外壳8-SO
工作温度-55℃~150℃(TJ)
漏源极电压Vds30V
连续漏极电流Id6.8A,4.9A

MOSFET   8-SO

资料中的环保标注:否。适用声明需核对制造商文件。

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