| 参数 | 值 |
|---|---|
| 产品 | MOSFET |
| 型号编码 | ZXMC10A816N8TC |
| 说明 | MOSFET 8-SO |
| 起订量 | 2 |
| 最小包 | 2 |
| 现货 | 454 [库存更新时间：2024-05-11] |
| FET类型 | N+P-Channel |
| Pd-功率耗散(Max) | 1.8W |
| RdsOn(Max)@Id,Vgs | 230mΩ@1A,10V |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 497pF @ 50V |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 9.2nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-SO |
| 工作温度 | -55℃~150℃(TJ) |
| 漏源极电压Vds | 100V |
| 连续漏极电流Id | 2A |
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